Патенты автора Сигов Александр Сергеевич (RU)
Изобретение относится к антенной технике и может быть использовано в радиолокации, авиации и радиосвязи для уменьшения радиолокационной заметности летательных аппаратов. Предложено устройство, которое представляет собой щелевую антенну, выполненную из отрезка прямоугольного волновода с расположенными в ряд щелями в широкой стенке волновода, на поверхности которой расположена прямоугольная пластина, выполненная из неселективного поглощающего покрытия, представляющего собой полимерную основу, содержащую наноструктурированные проводящие нити из полуметаллов, причем длина и ширина пластины превосходят соответствующие размеры широкой стенки волновода антенны на величину не менее (1/16)λ, где λ - рабочая длина волны щелевой антенны, а толщина пластины не превышает величину (1/8)λ, при этом пластина содержит отверстия, положение и форма которых соответствуют щелям антенны с соблюдением их общего геометрического подобия, с размерами, превосходящими размеры щелей антенны так, чтобы обеспечить выступ краев отверстий пластины за края щелей на величину не более (1/100)λ, и установлена так, чтобы отверстия в пластине и щели в антенне располагались соосно друг напротив друга. Изобретение обеспечивает снижение эффективной площади рассеяния щелевой антенны при сохранении ее излучательных и приемных свойств. 4 ил., 1 табл.
Изобретение относится к физике коллоидов и может быть использовано для определения функции распределения коллоидных частиц по размерам. Заявлен способ измерения функции распределения коллоидных частиц по размерам в водных растворах, включающий помещение исследуемого коллоидного раствора в ячейку, представляющую собой плоский конденсатор, поляризацию раствора под действием внешнего электрического поля с напряженностью 1-103 В/см, измерение характеристик среды, их компьютерную обработку. Согласно изобретению измеряемыми характеристиками среды являются частотная зависимость импеданса Z(ω) и угла ϕ(ω) сдвига фаз, на основе которых компьютерной обработкой получают выражение для действительной ε' и мнимой ε'' диэлектрических проницаемостей, сумма которых описывается формулой
где E - напряженность электрического поля, di, ni и τi - дипольный момент, концентрация частиц в суспензии и время релаксации частиц i-го типа, а дипольный момент является функцией радиуса частицы di=d(ri), из полученного выражения для диэлектрических проницаемостей компьютерной обработкой производят построение гистограммы распределения коллоидных частиц, ордината которой пропорциональна радиусу ri коллоидной частицы i-го типа, а центр столбца по оси абсцисс расположен в значении средней концентрации частиц i-го типа. Технический результат - повышение точности и надежности определения распределения по размерам коллоидных частиц.
ШИРОКОПОЛОСНЫЙ ИЗМЕРИТЕЛЬНЫЙ ПРИЕМНИК ИЗЛУЧЕНИЯ МИЛЛИМЕТРОВОГО ДИАПАЗОНА С НЕЗАВИСИМОЙ КАЛИБРОВКОЙ // 2616721
Устройство предназначено для измерения плотности потока энергии электромагнитного излучения в миллиметровом диапазоне длин волн и может быть также использовано в качестве образцового приемника для калибровки средств измерения. Приемник представляет собой тонкопленочный, с известным коэффициентом поглощения излучения, выполненный из полуметалла резистивный микроболометр, расположенный на тонкой мембране. Сущность изобретения заключается в том, что тонкопленочный резистивный элемент с известным коэффициентом поглощения и температурным коэффициентом сопротивления одновременно является термочувствительным элементом и поглотителем, что позволяет независимо калибровать устройство синусоидальным электрическим током для определения его вольт-ваттной чувствительности. Технический результат состоит в том, что предлагаемое устройство позволяет измерять плотность потока измерения в широком диапазоне длин волн ММ области спектра с повышенной чувствительностью и заданным быстродействием без применения эталонных средств калибровки по излучению. 1 ил.
