Патенты автора Володин Владимир Алексеевич (RU)
Изобретение относится к технике накопления информации, к вычислительной технике, в частности к элементам резистивной памяти, к элементам памяти электрически перепрограммируемых постоянных запоминающих устройств, сохраняющих информацию при отключенном питании, и может быть использовано при создании устройств памяти, например вычислительных машин, микропроцессоров, электронных паспортов, электронных карточек. Способ получения активной структуры элемента энергонезависимой резистивной памяти включает изготовление на подложке примыкающих друг к другу слоя, обеспечивающего формирование наноконтактов для реализации филаментарного механизма проводимости, и активного слоя, обеспечивающего филаментарный механизм проводимости. Слой, обеспечивающий формирование наноконтактов для реализации филаментарного механизма проводимости, изготавливают с образованием системы слоев в составе туннельно-тонкого слоя сплошного диэлектрика и слоя диэлектрика со встроенными нанокластерами полупроводника толщиной, равной диаметру нанокластеров. На подложку осаждают слой гидрогенизированного аморфного кремния а-Si:H. Затем проводят прокисление в кислородосодержащей плазме со стороны его поверхности, которая доступна для воздействия плазмы, приводящее к получению диэлектрика - нестехиометрического оксида кремния. Осуществляют частичное прокисление, за счет механизма островкового роста обеспечивающее образование системы слоев в составе туннельно-тонкого слоя сплошного нестехиометрического оксида кремния и примыкающего к нему слоя в виде непрерывного перколяционного кластера нестехиометрического оксида кремния со встроенными в него нанокластерами аморфного полупроводника - гидрогенизированного аморфного кремния a-Si:H толщиной, равной диаметру указанных нанокластеров. После этого прокисление прекращают, чем завершают изготовление слоя, обеспечивающего формирование наноконтактов для реализации филаментарного механизма проводимости. Либо завершают изготовление последующей термообработкой системы указанных слоев, приводящей к выходу водорода, трансформации нестехиометрического оксида кремния в стехиометрический оксид кремния с диффузией избытка атомов полупроводника - кремния к встроенным нанокластерам, трансформации гидрогенизированного аморфного кремния a-Si:H нанокластеров в аморфный кремний. Изобретение обеспечивает снижение величины напряжения формовки вплоть до достижения нулевого значения; предотвращение возможного выхода из строя элемента памяти; повышение стабильности и повторяемости характеристик; снижение напряжения переключения. 5 з.п. ф-лы, 3 ил., 5 пр.
Изобретение относится к области полупроводниковой, органической и гибридной оптоэлектроники и может быть использовано в системах обработки оптической информации. Техническим результатом изобретения является реализация возможности монолитного изготовления линеек и матриц органических фотоприемников в варианте с активным усилением малого заряда и тока фотопроводимости, что позволит усилить сигнал от ячейки фотоприемника, а также избежать гибридной сборки. В устройстве для усиления сигнала от ячейки матричного фотоприемника фоточувствительная ячейка и усилитель, выполненный как тонкопленочный полевой транзистор, изготовлены монолитно на общей подложке прозрачной в диапазоне детектируемого излучения. Кроме того, в фоточувствительной ячейке фоточувствительный органический слой выполнен из органических материалов на основе полиметиновых красителей. 4 з.п. ф-лы, 4 ил.
Изобретение относится к области исследования материалов с помощью оптических средств, а также к технологии изготовления полупроводниковых приборов - для контроля водорода в материале при создании приборов и структур. В отношении образца с тестируемым материалом регистрируют спектр комбинационного рассеяния света в геометрии обратного рассеяния. Измерения проводят в диапазоне частот колебаний связей между атомами тестируемого твердотельного материала и связей между атомами тестируемого твердотельного материала и водорода. Когерентное излучение направляют на полупрозрачное зеркало, расположенное между образцом и спектрометром под углом, с возможностью подачи излучения от зеркала на образец в направлении нормали к поверхности тестируемого материала, а отраженного образцом излучения - на спектрометр. Падающее излучение линейно поляризовано. Поляризация рассеянного света совпадает с поляризаций падающего излучения. Используют излучение лазера видимого диапазона от 400 до 800 нм в непрерывном режиме, с мощностью, обеспечивающей отношение сигнал к шуму в спектрах комбинационного рассеяния света от 10 и более. При выборе образца с тестируемым материалом подложки из стекла или кремния с выполненным слоем диоксида кремния и нанесенным на нее слоем аморфного кремния с содержанием атомного водорода от 5 до 50%, толщиной от 30 до 1000 нм регистрируют спектр в диапазоне от 200 до 550 см-1 и от 1900 до 2200 см-1, соответственно, частот колебаний связей Si-Si и связей Si-H. За счет использования геометрии обратного рассеяния снимается ограничение в отношении ассортимента подложек и толщин слоев при получении данных для контроля водорода в твердотельном материале по концентрации и его состоянию как в отношении слоев или приборных структур, формирование которых закончено, так и непосредственно в процессе формирования. 4 з.п. ф-лы, 2 ил.
Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано при изготовлении микро-, наноэлектронных и оптоэлектронных устройств, в частности тонкопленочных транзисторов, ячеек энергонезависимой памяти, солнечных элементов
Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано при изготовлении микро-, наноэлектронных и оптоэлектронных устройств
СПОСОБ СОЗДАНИЯ ПЛЕНОК ГЕРМАНИЯ // 2336593
Изобретение относится к полупроводниковой технологии, а именно к технологии устройств наноэлектроники, микроэлектроники, и может быть использовано при создании микроэлектронных и микроэлектромеханических систем, в частности микро-, нанопроцессоров и наномпьютеров
