Патенты автора Филиппенко Людмила Викторовна (RU)
Гетероструктура на основе джозефсоновского туннельного перехода сверхпроводник - изолятор - сверхпроводник (СИС) включает подложку из кремния, первый, второй и третий слои ниобия, разделенные барьерным слоем, и элемент интегрального шунтирования СИС перехода. Элемент интегрального шунтирования выполнен в виде перехода сверхпроводник - изолятор - нормальный металл (СИН), расположенного соосно упомянутому СИС переходу, причем величина радиуса r СИН перехода выбрана из условия заданной степени шунтирования. Первый слой ниобия размещен на подложке, поверх него размещен первый слой алюминия с образованным барьерным слоем из двуокиси алюминия и второй слой алюминия, в центральной части которого размещен второй слой ниобия с внешним радиусом r1, совместно образующие СИН переход. Третий слой ниобия контактирует только со вторым слоем ниобия и отделен от упомянутой структуры слоем двуокиси кремния. Технический результат -обеспечение большей компактности при расширении частотного диапазона работы джозефсоновских туннельных переходов. 1 з.п. ф-лы, 11 ил.
Использование: для приема и генерации излучения в диапазоне частот 100 ГГц - 1 ТГц. Сущность изобретения заключается в том, что криогенный перестраиваемый генератор гетеродина субтерагерцового диапазона для интегральных приемных систем на основе РДП, изготовленный на подложке из кристаллического изолирующего материала, обратная сторона которой выполнена шероховатой с размерами неоднородностей, соизмеримыми с длиной звуковой волны субтерагерцового диапазона в кристаллической подложке, согласно изобретению введены поглощающие резисторы, изготовленные из материала с удельным сопротивлением в диапазоне 2-50 мкОм⋅см, расположенные в микрополосковой линии вокруг генератора, позволяющие увеличить параметр затухания α в РДП, что обеспечивает дополнительное поглощение и тем самым подавление ступеней Фиске в резонансном режиме работы. Технический результат: обеспечение возможности плавной перестройки генератора и сохранения оптимальной ширины линии генерации во всем диапазоне частот для реализации системы ФАПЧ. 5 з.п. ф-лы, 8 ил.
Использование: для изготовления сверхпроводниковых туннельных переходов, джозефсоновских переходов. Сущность изобретения заключается в том, что наносят без разрыва вакуума трехслойную структуру сверхпроводник - изолятор - нормальный металл (СИН контакт); наносят резист, проводят экспозицию, проявление; селективное химическое или ионное травление трехслойной структуры, после стравливания трехслойной структуры проводят планаризацию поверхности напылением через маску диэлектрика толщиной, равной толщине трехслойной структуры, после чего удаляют диэлектрик вне области туннельных переходов и наносят тонкую пленку перемычки (абсорбера) из нормального металла или другого сверхпроводника, при этом этот слой перемычки наносится на планаризованную поверхность и может быть существенно тоньше предыдущих слоев, менее 10 нм. Технический результат: обеспечение возможности повышения воспроизводимости многоэлементных интегральных сверхпроводниковых схем, снятия ограничения на форму площади переходов, толщину верхнего электрода, устранения паразитных закороток. 4 н.п. ф-лы, 1 ил.
Изобретение относится к сверхпроводниковой электронике и может быть использовано при создании терагерцовых спектрометров, предназначенных для радиоастрономии, исследования атмосферы Земли, медицинской диагностики, а также для систем контроля и обеспечения безопасности. Техническим результатом изобретения является реализация непрерывной перестройки частоты криогенного генератора для обеспечения возможности фазовой подстройки частоты к опорному синтезатору на произвольной частоте во всем диапазоне перестройки. В криогенном генераторе гетеродина для интегральных приемных устройств субтерагерцового диапазона на основе распределенного туннельного перехода сверхпроводник-изолятор-сверхпроводник, изготовленного на подложке из кристаллического изолирующего материала, обратная сторона подложки выполнена шероховатой, с размером неоднородностей соизмеримой с длиной звуковой волны субтерагерцового диапазона в кристаллической подложке. 6 з.п. ф-лы, 7 ил.
Изобретение относится к сверхпроводниковой электронике
