Патенты автора Иванова Валентина Ивановна (RU)

Изобретение относится к области оптической техники, в частности к устройству одностороннего пропускания терагерцового излучения на основе эффекта Фарадея, и может быть использовано в качестве элемента оптической развязки. Устройство на основе эффекта Фарадея для одностороннего пропускания терагерцового излучения в диапазоне частот от 0,1 до 0,65 ТГц, содержащее входной поляризатор, элемент, вращающий плоскость поляризации, и выходной поляризатор, закреплённые вдоль оптической оси с помощью держателя из немагнитного материала. Вращающий плоскость поляризации элемент представляет собой высокоплотный намагниченный до насыщения гексаферрит бария-алюминия М-типа. Достигается снижение пропускания ТГц излучения в нежелательном, обратном направлении до уровня не более 1% при одновременно высоком пропускании. 8 з.п. ф-лы, 5 ил.

Изобретение относится к материалам электронной техники и может быть использовано в производстве диэлектрических фильтров, антенных подложек и различных электронных компонентов для изделий СВЧ-техники. Предлагаемый керамический материал содержит следующие компоненты, вес.%: СаО 19,9÷25,0; Gd2O3 53,8÷62,0; Al2O3 15,2÷17,4; TiO2 - остальное. Технический результат изобретения - получение термостабильного керамического материала, температурный коэффициент частоты которого изменяется в пределах (0±6)⋅10-6 1/град с малыми диэлектрическими потерями tgδε≤2,5⋅10-4 при сохранении величины диэлектрической проницаемости ε'=20±1,0. Предлагаемый материал позволяет создавать малогабаритные объемные керамические резонаторы и фильтры, тем самым расширяя номенклатуру современных селективных устройств, и способствует дальнейшей миниатюризации аппаратуры мобильной и космической связи. 1 табл., 6 пр.

Изобретение относится к радиоэлектронной технике и касается создания гексаферритовых магнитомягких материалов для индуктивных элементов дециметрового и сантиметрового частотного диапазонов. Гексаферритовый материал содержит следующее соотношение компонентов, вес.%: BaO - 18,21÷18,23; CoO - 5,95÷7,45; TiO2 - 0,10÷1,60; Fe2O3 - остальное. Изобретение позволяет получить магнитомягкий гексаферритовый материал с магнитной проницаемостью μн=10±2. 2 табл.

Изобретение относится к созданию анизотропных гексаферритов для миллиметрового диапазона. Техническим результатом является получение гексаферритового материала с полями анизотропии На~7-13 кЭ. Ферритовый материал содержит 6,75÷6,85 вес.% (SrO) оксида стронция, 9,75÷9,90 вес.% (NiO) оксида никеля, 0,45÷10,00 вес.% (Cr2O3) оксида хрома. При этом материал дополнительно содержит 0,10÷2,10 вес.% (Mn2O3) оксида марганца, 0,10÷4,60 вес.% (Sc2O3) оксида скандия, остальное вес.% (Fe2O3) оксида железа. 1 табл., 9 пр.

Изобретение относится к радиоэлектронной технике, а именно к материалам, предназначенным для использования в высокочастотном и сверхвысокочастотном диапазонах. Предлагаемый керамический материал содержит следующие компоненты, вес. %: MgO 6,2-13,0; Al2O3 23,4-33,3; ZnO 1,3-12,5; Mn2O3 1,2-12,1; SiO2 - остальное. Технический результат изобретения - получение керамического материала с низким уровнем диэлектрических потерь tgδε ≤4⋅10-4, при сохранении низкой величины диэлектрической проницаемости ε΄ 4,0±0,2 и влагопоглощения ≤0,1%. Предлагаемый материал позволит расширить номенклатуру материалов и создаваемых на их основе современных высокодобротных радиоэлектронных устройств. 9 пр., 2 табл.

Изобретение относится к радиоэлектронной технике. Технический результат изобретения заключается в получении плотного керамического материала с низкой диэлектрической проницаемостью ε′=4,2±0,2, сравнимой с органическими диэлектриками, с малыми диэлектрическими потерями tgδε≤7·10-4 и влагопоглощением менее 0,1%. Керамический материал с низкой диэлектрической проницаемостью содержит, вес. %: MgO 13,8-6,40; Al2O3 32,0-35,6; ZnO 0,2-13,5; SiO2 - остальное. 2 табл.

Изобретение относится к радиоэлектронной технике и касается создания ферритовых материалов с большими величинами ширины линии спиновых волн, предназначенных для использования в СВЧ диапазоне, в том числе при изготовлении ферритов для приборов высокого уровня мощности сантиметрового диапазона длин волн. Ферритовый материал с большой шириной линии спиновых волн содержит в качестве базового состава оксиды железа, гадолиния и иттрия, и дополнительно оксид самария, при следующем соотношении компонентов, вес.%: оксид иттрия (Y2O3) - 27,2÷27,5, оксид гадолиния (Gd2O3) - 22,4÷22,6, оксид самария (Sm2O3) - 1,1÷1,2, оксид железа (Fe2O3) - остальное. Увеличение ширины линии спиновых волн с намагниченностью насыщения материала 1200 Гс, шириной кривой ферромагнитного резонанса - 140 Э, действительной составляющей диэлектрической проницаемости - 15,0, тангенсом угла диэлектрических потерь не более 2·10-4, температурой Кюри не менее 270°, на частоте 9,5 ГГц не менее 20 эрстед, является техническим результатом изобретения. 1 табл., 9 пр.

Изобретение относится к материалам электронной техники и может быть использовано в производстве термостабильных керамических резонаторов, подложек, фильтров и изделий СВЧ-техники. Предлагаемый керамический материал дополнительно содержит оксид празеодима при следующем соотношении компонентов, вес %: ВаО - 13.2-16.7, PbO - 2.6-6.7, Bi2O3 - 8.3-19.0, Pr2O3 - 24.7-33.4, TiO2 - остальное. Технический результат изобретения - получение термостабильного керамического материала, температурный коэффициент частоты которого изменяется не более чем от минус 10×10-6 до +10×10-6 1/град с малыми диэлектрическими потерями tgδε≤5×10-4 при сохранении величины диэлектрической проницаемости ε'=100-130. Предлагаемый материал позволяет создавать малогабаритные объемные керамические резонаторы и фильтры, тем самым расширяя номенклатуру современных селективных устройств, и способствует дальнейшей миниатюризации устройств мобильной связи. 1 табл.

Изобретение относится к материалам электронной техники и может быть использовано в производстве термостабильных керамических резонаторов, подложек, фильтров и изделий СВЧ-техники

Изобретение относится к области радиоэлектроники, в частности к способу получения марганец-цинковых ферритов с низкими магнитными потерями для сильных магнитных полей на частотах до 3 МГц, предназначенных для изготовления низкопрофильных трансформаторов в модулях источников вторичного электропитания Активных Фазированных Антенных Решеток (АФАР)
Изобретение относится к порошковой металлургии, в частности к способам изготовления ферритовых материалов, предназначенных для работы в радиоэлектронных устройствах миллиметрового диапазона длин волн (90-150 ГГц)

 


© Патентный поиск, поиск патентов на изобретения - FindPatent.RU 2012-2024
Политика конфиденциальности
Наверх