Патенты автора Скрипниченко Александр Степанович (RU)

Изобретение относится к лазерным методам резки (фрагментирования) пластин на кристаллы и может быть использовано в микроэлектронной промышленности для фрагментирования пластин с изготовленными на них приборами. Технический результат - прецизионное фрагментирование без «выброса» и переосаждения материала подложки на сформированные приборы, стенки и окна технологической камеры. Способ лазерной фрагментации сапфировых подложек предусматривает фокусировку лазерного излучения на обрабатываемой поверхности в атмосфере в газовой среде, содержащей водород (Н2), или газовую смесь водорода (Н2) с хлористым водородом (HCl) (Н2+HCl), или газовую смесь аргона (Ar) и хлористого водорода (HCl) (Ar+HCl), или газовую смесь водорода (Н2) с хлористым водородом (HCl) и аргоном (Ar) (Н2+Ar+HCl), при этом химические реакции инициируются как за счет термических процессов диссоциации газовых компонент, так и за счет образования плазмы в атмосфере чистого водорода (Н2) или смеси аргона с хлористым водородом (Ar+HCl) при давлении от 760 Торр (атмосферного) до 1⋅10-3 Торр.

Изобретение относится к лазерным методам резки пластин и может быть использовано в микроэлектронной промышленности для резки алмазных, карбидкремниевых, кремниевых и других подложек с изготовленными на них приборами. Технический результат - прецизионная лазерная резка без «выброса» и переосаждения материала подложек на сформированные приборы, стенки и окна технологической камеры. Способ лазерной резки алмазных подложек предусматривает фокусировку лазерного излучения на обрабатываемой поверхности в атмосфере в газовой смеси, содержащей соединения фтора, при этом химические реакции инициируются как за счет термических процессов диссоциации газовых компонент, так и за счет образования плазмы в атмосфере чистого фтора или чистого фтористого водорода при давлении от атмосферного до 1·•10-2 Торр. 1 ил.

Изобретение относится к вакуумной электронике и может быть использовано в клистронах, мощных СВЧ лампах и устройствах защиты от мощных СВЧ импульсов

Изобретение относится к устройствам генерации технологической плазмы и может быть использовано для проведения процессов осаждения, травления, окисления, имплантации (неглубоких слоев), сжигания органических масок на различных подложках в области электроники, наноэлектроники, при производстве медицинских инструментов, сенсорных устройств т.п
Изобретение относится к устройствам формирования наноразмерных объектов

 


Наверх