Патенты автора Солдатенко Сергей Анатольевич (RU)
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов и может быть использовано при создании полупроводниковых приборов (фотоприемники ультрафиолетового диапазона, светоизлучающие диоды, датчики температуры и давления). Техническим результатом изобретения является получение нанокристаллической пленки карбида кремния заданной толщины на кремниевой подложке с преимуществами уменьшения времени синтеза за счет активации твердофазного синтеза фотонной обработкой излучением ксеноновых ламп. Сущность изобретения заключается в способе синтеза нанокристаллических пленок карбида кремния заданной толщины в диапазоне от 0,1 мкм до 1,2 мкм на подложке Si, включающим создание на подложке методом ионно-лучевого распыления многослойных периодических гетероструктур Si/C/…Si/С и последующий отжиг методом фотонной обработки для активации твердофазного синтеза. В качестве источника некогерентного света используют импульсные ксеноновые лампы с диапазоном излучения 0,2-1,2 мкм. Обработку кремниевой подложки с нанесенной многослойной гетероструктурой осуществляют пакетами импульсов длительностью 10-2 с в течение 1,5-3 с, плотность энергии излучения, поступающей на образец, составляет 240-284 Дж⋅см-2. 2 ил.
Изобретение относится к геофизике и может использоваться в системе мониторинга окружающей среды, сейсмического и инфразвукового мониторинга, МЧС России, контроля околоземного космического пространства для диагностики положения эпицентральной зоны потенциальных источников протяженных перемещающихся ионосферных возмущений (ПИВ). Достигаемый технический результат - повышение точности и надежности определения скорости распространения ПИВ и положения эпицентральной зоны источника ПИВ. Способ определения положения эпицентральной зоны источника и скорости распространения ПИВ заключается в том, что: принимают сетью рассредоточенных по поверхности Земли навигационных приемников, синхронизированных по времени, электромагнитные сигналы от группировки космических аппаратов (КА); передают принятые данные в центр обработки с ПЭВМ оператора на базе процессора с устройством отображения информации, где: рассчитывают время прохождения электромагнитных сигналов от каждого КА к каждому навигационному приемнику; рассчитывают характеристики псевдопозиционирования навигационных приемников; рассчитывают ошибки и изменения ошибок позиционирования навигационных приемников; определяют время прохождения фронта ПИВ, при этом: время получения сигнала о прохождении фронта ПИВ устанавливают отдельно для каждого навигационного приемника и определяют его по времени появления в течение нескольких секунд сочетания знакопеременных экстремумов ошибок его позиционирования; скорость распространения ПИВ определяют путем осреднения скоростей перемещения ПИВ между парами из трех любых заранее выбранных навигационных приемников, а положение эпицентральной зоны источника ПИВ определяют по зоне пересечения прямых, направление которых определено векторами осредненных скоростей, полученных для каждых трех заранее выбранных навигационных приемников. 7 ил.
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов и может быть использовано при создании полупроводниковых приборов. Способ получения гетероструктуры оксид титана - силицид титана на монокристаллической кремниевой подложке, покрытой нанокристаллической титановой пленкой, включает проведение фотонной обработки упомянутой подложки излучением ксеноновых ламп с диапазоном излучения 0,2-1,2 мкм в атмосфере воздуха пакетом импульсов длительностью 10-2 с в течение 2,0-2,2 с при дозе энергии в интервале 220-240 Дж·см-2 для активации реакций оксидирования и силицидобразования при формировании гетероструктуры оксид титана - силицид титана. Обеспечивается упрощение технологии, значительное сокращение времени изготовления изделия, содержащего кремниевую подложку с гетероструктурой оксид титана - силицид титана и снижается температурная нагрузка на кремниевую подложку. 2 ил., 2 пр.
Изобретение относится к технологии получения нанокристаллических пленок рутила и может быть использовано при создании полупроводниковых приборов, а также при получении защитных и других функциональных покрытий
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов и может быть использовано при создании полупроводниковых приборов
