Патенты автора Панин Геннадий Николаевич (RU)
Способ получения пленки графена на подложке // 2614289
Изобретение относится к химии, оптоэлектронике и нанотехнологии и может быть использовано при изготовлении прозрачных электродов и приборов наноэлектроники. В кварцевый реактор помещают подложку - Х-срез пьезоэлектрического кристалла, например, La3Ga5,5Ta0,5O14, плоскости (110) которого параллельны поверхности кристалла. Реактор вакуумируют до 10-3-10-8 Торр и нагревают до 900-1450 °С. Затем в реактор напускают углеродсодержащий газ, например ацетилен, метан или этилен, до 10-10-1 Торр. Через 15-100 мин после напуска углеродсодержащего газа реактор откачивают до 3·10-6 Торр с одновременным охлаждением до комнатной температуры. Изобретение позволяет упростить процесс и снизить температуру получения однородных качественных пленок графена. 4 з.п. ф-лы, 2 ил., 3 пр.
Изобретение относится к области микро- и наноэлектроники и может быть использовано для разработки новых более совершенных наноприборов, таких как фотодетекторы, сенсоры, полевые транзисторы, светодиоды и т.д
СТРУКТУРА ГЕТЕРОГЕННОГО р-n ПЕРЕХОДА НА ОСНОВЕ НАНОСТЕРЖНЕЙ ОКСИДА ЦИНКА И ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ПЛЕНКИ // 2323872
Изобретение относится к области микро- и наноэлектроники и может быть использовано для разработки новых наноприборов на основе р-n перехода, таких как фотодетекторы, сенсоры, полевые транзисторы, светодиоды и т.д
