Патенты автора Бачурин Виктор Васильевич (RU)
Изобретение относится к электронной полупроводниковой технике и направлено на создание рентабельного базового процесса изготовления мощных кремниевых СВЧ LDMOS транзисторов с диапазоном рабочих частот до 3,0…3,6 ГГц на более доступном и менее дорогостоящем технологическом оборудовании. Это достигается тем, что в известном способе изготовления мощных кремниевых СВЧ LDMOS транзисторов с модернизированным затворным узлом элементарных ячеек, включающем создание сквозных истоковых р+-перемычек элементарных транзисторных ячеек в высокоомном эпитаксиальном р--слое исходной кремниевой р-р+-подложки, выращивание подзатворного диэлектрика на лицевой поверхности подложки, нанесение на подзатворный диэлектрик слоя поликремния и легирование его фосфором, нанесение на поликремний тугоплавкого металла, формирование полицида тугоплавкого металла, создание из полицида тугоплавкого металла и расположенного под ним слоя поликремния методом фотолитографии полицидных электродов затвора элементарных ячеек в виде узких протяженных продольных зубцов прямоугольного сечения, создание в высокоомном р--слое подложки р-карманов, многоступенчатых слаболегироваиных n--областей стока и высоколегированных n+-областей стока и истока элементарных ячеек посредством внедрения в подложку соответственно ионов бора, фосфора и мышьяка при использовании в качестве защитной маски полицидных электродов затвора и слоев фоторезиста и последующего диффузионного перераспределения внедренных в подложку примесей, поэтапное осаждение многоуровневого межслойного диэлектрика на лицевую поверхность подложки и поэтапное вскрытие в нем контактных окон над высоколегированными р+-перемычками, высоколегированными n+-областями стока и истока и точечно над полицидными электродами затвора элементарных ячеек, формирование многоуровневых металлических электродов стока и шунтирующих шин затвора, а также заземленных на исток экранирующих электродов элементарных ячеек на лицевой поверхности подложки и общего металлического электрода истока транзисторной структуры на ее тыльной стороне, сначала создают узкие полицидные продольные зубцы затворного узла элементарных ячеек и используют их в качестве защитной маски при внедрении в подложку ионов бора, фосфора и мышьяка при формировании соответственно р-карманов, многоступенчатых слаболегированных n--областей стока и высоколегированных n+-областей стока и истока элементарных ячеек, а металлические проводники, точечно шунтирующие продольные полицидные затворные зубцы элементарных ячеек формируют одновременно с 1-ым уровнем шунтирующих шин затвора транзисторной структуры над сквозными истоковыми р+-перемычками в высокоомном эпитаксиальном р--слое подложки и из того же материала. 7 ил.
Изобретение относится к электронной технике. В способе изготовления мощных кремниевых СВЧ LDMOS транзисторов нанесенный на подзатворный диэлектрик поликремний покрывают тугоплавким металлом, высокотемпературным отжигом формируют полицид тугоплавкого металла на поверхности поликремния, методом фотолитографии создают из полицида тугоплавкого металла и расположенного под ним слоя поликремния полицидные затворные зубцы элементарных ячеек с прилегающими к ним со стороны истока ответвленными контактными площадками и используют их в качестве защитной маски при внедрении в подложку ионов бора, фосфора и мышьяка при формировании соответственно p-карманов, многоступенчатых слаболегированных n--областей стока и высоколегированных n+-областей стока и истока элементарных ячеек, а точечное шунтирование полицидных затворных зубцов ячеек металлическими шинами осуществляют через примыкающие к затворным зубцам полицидные ответвленные контактные площадки, причем в высокоомном эпитаксиальном p--слое подложки под ответвленными контактными площадками поликремниевых затворных зубцов формируют дополнительные локальные высоколегированные n+-области с более высокой степенью легирования по сравнению с p-карманами элементарных ячеек. Изобретение обеспечивает создание современной базовой нанотехнологии изготовления мощных кремниевых СВЧ LDMOS транзисторов с диапазоном рабочих частот до 3,0-3,6 ГГц на более доступном и менее дорогостоящем технологическом оборудовании. 7 ил.
