Патенты автора Чувилина Елена Львовна (RU)
Изобретение относится к монокристаллическим оптическим неорганическим материалам, которые могут использоваться в оптической технике. Оптический материал представляет собой монокристаллический моноиодид индия InI ромбической сингонии с областью спектрального пропускания до 51 мкм. Способ получения InI включает предварительную очистку исходной шихты методом ректификации, выращивание монокристалла методом Бриджмена со скоростью протяжки не более 2,0 мм/ч в кварцевой ампуле из стекла «пирекс», отделение от конечной части выращенного кристалла мутной части и четырехкратную кристаллофизическую очистку полученного на предыдущей стадии высокочистого материала путем повторного выращивания кристалла с промежуточным отделением конечной мутной части кристалла после каждой очистки. Изобретение позволяет получать монокристаллы InI, прозрачные от видимого до дальнего инфракрасного диапазона спектра, отличающиеся негигроскопичностью. 2 н.п. ф-лы, 3 ил., 1 табл., 6 пр.
Изобретение относится к новым неорганическим кристаллическим сцинтилляционным материалам на основе бромида лантана, легированного церием, и может быть использовано для регистрации ионизирующего излучения – гамма-квантов, рентгеновского излучения, космических излучений, элементарных частиц в фундаментальной физике, технике и медицине. Неорганический монокристаллический сцинтиллятор имеет состав La(1-m)CemBr(3-2k)Оk, где m - мольная доля церия, замещающего La, больше 0, но меньше или равно 1; k - мольная доля кислорода, замещающего бром, находится в пределах от 1.5⋅10-4 до 8⋅10-4. Технический результат заключается в повышенной механической прочности (повышение трещиностойкости, уменьшение хрупкости) кристаллического сцинтиллятора, в особенности диаметром 15 мм и более, с сохранением высоких сцинтилляционных характеристик. 1 табл., 8 пр.
Изобретение относится к неорганической химии и касается получения моноиодида индия высокой чистоты. Способ получения моноиодида индия высокой чистоты не требует исходных материалов высокой чистоты. Способ включает взаимодействие металлического индия, взятого с 10% стехиометрическим избытком, с йодом при атмосферном давлении в кварцевой установке при температуре 400±5°C с последующей очисткой синтезированного продукта ректификацией. Ректификацию проводят в атмосфере аргона в той же установке, в которой ведут синтез. Максимально возможный выход продукта составляет 85-88%. Изобретение позволяет упростить процесс получения моноиодида индия высокой чистоты, повысить производительность и обеспечить экологическую чистоту процесса. 2 з.п. ф-лы, 4 ил., 1 табл., 7 пр.
Изобретение относится к химической технологии редких и тугоплавких металлов, а именно к способам очистки тетрахлорида гафния от сопутствующих примесей, включая цирконий, восстановлением их тетрахлоридов
Изобретение относится к химической технологии редких и тугоплавких металлов, а именно к способам разделения циркония и гафния из смеси их тетрахлоридов ректификацией
