Патенты автора Витухновский Алексей Григорьевич (RU)
Изобретение относится к области измерительной техники и касается инфракрасного детектора ИК-диапазона. Инфракрасный детектор включает в себя активный слой, содержащий коллоидные квантовые точки и плазмонные наноантенны, расположенные между встречно-штыревыми электродами. При этом при детектировании излучения используется поверхностно-усиленное поглощение в ИК-области спектра. Технический результат заключается в увеличении сечения поглощения и повышении стабильности детектора. 2 н. и 2 з.п. ф-лы, 4 ил.
Изобретение относится к геттерным материалам для светоизлучающих устройств. Композитный геттерный материал предназначен для удаления паров воды и остаточного кислорода. Согласно изобретению поверхность цеолита типа А4 покрывается жидким сплавом калий-натрий с содержанием калия от 40 до 90 мас. %, при массовой доле сплава по отношению к цеолиту 0,5-10,0%. Активация цеолита осуществляется нагреванием в вакууме при температуре 250-300°С в течение 4-6 ч. Цеолит охлаждается в атмосфере сухого аргона или вакууме до 20-25°С. Пропитку гранул цеолита сплавом проводят при 100-110°С в атмосфере сухого аргона. Изобретение обеспечивает повышение поглощающей способности материала по кислороду. 2 н. и 1 з.п. ф-лы, 5 пр.
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ КАСКАДНО ВОЗБУЖДАЕМЫХ ЛОВУШЕК НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДОВ В ПОЛУПРОВОДНИКЕ // 2649065
Изобретение относится к физике полупроводников. Его применение при определении параметров каскадно возбуждаемых ловушек носителей зарядов в полупроводнике позволяет исследовать каскадно возбуждаемый тип ловушек в более широком классе полупроводниковых материалов, начиная с кристаллических и заканчивая органическими полупроводниками и нанокристаллами, и обеспечивает расширенные функциональные возможности за счет определения не только характеристик ловушек, но и энергетической плотности их состояний. В способе по изобретению: обеспечивают образец полупроводника, пропускающий не менее 20% излучения в диапазоне длин волн от 300 до 1500 нм; охлаждают образец до температуры не выше 100 K; нагревают охлажденный образец до температуры не менее 300 K со скоростью не более 5 К/с; пропускают через образец в процессе его охлаждения и последующего нагревания световой пучок со спектром, лежащим в пределах от 300-500 нм до 500-1500 нм и имеющим отношение интенсивностей в спектральных максимумах и минимумах не более 20; регистрируют спектр излучения, прошедшего через образец в процессе его охлаждения и последующего нагревания; находят спектр поглощения образца путем сравнения известного спектра светового пучка, пропущенного через этот образец, и зарегистрированного спектра излучения; определяют, по меньшей мере, наличие ловушек по изменениям спектра поглощения. 6 з.п.ф-лы, 3 ил.
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ НАНОЧАСТИЦ СЕРЕБРА С МОДИФИЦИРОВАННОЙ ЛИГАНДНОЙ ОБОЛОЧКОЙ В ВЫСОКОЫВЯЗКОЙ МАТРИЦЕ // 2526967
Изобретение относится к нанотехнологии и может быть использовано для эффективного изменения оптоэлектронных свойств ансамблей покрытых лигандной оболочкой наночастиц серебра в вязких средах и пленках. Изобретение может быть использовано для создания фотонных кристаллов, оптических фильтров и нового поколения Рамановских лазеров. Для получения высокоупорядоченных ансамблей наночастиц серебра с лигандной оболочкой в высоковязкий водный раствор поливинилового спирта или желатины добавляют 3-6 ммоль/г раствора азотнокислого серебра, 15 ммоль/г олеата натрия и 10 ммоль/г боргидрида натрия. Реакция протекает без перемешивания. Изобретение позволяет получать в высоковязких средах и пленках ансамбли покрытых лигандной оболочкой наночастиц с низкой степенью агрегации. 4 пр.
Изобретение относится к области фотолитографии, а именно к способу изготовления резистивных масок для нанолитографии. Способ включает восстановление серебра с образованием наночастиц серебра и последующую стимуляцию процесса термической полимеризации капролактама на поверхности полученных наночастиц с помощью лазерного возбуждения в них плазмонных колебаний. При этом для пространственной локализации процесса восстановления серебра используют STED-метод. Изобретение позволяет получить резистивные маски с минимальным размером элементов до 10 нм. 1 табл., 1 ил.
