Патенты автора Пекарчук Татьяна Николаевна (RU)
Изобретение относится к электронной полупроводниковой технике
Изобретение относится к электронной полупроводниковой технике и направлено на улучшение электрических параметров СВЧ мощных кремниевых генераторных LDMOS транзисторов, повышение их стойкости к воздействию ионизирующих излучений и повышение процента выхода годных изделий
Изобретение относится к электронной полупроводниковой технике
Изобретение относится к полупроводниковой технологии и направлено на повышение величины энергии лавинного пробоя, стойкости к воздействию ионизирующих излучений, расширение области безопасной работы и функциональных возможностей мощных кремниевых транзисторов
Изобретение относится к электронной полупроводниковой технике