Патенты автора Гоник Михаил Александрович (RU)
Изобретение относится к выращиванию легированных монокристаллов полупроводников из расплава замораживанием при температурном градиенте с использованием нагревательного элемента, находящегося в контакте с расплавленной зоной, перемещение которого осуществляется в процессе цикла кристаллизация и направлено на получение крупногабаритных слитков германия в виде дисков и пластин с высокой однородностью распределения в них легирующей примеси по сечению и высоте. Сущность изобретения состоит в том, что до начала процесса кристаллизации, а именно после расплавления загрузки с лигатурой, расплав в тигле интенсивно перемешивают за счет преимущественного нагрева донным нагревателем снизу, что приводит к возникновению интенсивной естественной конвекции со структурой ячеек Бернара вдоль всего тонкого слоя расплавленного германия, когда его высота значительно меньше диаметра. Такой характер течения в течение нескольких часов приводит к полному перемешиванию примеси, что позволяет начать кристаллизацию из полностью однородного по составу расплава. Наоборот, кристаллизацию ведут при преимущественном нагреве тигля с расплавом сверху с помощью ОТФ-нагревателя, который постоянно находится в контакте с расплавом, что исключает возникновение конвекции Марангони, а следовательно, и вообще конвекции в целом в таком тонком слое расплава. Как результат, затвердевший слиток германия практически полностью однороден по сечению (за исключением нескольких миллиметров на краях). Предложено устройство для реализации данного способа, которое предусматривает в конструкции тигля приточку в боковой стенке тигля и пазов в ней, позволяющих осуществлению перетока избытка расплава, образующегося при плавлении загрузки и затвердевании расплава, из тигля в резервуар, образованный стенками тигля и ОТФ-нагревателя, обеспечивая постоянный его контакт с расплавом. 2 н.п. ф-лы, 9 ил., 3 пр.
Изобретение относится к области выращивания полупроводниковых материалов, в частности крупногабаритных бездислокационных монокристаллов германия или кремния методом Чохральского с использованием нагревательного элемента, находящегося в контакте с расплавленной зоной, форма которой вблизи вытягиваемого кристалла и его сечение управляется за счет нагревания расплава и регулирования теплоотвода от кристаллизуемого материала и направлено на их выращивание размером, максимально приближенным по диаметру к диаметру используемого тигля. Достигается это применением погруженного в расплав ОТФ-нагревателя, который с одной стороны позволяет создать на фронте кристаллизации необходимую величину осевого температурного градиента, а с другой - изменить (ламинизировать) характер течения вблизи растущего кристалла, исключая тем самым появление связанных с неоднородным течением структурных дефектов. ОТФ-нагреватель обеспечивает создание благоприятных для роста кристаллов тепловых условий на всем своем сечении вплоть до стенок тигля, который или сам ОТФ-нагреватель играют роль формообразователя. За счет конструкции составного тигля, в котором донышко перемещается относительно обечайки, решается вопрос с поддержанием расплава на одном и том же уровне. А в случае применения питающих стержней, собранных в полый цилиндр, их используют в качестве перемещаемого теплового экрана, который наряду с дополнительным подогревом верхней части тигля предотвращает теплоотвод с поверхности кристалла, начиная от фронта кристаллизации, на высоту не менее его диаметра, что позволяет создать в этой части кристалла одномерное поле температуры, исключающее формирование дислокаций. Как результат, затвердевший слиток практически полностью однороден по сечению за исключением нескольких миллиметров на краях. Предложено устройство для реализации способа. 2 н. и 5 з.п. ф-лы, 9 ил., 4 пр.
Изобретение относится к выращиванию монокристаллов из расплава зонной плавкой при температурном градиенте с использованием нагревательного элемента, находящегося в контакте с расплавленной зоной, форма которой управляется, а подпитка осуществляется с помощью механизма для перемещения загрузки
Изобретение относится к технике выращивания монокристаллов из расплава в температурном градиенте с использованием нагревательного элемента, погруженного в расплавленную зону
Изобретение относится к выращиванию из расплава монокристаллов в температурном градиенте с использованием нагревательного элемента, погруженного в расплавленную зону
Изобретение относится к технологии выращивания монокристаллов из расплава в температурном градиенте с использованием нагревательного элемента, погруженного в расплавленную зону
Изобретение относится к выращиванию монокристаллов из расплава в температурном градиенте с использованием устройства для передвижения расплава и кристалла
Изобретение относится к выращиванию из расплава монокристаллов галогенидов, а именно иодида натрия или цезия, в температурном градиенте и с использованием нагревательного элемента, погруженного в расплав
Изобретение относится к выращиванию из расплава легированных монокристаллов германия в температурном градиенте с использованием нагревательного элемента, погруженного в расплав
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ Cd1-xZn xTe, где 0 х 1 // 2330126
Изобретение относится к технологии выращивания монокристаллов Cd1-xZnxTe, где 0 x 1 из расплава под высоким давлением инертного газа