Изобретение может быть использовано при создании эффективных устройств для отображения алфавитно-цифровой и графической информации. Актуальность создания алфавитно-цифровых дисплеев нового поколения обусловлена растущим потоком визуальной информации и прогрессом в компьютерной технике. Предлагается конструкция квантово-точечного светоизлучающего органического диода с монослоем полупроводниковых квантовых точек, расположенным на расстоянии от электрон-проводящего и дырочно-проводящего слоев, определяемым выражением, связывающим ферстеровский радиус и радиус квантовой точки. Активный элемент представляет собой монослой двухкомпонентных (ядро-оболочка) полупроводниковых наночастиц, обладающих возможностью изменения диаметра полупроводникового ядра в пределах 2.0-6.0 нм и толщины полупроводниковой оболочки в пределах 1.0-3.0 нм для регулирования области излучения в пределах 400-650 нм видимого спектра. Изобретение обеспечивает возможность создания максимально эффективных с точки зрения передачи энергии возбуждения от донора к активному слою, стабильных светоизлучающих органических диодов с регулируемым спектром излучения в видимом диапазоне длин волн, что особенно важно для создания алфавитно-цифровых дисплеев нового поколения. 2 ил., 1 табл.
Изобретение относится к новым комплексным соединениям редкоземельных элементов, которые могут быть использованы в качестве активных слоев органических светоизлучающих диодов, оптико-электронных устройств, а также флуоресцентных меток и маркеров
Изобретение относится к новым комплексным соединениям редкоземельных элементов, которые могут быть использованы в качестве активных слоев органических светоизлучающих диодов, оптико-электронных устройств, а также флуоресцентных меток и маркеров
Изобретение относится к комплексному соединению редкоземельных элементов общей формулы [Ln(L1)3L2 ] где Ln - ион трехвалентного редкоземельного элемента, например Nd, Pr, Sm, Eu, Tb, Dy, Ho, Tm, Er, Yb; L1 - дикетонатный лиганд, являющийся производным 1,3-дипиразолилпропандиона-1,3 общей формулы где R1, R3 - алкильный, фторалкильный, арильный, циклоалкильный или гетероциклический заместитель, R2, R4 - атом водорода, алкильный, фторалкильный, арильный, циклоалкильный или гетероциклический заместитель, атом галогена, CF3 или NO2 -группа
ЛЮМИНЕСЦИРУЮЩИЕ КОМПЛЕКСНЫЕ СОЕДИНЕНИЯ РЗЭ С ПИРАЗОЛСОДЕРЖАЩИМИ 1,3-ДИКЕТОНАМИ И СПОСОБ ИХ ПОЛУЧЕНИЯ // 2469041
Изобретение относится к комплексному соединению редкоземельных элементов общей формулы , где Ln - ион трехвалентного редкоземельного элемента, например Nd, Рr, Sm, Eu, Tb, Dy, Но, Tm, Er, Yb; L1 - дикетонатный лиганд, являющийся производным 1,3-дипиразолилпропандиона-1,3 общей формулы
Изобретение относится к области оптики, в частности к электролюминесцирующим наноструктурам, и может быть использовано при создании эффективных устройств для отображения алфавитно-цифровой и графической информации
ЭКСИТОН-ПЛАЗМОННЫЙ НАНОИЗЛУЧАТЕЛЬ // 2417483
Изобретение относится к области оптики, в частности к электролюминесцентным наноструктурам, и может быть использовано при создании эффективных светоизлучающих устройств
ОРГАНИЧЕСКИЙ СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИЙ ДИОД // 2408957
Изобретение относится к области физики органических полупроводников, в частности к многослойным органическим светоизлучающим диодам (ОСИД), и может быть использовано при создании альтернативных источников освещения и дисплеев нового поколения, создании органического светоизлучающего диода, сохраняющего работоспособность в течение длительного времени
Изобретение относится к способам и устройствам для получения тонких пленок координационных соединений
ЭЛЕМЕНТ ТРОИЧНОЙ ЛОГИКИ // 2388111
Изобретение относится к области физики полупроводников, в частности к полупроводниковым наноструктурам, и может быть использовано при создании высокоэффективных компьютеров, использующих троичную логику
ФОТОАКТИВНЫЙ ЭЛЕМЕНТ // 2384916
Изобретение относится к области физики полупроводников, в частности к полупроводниковым наноструктурам, и может быть использовано при создании альтернативных источников энергии
Изобретение относится к химической и электронной отраслям промышленности, а конкретно к разветвленным полифениленам и способу их получения
