Патенты автора Макеев Виктор Владимирович (RU)
Многокристальный модуль // 2702705
Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении многоуровневых многокристальных модулей в трехмерной сборке с повышенными эксплуатационными характеристиками. Многоуровневый многокристальный модуль содержит по меньшей мере две монтажные платы и две одинаковые по планарным габаритным размерам коммутационные платы, которые вместе с электронными компонентами образуют уровень модуля. Уровни модуля соединены между собой механически и электрически с помощью коммутационных рамок тех же планарных размеров, что и коммутационные платы. Число рамок для межсоединения уровней модуля выбирают достаточным для размещения в образующейся внутренней полости электронных компонентов. Присоединение каждого нового уровня к числу уже имеющихся в модуле воспроизводит конфигурацию поверхности стыковки, поэтому модуль обладает открытой архитектурой и позволяет наращивание уровней в нем. Для того чтобы обеспечить унификацию коммутационной платы, монтаж электронных компонентов на нее выполняется через монтажную плату с оригинальной топологией горизонтальной электрической разводки. Для того чтобы обеспечить возможность беспроволочной коммутации монтажной платы с коммутационной платой, в последней выполняется сквозное окно несколько меньшее, чем монтажная плата. Монтажная плата устанавливается на коммутационную плату так, чтобы компоненты электроники оказались в окне коммутационной платы, а соответствующие контуры контактных площадок монтажной и коммутационной плат совпали. В такой ситуации горизонтальная электрическая разводка коммутационной платы заключается лишь в коммутации контактных площадок ее внешнего и внутреннего контуров, т.е. она перестает быть оригинальной и пригодна для использования в модулях с другим набором электронных компонентов. 2 н. и 1 з.п. ф-лы, 10 ил.
Изобретение относится к области нанесения тонких диэлектрических пленок для создания устройств микро- и наноэлектроники на основе перспективных материалов, в частности элементов энергонезависимой памяти на основе явления сегнетоэлектричества (FeRAM, ferroelectric random access memory) с деструктивным считыванием, к которому предъявляются жесткие требования к ресурсу, времени хранения информации и энергоемкости. В основе изобретения лежит способ нанесения тонкой пленки многокомпонентного оксида гафния и циркония методом атомно-слоевого осаждения из металлоорганических прекурсоров гафния Hf[N(CH3)(C2H5)]4 (ТЕМАН) и циркония Zr[N(CH3)(C2H5)]4 (TEMAZ) на нижний электрод в виде смеси из двух металлоорганических реагентов ТЕМАН и TEMAZ, подаваемой из общего прогреваемого контейнера. Повышение электрофизических характеристик сегнетоэлектрического конденсатора является техническим результатом изобретения. 1 з.п. ф-лы, 3 ил., 4 пр.
Изобретение относится к технике контроля полупроводников
