Патенты автора Кузин Александр Юрьевич (RU)
Изобретение относится к области растровой электронной микроскопии. В изобретении используется принцип фотограмметрической обработки изображений, полученных в растровом электронном микроскопе при различных углах наклона исследуемого образца. Сущность изобретения: на поверхности исследуемого образца предварительно формируется островковая пленка, создающая контраст на изображении, результаты фотограмметрической обработки изображений корректируются на значения индивидуальной высоты островков, определяемых на плоском участке поверхности. Технический результат - повышение точности результатов трехмерной реконструкции. 1 з.п. ф-лы, 5 ил.
Способ количественной трехмерной реконструкции поверхности кремниевых микро- и наноструктур // 2622896
Изобретение относится к области растровой электронной микроскопии. В изобретении используется принцип фотограмметрической обработки изображений, полученных в растровом электронном микроскопе при различных углах наклона исследуемого объекта. Сущность изобретения: исследуемая кремниевая структура предварительно подвергается плазменной обработке при помощи высокочастотного разряда пониженного давления, причем мощность разряда и продолжительность обработки устанавливаются достаточными для возникновения и визуализации в растровом электронном микроскопе морфологических особенностей нанометрового масштаба на поверхности исследуемого объекта. Технический результат - повышение точности результатов трехмерной реконструкции. 1 ил.
Изобретение относится к области калибровки просвечивающих электронных микроскопов (ПЭМ) при измерениях в нано- и субнанометровом диапазонах. Тестовый объект выполнен в виде держателя образцов с несколькими местами крепления исследуемых объектов, в одном из которых расположена эталонная структура, выполненная в виде тонкого поперечного среза кремниевой структуры с периодической рельефной поверхностью, имеющей известное межплоскостное расстояние и известные размеры трапециевидных элементов рельефа. Техническим результатом является повышение точности калибровки ПЭМ, обеспечивающее повышение точности измерений с помощью ПЭМ длин отрезков, характеризующих профиль элемента рельефа в широком диапазоне длин (0.3-2000 нм), а также одновременное определение масштабного коэффициента ПЭМ по двум осям и степени линейности и ортогональности этих осей. 9 ил.
Изобретение относится к радиолокационным измерениям и может быть использовано для контроля характеристик диаграммы направленности (ДН) фазированной антенной решетки (ФАР) с дискретным управлением фазами токов возбуждения излучателей с помощью р-разрядных полупроводниковых фазовращателей
Изобретение относится к области радиотехники
