Патенты автора Леонов Алексей Владимирович (RU)
Ячейка памяти статического оперативного запоминающего устройства с радиоактивным источником питания // 2777553
Изобретение относится к наноэлектронике и служит для создания энергонезависимого статического оперативного запоминающего устройства с произвольной выборкой информации. Техническим результатом является уменьшение энергопотребления и повышение степени интеграции. Технический результат достигается тем, что электрическая схема 4-транзисторной ячейки памяти статического оперативного запоминающего устройства с радиоактивным источником питания содержит общую шину, шину питания, адресную шину, первую и вторую разрядные шины, первый и второй управляющие n(р)-МОП транзисторы, первый и второй переключающие n(р)-МОП транзисторы и использует встроенный в матрицу ОЗУ ПВ радиоактивный источник излучения в качестве генератора фототоков в нагрузочных диодах триггерной ячейки. 2 з.п. ф-лы, 6 ил.
Изобретение относится к высокоточным сенсорам магнитного поля с чувствительностью до долей нанотесла, создание таких приборов расширит область их применения особенно в медицине. Конструкция преобразователя магнитного поля содержит горизонтальный биполярный транзистор n-p-n (p-n-p), расположенный на поверхности подложки, содержащий диэлектрик, область коллектора и область эмиттера n (р) типа проводимости, область базы р (n) типа проводимости, на области эмиттера размещен электрод общей шины, на области базы - электрод управляющей шины, на области коллектора - электрод выходной шины, на поверхности подложки также размещены электрод шины питания, нагрузочный резистор, соединенный соответственно первым выводом с электродом коллектора, вторым выводом с электродом шины питания, отличающаяся тем, что диэлектрик расположен на поверхности области базы, на поверхности диэлектрика расположен дополнительный электрод управляющей шины, образующий с диэлектриком и областью базы функционально интегрированную структуру МОП конденсатора, при этом сопротивление подложки образует резистор базы, а на поверхности подложки расположена область дополнительного коллектора n (р) типа проводимости, на поверхности которого расположен электрод шины питания. Изобретение обеспечивает повышение точности измерения и уменьшение энергии потребления. 13 ил.
Изобретение относится к области электротехники и может быть применено в устройствах контроля и управления, в системах освещения, автоматики и роботехники, измерительной технике
МАГНИТОЧУВСТВИТЕЛЬНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА // 2465629
Изобретение относится к области электронных датчиков магнитного поля, а более конкретно к магниточувствительным интегральным схемам (МЧИС)
БЕСКОНТАКТНЫЙ ИЗМЕРИТЕЛЬ ТОКА // 2465609
Изобретение относится к области сенсорной техники, а более конкретно к бесконтактным измерителям тока, и может быть использовано в электронике, электротехнике, системах контроля и управления, автоматике и робототехнике
МАГНИТОЧУВСТВИТЕЛЬНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА // 2328014
Изобретение относится к области электронных датчиков магнитного поля, а более конкретно к магниточувствительным интегральным схемам (МЧИС)
ДАТЧИК МАГНИТНОГО ПОЛЯ // 2328013
Изобретение относится к области первичных преобразователей магнитного поля и может быть использовано в сенсорной аппаратуре, используемой в автоэлектронике, автоматике и робототехнике, измерительной технике, системах навигации и ориентации, безопасности, экологического мониторинга
