Патенты автора Грехов Игорь Всеволодович (RU)
Изобретение относится к технологии изготовления мощных полупроводниковых приборов, точнее к технологии изготовления биполярных мощных кремниевых высоковольтных диодов, транзисторов и тиристоров
ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР // 2395869
Изобретение относится к области мощных высоковольтных приборов и может быть использовано для создания элементной базы преобразовательных устройств
Изобретение относится к области электронной техники, а более конкретно - к технологии создания высоковольтных полупроводниковых диодов, и может быть использовано для создания интегрированных Шоттки-pn диодов на основе карбида кремния
Изобретение относится к области полупроводниковых приборов, конкретно - к конструкции высоковольтных выпрямительных диодов типа диодов Шоттки на основе карбида кремния
СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ ДЛЯ ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА С ОПТИЧЕСКИМ СЧИТЫВАНИЕМ ИНФОРМАЦИИ // 2338284
Изобретение относится к области электроники и может быть использовано при конструировании датчиков оптического излучения видимой области спектра и преобразователей солнечной энергии
ЗАПИРАЕМЫЙ ТИРИСТОР И СПОСОБ ЕГО РАБОТЫ // 2335824
Изобретение относится к области мощных полупроводниковых приборов