Изобретение может быть использовано в микроэлектронике при изготовлении широкого класса управляемых электрическим полем элементов, в частности для производства энергонезависимых сегнетоэлектрических запоминающих устройств. Для изготовления сегнетоэлектрического конденсатора на подложку (1) напыляют нижний электрод (2), на который послойно наносят пленкообразующий раствор на основе цирконата-титаната свинца с послойными сушкой и пиролизом для формирования нескольких слоев твердого раствора (3-1)…(3-n). Сформированные несколько слоев твердого раствора (3-1)…(3-n) подвергают кристаллизации (4) для получения сегнетоэлектрической пленки (5). На сегнетоэлектрическую пленку (5) напыляют верхний электрод (6). В пленкообразующий раствор на основе цирконата-титаната свинца для формирования слоя твердого раствора (3-1), примыкающего к нижнему электроду, вводят 0÷7%-ный избыток свинца сверх стехиометрии, а в пленкообразующий раствор на основе цирконата-титаната свинца для формирования остальных слоев твердого раствора (3-2)…3-n вводят 8÷30%-ный избыток свинца сверх стехиометрии. Изобретение обеспечивает улучшение электрических свойств сегнетоэлектрической пленки (5) на основе цирконата-титаната свинца: повышает остаточную поляризацию, увеличивает диэлектрическую нелинейность и снижает токи утечки. 8 з.п. ф-лы, 6 ил., 2 пр.
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ НАНОСТРУКТУИРОВАННЫХ СЛОЕВ МАГНИТНЫХ МАТЕРИАЛОВ НА КРЕМНИИ ДЛЯ СПИНТРОНИКИ // 2522956
Изобретение относится к области электротехники, в частности к способам получения магнитных сред для записи информации с высокой плотностью. Способ получения наноструктурированных слоев магнитных материалов на кремнии для спинтроники включает магнетронное распыление составной мишени, состоящей из кремния 85-99% и ферромагнитного металла 1-15%, при этом магнетронное распыление проводят в среде аргона, давление в рабочей камере во время распыления составляет (6÷7)×10-3 Па, давление аргона в магнетроне - (6÷7)×10-1 Па, скорость нанесения слоя гетерогенной смеси магнитного материал (22÷25) нм/с, плазмохимическое травление во фторсодержащей плазме при давлении азота в рабочей камере 4÷4,5 Па, скорости травления слоя (10÷12) нм/с, и термическую обработку в вакууме 0,5×10-3 Па, температуре 300-400оС, длительностью 10-15 мин. Повышение однородности распределения компонентов в мелкозернистом слое ноноструктурированной магнитной пленке является техническим результатом изобретения. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.
ПРИЕМНИК ИК-ИЗЛУЧЕНИЯ БОЛОМЕТРИЧЕСКОГО ТИПА // 2515417
Изобретение относится к области создания детекторов инфракрасного излучения и касается болометрического ИК-детектора. Детектор состоит из мембраны площадью S с термочувствительным элементом (ТЧЭ) и поглотителем электромагнитной энергии (ПЭЭ), прикрепленной к подложке с помощью токопроводящих шинок. Функции (ТЧЭ) и (ПЭЭ) объединены в одном элементе, который выполнен в виде 2N периодических решеток, ориентированных взаимно перпендикулярно друг к другу. Решетки состоят из n тонкопленочных монокристальных полосок, изготовленных из Bi1-xSbx (0<x<12), и представляют собой n фазированных антенн с периодом L=λ/2. Параметры болометра удовлетворяют следующим соотношениям: Δλ≤(λ/n+λR0/2Z), τ<20a×b/χ, R0/2Z<0,5, где Δλ - интервал регистрируемых длин волн на основной длине волны λ, Z=120π Ом - импеданс свободного пространства, χ - температуропроводность среды, непосредственно контактирующей с мембраной, а - ширина, b - длина полосок, Ro - сопротивление квадратного участка поверхности полоски, τ - время выхода на стационарное состояние при воздействии прямоугольного импульса электромагнитной энергии. Технический результат заключается в повышении быстродействия устройства. 1 ил.
Изобретение относится к области создания детекторов инфракрасного излучения и касается болометрического ИК-детектора. Детектор состоит из мембраны площадью S с термочувствительным элементом (ТЧЭ) и поглотителем электромагнитной энергии (ПЭЭ), прикрепленной к подложке с помощью токопроводящих шинок. ТЧЭ и ПЭЭ объединены в одном элементе, который выполнен в виде покрытия из тонкопленочного монокристального материала Bi1-xSbx (0<x<12). Покрытие максимально покрывает поверхность мембраны и включает полоску, которая отделена зазорами шириной l от остальной части покрытия за исключением концов полоски, соединенных с остальной частью покрытия. Кроме того, покрытие разделено щелью на две части, электрически соединенные указанной полоской. Параметры болометра удовлетворяют следующим соотношениям: R/2Z<1, где R - удельное поверхностное сопротивление пленки, Z=120π Ом - импеданс свободного пространства; S/χ1>l2/χ2, где χ1 - температуропроводность среды, непосредственно контактирующей с мембраной, χ2 - температуропроводность материала мембраны. Технический результат заключается в упрощении конструкции и повышении удельной обнаружительной способности устройства. 1 ил.
