Патенты автора Рогулина Лариса Геннадьевна (RU)

Изобретение относится к формирователю импульсного сигнала. Технический результат заключается в увеличении мощности МДП-транзисторов при низком уровне питания формирователя широтно-импульсных сигналов. Формирователь импульсных сигналов содержит МДП-транзисторы с каналом n-типа, резистор и конденсатор нагрузки, бутстрепный конденсатор и диод, где по линии 13 подается напряжение питания элементов формирователя импульсных сигналов, а по линии 14 поступает входной сигнал управления. В формирователь импульсных сигналов введен дополнительно резистор для увеличения постоянной цепи заряда бутстрепного конденсатора, один конец которого соединен с линией питания, другой подключен к аноду бутстрепного диода. 3 з.п. ф-лы, 5 ил.

Изобретение относится к области микроэлектроники, а именно технологии изготовления КМОП-структур, используемых в преобразовательных и цифровых устройствах. Техническим результатом является формирование единого технологического цикла изготовления элементов управляющей схемы маломощного и мощного высоковольтного силового транзисторов с целью получения интеллектуального силового ключа любой сложности на одном кристалле. Благодаря внесению поправок в базовые операции, возможно совершенствование параметров КМОП-структур и характеристик изготавливаемых интегральных схем на более ранних производственных этапах, что повышает рабочие параметры МОП-транзисторов и надёжность, улучшает характеристики интегральных схем и расширяет их функциональные возможности. В базовую КМОП-технологию единого технологического цикла изготовления элементов управляющей схемы маломощного и мощного силовых транзисторов внедрены технология изготовления «карман в кармане» для создания р- МОП-транзисторов с изолированным карманом n-типа и технология вертикального N-MOSFET, где исходным материалом служат эпитаксиальные структуры. Используются следующие операции: первое окисление, плазмохимическое травление SiO2, «I» фотолитография, травление SiO2, ионное легирование «р-карман», перераспределение «р-карман», «II» фотолитография, травление SiO2, ионное легирование «n-карман», перераспределение «n-карман», «III» фотолитография, травление SiO2, окисление термическое, ионное легирование «Подлегирование», «IV» фотолитография, травление SiO2, тонкое окисление, нанесение поликремния Si*, «V» фотолитография, травление Si*, «VI» фотолитография, ионное легирование «Область n++», «VII» фотолитография, ионное легирование «Область р++», отжиг, формирование SiO2 (нелегированный), осаждение борофосфоросиликатного стекла, отжиг, «VIII» фотолитография, травление борофосфоросиликатного стекла, напыление металла, «IХ» фотолитография, травление металла, осаждение SiO2, «X» фотолитография, травление SiO2. 2 ил.

Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано в стабилизированных источниках вторичного электропитания, системах управления электрическими машинами, устройствах измерительной техники и автоматики. Технический результат заключается в повышении качества стабилизации напряжения и тока за счет повышения температурной стабильности. Поставленная цель достигается тем, что формируется широтно-модулированный сигнал управления, пропорциональный величине постоянной составляющей тока обратной связи, который изменяет угол наклона пилообразного напряжения на конденсаторе. Ширина импульсного сигнала определяется длительностью нарастания пилообразного напряжения до момента достижения значения эталонного напряжения. Устройство формирования двухканального широтно-модулированного сигнала состоит из преобразователя напряжения обратной связи в ток, выполненного на операционном усилителе, резисторе, МДП-транзисторе, которые обеспечивают высокий коэффициент усиления и термостабильность. 5 ил.

Изобретение относится к стабилизированным источникам вторичного питания и может быть использовано для питания различных радиотехнических устройств. Технический результат - повышение надежности введением схемы защиты от коротких замыканий выходов или в момент подключения источника входного напряжения; повышение качества стабилизации посредством применения термостабильного источника опорного напряжения; снижение потерь мощности уменьшением выходного тока драйвера и расширение диапазона входных напряжений при помощи вольтдобавки в схеме управления между затвором и стоком регулирующего МДП-транзистора. В стабилизаторе постоянного напряжения, подключаемом к источнику входного напряжения постоянного тока, содержащем регулирующий транзистор, LDC-фильтр, дополнительный источник питания, триггер Шмитта, драйвер, источник опорного напряжения, дифференциальный усилитесь и делитель выходного напряжения, согласно изобретению введен дополнительный транзистор, обеспечивающий блокировку подачи сигналов управления на регулирующий транзистор, что обеспечивает его защиту от высоких уровней токов, которые возникают при коротком замыкании выходов или в начальный момент времени. 2 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано при проектировании и модернизации систем бесперебойного электропитания

 


Наверх