Патенты автора Дерябин Александр Николаевич (RU)

Изобретение относится к области производства подложек из лейкосапфира для гетероэпитаксии нитридов III группы

Изобретение относится к способам разделения монокристаллов на пластины, которые в дальнейшем применяются для изготовления подложек, используемых в производстве различных оптоэлектронных элементов и устройств
Изобретение относится к области очистки сапфировых подложек для гетероэпитаксии нитридов III группы, которые в дальнейшем применяются для изготовления различных оптоэлектронных элементов и устройств
Изобретение относится к полупроводниковой технике
Изобретение относится к полупроводниковой технике
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано в микроэлектронике и оптике при производстве пластин из полупроводниковых и оптических материалов, особенно из материалов с повышенной твердостью и хрупкостью, например из сапфира

 


Наверх