Патенты автора Хмельницкий Роман Абрамович (RU)

Изобретение относится к способу наблюдения внутренней структуры прозрачных объектов с высоким показателем преломления, заключающемуся в том, что с помощью пресса при повышенной температуре в атмосфере инертного газа, либо в вакууме, указанный прозрачный объект размещают на по меньшей мере одной пластине из иммерсионного порошка, в состав которого входит кристаллический материал, имеющий абсолютный показатель преломления n более 2.1, и вдавливают указанный прозрачный объект в упомянутую по меньшей мере одну пластину, на гладкой поверхности по меньшей мере одной пластины формируют по меньшей мере одно оптическое окно, осуществляют наблюдение внутренней структуры указанного прозрачного объекта посредством ввода оптического излучения внутрь прозрачного объекта сквозь сформированное по меньшей мере одно оптическое окно. 7 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к области электротехники, а именно к способу создания твердой иммерсионной среды для наблюдения внутренней структуры прозрачных объектов с высоким показателем преломления, и может быть использовано для оптической диагностики и визуализации внутренней структуры объектов методами микроскопии путем ввода оптического излучения внутрь таких объектов, в том числе для их лазерной модификации или локального оптического возбуждения. Повышение стабильности способа исследования внутренней структуры прозрачных объектов с показателями преломления более 2.1, в том числе драгоценных камней, является техническим результатом изобретения, который достигается за счет того, что прозрачный объект в пресс-форме засыпают иммерсионным порошком, в состав которого входит твердое вещество, имеющее показатель преломления n более 2.1, где n - абсолютный показатель преломления, после чего переводят иммерсионный порошок в состояние прозрачной твердой керамики путем его вакуумирования, прессования и спекания; пресс-форму с указанным иммерсионным порошком и прозрачным объектом охлаждают, извлекают из нее полученную твердую иммерсионную среду с прозрачным объектом внутри неё, после чего формируют по меньшей мере одно оптическое окно на поверхности твердой иммерсионной среды путем механической обработки - шлифовки, полировки. 3 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к способам получения монолитных соединений стержней из поликристаллических алмазов, предназначенных для использования в производстве приборов электроники, оптики, СВЧ-техники, в частности для изготовления диэлектрических опор в лампах бегущей волны (ЛБВ), использующих низкий коэффициент поглощения на частотах генерации. Способ сращивания компонентов из поликристаллических CVD-алмазов в СВЧ- плазме заключается в том, что торцы соединяемых образцов поликристаллического алмаза (ПКА) размещают на промежуточной монокристаллической алмазной подложке (ПМАП) на ростовой грани {100}, которая перпендикулярна к направлению оси сращиваемого соединения, навстречу друг другу с зазором S не менее (0,5-5,0)⋅h, где h - высота ПКА, при этом торцы ПКА выполнены со скосами с углом раскрытия α(°)=tg(Vэ.пка⋅τ)/(Vэ.мка/⋅τ), где τ - полное время роста сварного соединения, Vэ.пка - скорость встречного роста слоев на ПКА и на боковой грани {111} ПМАП, Vэ.мка - скорость эпитаксиального роста монокристаллического слоя алмаза на ростовой грани {100} ПМАП. Монолитное соединение создается методом одновременного эпитаксиального ускоренного и замедленного роста CVD-слоев на промежуточной монокристаллической алмазной подложке (ПМАП) и встречно растущих слоев на гранях ПМАП и сращиваемых торцах ПКА перпендикулярно направлению оси соединения, на оптимальном расстоянии от основания соединяемых компонентов, торцы которых выполнены со скосами, равными половине угла раскрытия монолитного неразъемного соединения α(°). Изобретение обеспечивает экономию затрат времени и средств на выращивание заготовок большого размера, замену их менее дорогостоящими заготовками меньшего размера и удовлетворяющими требованиям вырезки из них элементов стержней опор для ЛБВ, приобретающих нужную длину после сращивания. 2 ил., 2 табл., 1 пр.

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при разработке технологии алмазных электронных приборов увеличенной площади. Способ включает закрепление на подложке монокристаллических алмазных пластин с ориентацией поверхности (100) и последующее нанесение на пластины эпитаксиального алмазного слоя, при этом перед закреплением на подложке на каждой монокристаллической алмазной пластине предварительно сполировывают края, создавая усеченную четырехгранную пирамиду с верхней плоскостью, ориентированной по кристаллографической плоскости (100), и с четырьмя боковыми гранями, ориентированными по плоскостям типа {311}, каждую усеченную пирамиду соединяют с подложкой таким образом, чтобы усеченные пирамиды соприкасались друг с другом своими боковыми гранями, а затем наносят на усеченные пирамиды алмазный эпитаксиальный слой. В качестве подложки, к которой крепятся монокристаллические алмазные пластины, применяют карбид кремния. Монокристаллические алмазные пластины соединяют с подложкой при помощи припоя на основе металлов титана и меди. Способ позволяет повысить площадь монокристаллической эпитаксиальной алмазной пленки, выращиваемой на монокристаллических подложках алмаза. 2 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к области рентгенотехники и может быть использовано в различных измерительных устройствах для контроля параметров и визуализации структуры промышленных и биологических объектов. Источник содержит вакуумный корпус, облучаемый электронами, анод, генерирующий расходящийся поток излучения, окно для вывода рентгеновского излучения, средства оптической индикации пучка рентгеновского излучения, включающие источник оптического излучения и оптическое зеркало. Анод выполнен составным в виде тонкой пленки и рентгенопрозрачной подложки, люминесцирующей в оптическом диапазоне. Анодная структура является выходным окном источника, за которой установлены соосно расположенные средства коллимации и фокусировки рентгеновского и оптического излучения и средства оптической визуализации рентгеновского фокуса. Технический результат- повышение точности и информативности оптической индикации параметров рентгеновского излучения. 3 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к области рентгеновского спектрального анализа и может быть использовано для контроля спектров излучения рентгеновских источников, а также для анализа элементного состава и атомарной структуры исследуемых образцов по спектрам их поглощения

Изобретение относится к области электроники и может быть использовано при создании приборов микро- и оптоэлектроники на основе алмаза, в том числе для контроля температурного режима в элементах алмазной электроники

 


Наверх