Патенты автора Гитикчиев Магомед Ахмедович (RU)
Изобретение относится к оборудованию для получения многослойных структур для микро-, нано- и оптоэлектроники ионно-плазменным методом
Изобретение относится к устройствам для получения твердых растворов карбида кремния с нитридом алюминия, используемых в производстве силовых, СВЧ- и оптоэлектронных приборов, работающих при высокой температуре и в агрессивных средах
ДВУХПУЧКОВЫЙ ИОННЫЙ ИСТОЧНИК // 2407100
Изобретение относится к плазменной технике, а именно к источникам получения пучка ионов, и может быть использовано в ионно-лучевых технологиях для модификации поверхностей изделий и для нанесения на них тонких пленок SiC, AIN, твердых растворов на их основе и т.д
Изобретение относится к устройствам для получения полупроводников и предназначено, в частности, для производства коротковолновых оптоэлектронных полупроводниковых приборов, работающих при высоких температурах в агрессивных средах
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПЛЕНКИ НИТРИДА АЛЮМИНИЯ НА САПФИРОВОЙ ПОДЛОЖКЕ И УСТАНОВКА ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ // 2388107
Изобретение относится к технологии получения пленок нитрида алюминия
Изобретение относится к оборудованию для получения микроэлектронных устройств методом ионного распыления
ПЕЧЬ ДЛЯ ЭПИТАКСИИ КАРБИДА КРЕМНИЯ // 2330128
Изобретение относится к электротермическому оборудованию и предназначено, в частности, для производства монокристаллов карбида кремния эпитаксией из газовой фазы
ТИГЕЛЬ ДЛЯ ЭПИТАКСИИ КАРБИДА КРЕМНИЯ // 2324019
Изобретение относится к материалам электронной техники, в частности к технологии производства монокристаллов карбида кремния эпитаксией из газовой фазы