Изобретение относится к электронной полупроводниковой технике и направлено на создание базового процесса изготовления мощных кремниевых СВЧ LDMOS структур и транзисторов на более доступном и менее дорогостоящем технологическом оборудовании, способных работать в диапазоне частот до 3,0-3,6 ГГц при повышенных напряжениях питания по стоку. В способе изготовления транзисторной СВЧ LDMOS структуры нанесенный на подзатворный диэлектрик поликремний покрывают тугоплавким металлом, формируют полицид тугоплавкого металла, наносят на лицевую сторону подложки защитный слой фоторезиста, вскрывают окна в защитном слое фоторезиста, полициде тугоплавкого металла, поликремнии и подзатворном диэлектрике над истоковыми p+-перемычками и прилегающими к ним участками высокоомного p--слоя подложки и формируют таким образом вначале только истоковые боковые грани полицидных электродов затвора транзисторных ячеек, затем через вскрытые окна внедряют в подложку ионы бора, удаляют фоторезист с лицевой поверхности подложки и последующей диффузионной разгонкой внедренной в подложку примеси создают р-карманы элементарных ячеек, удаляют полицид тугоплавкого металла и поликремний с лицевой поверхности подложки в промежутке между р-карманами транзисторных ячеек и формируют стоковые боковые грани полицидных затворных зубцов и полицидные электроды затвора элементарных ячеек в целом, потом в высокоомном эпитаксиальном р--слое подложки у истоковых и в промежутке между стоковыми боковыми гранями полицидных электродов затвора создают высоколегированные истоковые n+-области и соответственно высоколегированные и многоступенчатые слаболегированные n-области стока элементарных ячеек, после этого в межслойном диэлектрике формируют металлические экранирующие электроды транзисторных ячеек, а полицидные затворные зубцы ячеек точечно шунтируют общими металлическими шинами затвора, сформированными на верхней поверхности многоуровневого межслойного диэлектрика над истоковыми p+-перемычками элементарных ячеек. 5 ил.
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СВЧ LDMOS ТРАНЗИСТОРОВ // 2498448
Изобретение относится к электронной полупроводниковой технике и обеспечивает создание способа изготовления мощных кремниевых СВЧ LDMOS транзисторов с уменьшенным шагом транзисторной ячейки, улучшенными частотными и энергетическими параметрами и повышенным процентом выхода годных структур. В способе изготовления СВЧ LDMOS транзисторов, включающем создание сквозных диффузионных истоковых p+-перемычек элементарных транзисторных ячеек в высокоомном эпитаксиальном p--слое исходной кремниевой p-p+-подложки, выращивание подзатворного диэлектрика и формирование поликремниевых электродов затвора элементарных ячеек на поверхности высокоомного p--слоя подложки, создание p-карманов элементарных ячеек в высокоомном p--слое подложки посредством внедрения ионов бора в подложку с использованием в качестве защитной маски поликремниевых электродов затвора и слоев фоторезиста и последующего диффузионного перераспределения внедренной примеси, после создания p-карманов подзатворный диэлектрик между поликремниевыми электродами затвора элементарных ячеек утоняют до толщины 100…300 Å, на лицевую сторону подложки наносят первый защитный слой фоторезиста, вскрывают одновременно два окна в первом защитном слое фоторезиста соответственно в месте дислокации высоколегированных n+-областей стока и истока элементарных ячеек и внедряют через них в подложку ионы фосфора с дозой 0,2…0,6 мкКл/см2 и энергией 80…140 кэВ и ионы мышьяка с дозой 400…500 мкКл/см2 и энергией 40…80 КэВ, затем вскрывают второе стоковое окно и через второе стоковое окно имплаптируют в подложку ионы фосфора с той же дозой и энергией, что и в первое стоковое окно, далее вскрывают третье стоковое окно и через третье стоковое окно внедряют в подложку ионы фосфора с меньшей дозой и энергией, чем во второе стоковое окно, затем аналогичным образом формируют последующие ступени слаболегированных n--областей стока элементарных ячеек, причем в каждую следующую ступень ионы фосфора имплантируют с меньшей дозой и энергией по сравнению с предыдущей, после этого удаляют остатки защитного слоя фоторезиста с лицевой стороны подложки и проводят одновременную диффузионную разгонку внедренных в подложку примесей фосфора и мышьяка. 7 ил., 1 табл.
Изобретение относится к электронной полупроводниковой технике
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СВЧ LDMOS ТРАНЗИСТОРОВ // 2439744
Изобретение относится к электронной полупроводниковой технике и направлено на улучшение электрических параметров СВЧ мощных кремниевых генераторных LDMOS транзисторов, повышение их стойкости к воздействию ионизирующих излучений и повышение процента выхода годных изделий
Изобретение относится к электронной полупроводниковой технике
Изобретение относится к полупроводниковой технологии и направлено на повышение величины энергии лавинного пробоя, стойкости к воздействию ионизирующих излучений, расширение области безопасной работы и функциональных возможностей мощных кремниевых транзисторов
