Патенты автора Гудымович Елена Никифоровна (RU)
Изобретение относится к области микроэлектроники и применимо в фотолитографических процессах. Предложена композиция для химического травления пленок диоксида кремния в фотолитографическом процессе, включающая поливиниловый спирт в качестве полимерной основы и фторид аммония в качестве травящего компонента, а также дополнительно растворитель - воду при следующем соотношении компонентов, мас.%: поливиниловый спирт - 10; фторид аммония - 0,7-2,0; вода - 88,0-89,3. 5 пр.
Изобретение может быть использовано при производстве интегральных микросхем и других электронных устройств, использующих планарную технологию их изготовления, основанную на фотолитографических процессах. Композиция для фотоактивированного травления пленок диоксида кремния включает полимерную основу - полиметилметакрилат, фоточувствительный компонент - фторид аммония в растворе трифторуксусной кислоты, растворитель - ацетон, протофильный реагент - дифениламин. Изобретение позволяет упростить технологический процесс получения фотолитографического рисунка на слое кремния, увеличить скорость фототравления, существенно уменьшить дефекты получаемых изделий. 1 табл., 4 пр.
Изобретение относится к области производства интегральных микросхем и других электронных устройств, использующих планарную технологию их изготовления, основанную на фотолитографических процессах. Фотоактивированная композиция включает полимерную основу и фоточувствительный компонент. В качестве полимерной основы композиция содержит полиметилметакрилат, в качестве фоточувствительного компонента фторид аммония. Дополнительно композиция содержит протофильный реагент - α-нафтиламин и растворители - ацетон и трифторуксусную кислоту. Соотношение компонентов следующее, мас.%: полиметилметакрилат - 11,8; фторид аммония - 4,7-7,1; α-нафтиламин - 18,3; ацетон - 8,3-10,7; трифторуксусная кислота - 54,5. Использование композиции позволяет упростить технологический процесс получения фотолитографического рисунка в слое кремния, при этом исключаются стадии проявления, задубливания и жидкостного химического травления. Упрощение технологического процесса при использовании предложенной композиции позволяет также существенно уменьшить дефекты получаемых изделий. 3 пр.
Изобретение относится к области производства интегральных схем, основанной на переносе изображения фотолитографическим способом с использованием фотошаблонов
Изобретение относится к области производства интегральных микросхем и других электронных устройств, использующих планарную технологию их изготовления, основанную на фотолитографических процессах
