Патенты автора Локтионов Владимир Ильич (RU)

Изобретение относится к области фотоэлектронных приборов и может быть использовано для изготовления ионно-барьерной пленки на входной поверхности микроканальной пластины при изготовлении фотоэлектронных приборов. Способ изготовления ионно-барьерной пленки на микроканальной пластине, имеющей проводящее электродное покрытие на её входной поверхности, включает нанесение тонкой полимерной пленки поверх проводящего электродного покрытия, нанесение ионно-барьерной пленки поверх тонкой полимерной пленки. Ионно-барьерную пленку выполняют тонкой из материала с атомной массой не более 30, непрозрачного для положительных ионов и прозрачного для ультрафиолетового излучения с длиной волны не более 250⋅10 метров. Ионно-барьерную пленку облучают ультрафиолетовым излучением с длиной волны не более 250⋅10 метров в кислородсодержащей среде при температуре не выше 100°С. Изобретение позволяет повысить степень электронной проницаемости ионно-барьерной пленки при работе микроканальной пластины в фотоэлектронном приборе. 6 з.п. ф-лы.

Изобретение относится к фотоэлектронным приборам, а более конкретно к вакуумным корпусам фотоэлектронных приборов, и может быть использовано в конструкциях таких упомянутых фотоэлектронных приборов, как фотоэлектронные умножители, детекторы фотонов, телевизионные передающие трубки, электронно-оптические преобразователи. Вакуумный корпус фотоэлектронного прибора содержит боковую трубку с воображаемой центральной осью, с внутренней периферийной поверхностью, с внешней периферийной поверхностью и с концевой частью на ее конце в направлении воображаемой центральной оси. Также вакуумный корпус фотоэлектронного прибора содержит торцевую панель, прикрепленную к концевой части боковой трубки и представляющую собой электродный узел фотоэлектронного прибора. Также вакуумный корпус фотоэлектронного прибора содержит уплотнение, выполненное из индийсодержащего металлического материала между концевой частью боковой трубки и торцевой панелью. Концевая часть боковой трубки выполнена из стали нержавеющей хромистой ферритной и имеет торцевую поверхность, а торцевая панель прижата к торцевой поверхности концевой части боковой трубки для деформации индийсодержащего металлического материала и герметизации соединения между боковой трубкой и торцевой панелью. Технический результат - повышение точности позиционирования электродов фотоэлектронного прибора относительно друг друга, уменьшение вероятности растрескивания электродного узла, выполненного с применением стекла, повышении степени герметичности вакуумного корпуса, уменьшении вероятности попадания частиц металлического материала во внутреннее пространство вакуумного корпуса и возникновения обусловленных этим коротких замыканий и автоэмиссионных процессов внутри вакуумного корпуса, а также в исключении дополнительных металлических покрытий вокруг границ торцевой поверхности концевой части боковой трубки. 6 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к фотокатодным узлам вакуумных фотоэлектронных приборов, работающих в ультрафиолетовой области спектра и содержащих фотокатод на основе нитридных соединений галлия, и может быть использовано в конструкциях электронно-оптических преобразователей с прямым переносом изображения, фотоэлектронных умножителей и координатно-чувствительных детекторов с микроканальным усилением, изготавливаемых методом раздельной обработки фотокатодной и корпусных частей. В фотокатодном узле вакуумного фотоэлектронного прибора с полупрозрачным фотокатодом на внутренней поверхности входного окна, выполненного в виде диска из сапфира, выращены слои гетероэпитаксиальной структуры нитридных соединений галлия в качестве полупрозрачного фотокатода. На внешней поверхности входного окна по его периферии вакуумно-плотно закреплен выполненный из биметалла элемент сочленения входного окна с корпусом вакуумного фотоэлектронного прибора. Слой биметалла, не соприкасающийся с внешней поверхностью входного окна, состоит из материала с температурным коэффициентом линейного расширения, отличающимся от температурного коэффициента линейного расширения сапфира не более чем на 10% в интервале температур от 20°C до 200°C. Технический результат - расширение области применения фотокатодного узла вакуумного фотоэлектронного прибора с полупрозрачным фотокатодом, повышение уровня квантового выхода полупрозрачного фотокатода фотокатодного узла вакуумного фотоэлектронного прибора. 5 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к электронной технике, в частности к устройству низкоуровневой телевизионной камеры наблюдения, использующей в качестве усилителя яркости электронно-оптический преобразователь (ЭОП) (1), и к устройству ЭОП для нее

 


Наверх