СПОСОБ ЗАПИСИ И ВОСПРОИЗВЕДЕНИЯ ИНФОРМАЦИИ // 2510084
Предложен способ записи и воспроизведения информации. В способе воздействуют на поверхность записываемого слоя образца циркулярно-поляризованным светом, вводимым в волновод ближнепольным сканирующим оптическим микроскопом. В качестве образца используют наноструктурированную пленку силицидов переходных металлов на кремнии. Образец исследуют методом магнитно-силовой микроскопии на пригодность с минимальным разрешением, обеспечивающим отображение наноструктуры образца, причем размер наноструктур не должен превышать 50 нм. Образец должен обладать магнитным откликом и находиться в однодоменном состоянии намагниченности. Поверхность образца прецизионно сближают с оптическим зондом с оптической эффективностью не хуже 10-6 и подвергают воздействию циркулярно-поляризованным излучением с энергией светового воздействия не менее 3 мДж/см2, мощностью непрерывного излучения ~1 мВт. Считывание информации осуществляют с помощью сканирующего зонда микроскопа в режиме магнитно-силовой микроскопии в полуконтактном режиме путем идентификации магнитных свойств наноструктурированной пленки. Техническим результатом является повышение плотности записи информации. 1 з.п. ф-лы, 4 ил.
Изобретение относится к области химического синтеза гетерометаллических пленкообразующих растворов, базирующихся на совместном использовании алкоксидных и карбоксилатных производных металлов
Изобретение относится к области химического синтеза карбоксилатов свинца, применяемых для получения оксидных твердых растворов, а именно к способам получения безводного ацетата свинца (II) для приготовления безводных пленкообразующих растворов цирконата-титаната свинца, и может быть использовано в технологии микроэлектроники и, в частности, для производства энергонезависимых сегнетоэлектрических запоминающих устройств
Изобретение относится к области химического синтеза металлосодержащих растворов сложного состава, включающих как алкоксидные, так и карбоксилатные производные металлов, применяемых для получения оксидных твердых растворов с использованием золь-гель технологии, а именно к способам приготовления безводных пленкообразующих растворов для формирования сегнетоэлектрических пленок цирконата-титаната свинца с низкой температурой кристаллизации и может быть использовано в технологии микроэлектроники и, в частности, для производства энергонезависимых радиационно-стойких сегнетоэлектрических запоминающих устройств
Изобретение относится к области химического синтеза металлосодержащих растворов сложного состава, включающих как алкоксидные, так и карбоксилатные производные металлов, применяемых для получения оксидных твердых растворов с использованием золь-гель технологии, а именно к способам приготовления безводных пленкообразующих растворов для формирования сегнетоэлектрических пленок цирконата-титаната свинца, и может быть использовано в технологии микроэлектроники и, в частности, для производства энергонезависимых сегнетоэлектрических запоминающих устройств
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ФЕРРОМАГНИТНОЙ ПЛЕНКИ ИЗ НАНОКЛАСТЕРОВ СИЛИЦИДОВ НА ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЕВОЙ ПОДЛОЖКИ // 2458181
Изобретение относится к плазменной технологии, а именно к способам получения ферромагнитных пленок из нанокластеров силицидов на поверхности кремниевой подложки методом локализованного газового разряда Ar и может быть использовано при получении базовых элементов спинтроники
ТОНКОПЛЕНОЧНЫЙ ТЕПЛОВОЙ ДАТЧИК С ВОЛНОВОДНЫМ ВХОДОМ ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ МОЩНОСТИ ИМПУЛЬСНОГО СВЧ ИЗЛУЧЕНИЯ // 2447453
Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для измерения величины потока импульсного излучения в СВЧ и миллиметровом диапазонах
Изобретение относится к области нанотехнологии для оптоэлектроники
Изобретение относится к деревообрабатывающей промышленности, в частности к устройствам для дистанционного контроля влажности пиломатериала
