Патенты автора Бычков Сергей Сергеевич (RU)

МОЩНЫЙ СВЧ LDMOS ТРАНЗИСТОР И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ // 2473150

Изобретение относится к электронной полупроводниковой технике

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СВЧ LDMOS ТРАНЗИСТОРОВ // 2439744

Изобретение относится к электронной полупроводниковой технике и направлено на улучшение электрических параметров СВЧ мощных кремниевых генераторных LDMOS транзисторов, повышение их стойкости к воздействию ионизирующих излучений и повышение процента выхода годных изделий

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СВЧ МОЩНЫХ ПОЛЕВЫХ LDMOS ТРАНЗИСТОРОВ // 2364984

Изобретение относится к электронной полупроводниковой технике

СВЧ LDMOS-ТРАНЗИСТОР // 2338297

Изобретение относится к электронной полупроводниковой технике