Патенты автора Черковец Владимир Евгеньевич (RU)

Устройство относится к радиоизотопной энергетике и может быть использовано в энергетических установках, предназначенных для длительной автономной работы в труднодоступных и малонаселенных районах Земли, а также в условиях космического пространства. Устройство содержит замкнутый газодинамический контур с рабочим газом - ксеноном, радиоизотопный излучатель, фото- и термоэлектрический преобразователи, теплоотводящие пластины и радиатор. В фотопреобразователе энергия световых квантов, испускаемых рабочим газом при его альфа- или бета-облучении, частично превращается в электрическую энергию. Благодаря наличию замкнутого газодинамического контура и термоэлектрического преобразователя тепловая энергия, выделяющаяся в различных конструктивных узлах генератора, также частично преобразуется в электрическую энергию. В газодинамическом контуре может быть размещена крыльчатка, соединенная с электрическим генератором. Технический результат - увеличение общего КПД атомной батареи. 9 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к устройству и способу последовательного нанесения многослойного покрытия для защиты от разрушения цилиндрических конструкционных элементов ядерных реакторов, в частности оболочек тепловыделяющих элементов (твэл). Устройство для нанесения покрытия оболочек твэл включает в себя камеру осаждения, имеющую по меньшей мере одну зону нагрева. Через зону нагрева перемещается подложка, представляющая собой оболочку твэл ядерного реактора, набор, не менее чем двух мишеней. На каждую из мишеней по меньшей мере периодически воздействует сфокусированный пучок импульсно-периодического лазера. Каждая мишень имеет покрытие, формирующее материал защитного слоя на подложке. Устройство также имеет механизм для перемещения сфокусированного лазерного пучка в направлении линейного сканирования поверхности мишени, от которой отделяется материал и осаждается на подложке в зоне осаждения, расположенной в зоне нагрева. Каждая из мишеней закреплена на валу вращения и имеет осевую симметрию относительно оси вращения, параллельной направлению перемещения подложки через зону нагрева. В способе нанесения покрытий оболочек твэл перемещают протяженную оболочку через зону нагрева. Кроме того, одновременно или попеременно воздействуют импульсно-периодическим сфокусированным лазерным пучком и непрерывно вращают мишени. Техническим результатом изобретения является возможность создания экономичного точно контролируемого производства многослойных покрытий с широким спектром осаждаемых материалов, обеспечивающего высокие адгезию, коррозионную стойкость, износостойкость и надежность защитного покрытия оболочек твэл ядерного реактора. 2 н. и 16 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к области высокотемпературной сверхпроводимости и может использоваться для изготовления ленточных высокотемпературных сверхпроводников второго поколения. Сущность: устройство для нанесения сверхпроводящих слоев содержит камеру осаждения с зоной нагрева, через которую перемещается протяженная подложка; импульсно-периодический лазер, сфокусированный на мишень, имеющую покрытие из сверхпроводящего материала; механизм для перемещения импульсного лазерного луча по поверхности мишени, от которой в результате импульсной лазерной абляции отделяется материал и ударяет в нагреваемую протяженную подложку; механизм перемещения мишени, и блок управления последовательных движений лазерного луча и перемещения мишени. Технический результат достигается за счет того, что механизм перемещения мишени содержит постоянно вращающийся вал, на котором закреплена мишень, имеющая осевую симметрию относительно оси вращения, параллельной направлению перемещения подложки через зону нагрева. Технический результат: упрощение устройства при обеспечении возможности повышения скорости нанесения сверхпроводящих слоев. 2 н. и 1 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к области водородной энергетики - аккумулированию и хранению водорода, который в настоящее время используется в химическом и транспортном машиностроении, а также других отраслях промышленности

 


Наверх