Патенты автора Иванов Юрий Павлович (RU)

Изобретение относится к области электротехники, автоматики, электроники, микроэлектроники и может использоваться при проектировании интегральных схем, стабилизаторов напряжения, аналого-цифровых и цифроаналоговых преобразователей и других элементов автоматики. Задача, на решение которой направлено предлагаемое изобретение, заключается в создании компактного, малопотребляющего, простого в изготовлении устройства с высокой стабильностью выходного напряжения при изменении напряжения питания и температуры. Техническим результатом предлагаемого изобретения является расширение арсенала средств того же назначения, в части возможности сохранения стабильности вырабатываемого выходного опорного напряжения при изменении напряжения питания и температуры, при одновременном упрощении схемы и повышении ее однородности, снижении потребляемой мощности и уменьшении площади, занимаемой на кристалле. Указанный результат достигается за счет того, что устройство содержит первый ТР1, второй ТР2, третий ТР3 и четвертый ТР4 р-канальные МОП транзисторы, первый TN1 и второй TN2 n-канальные МОП транзисторы, первый R1 и второй R2 резисторы, вывод питания верхнего уровня VDD, вывод питания нижнего уровня VSS, вывод опорного напряжения VREF. 4 табл., 1 ил.

Изобретение относится к области нанотехнологий, в частности к методам создания ультратонких магнитных эпитаксиальных пленок на полупроводниковых подложках, и может быть использовано при создании твердотельных электронных приборов

Изобретение относится к плазменной технике, к устройствам для генерирования нейтронных пучков, в частности к генераторам разовых импульсов нейтронного и рентгеновского излучения, и предназначено для проведения ядерно-физических исследований, изучения радиационной стойкости элементов электронной аппаратуры

 


Наверх