Патенты автора Белоусов Виктор Сергеевич (RU)

Изобретение относится к области солнечной энергетики, в частности к гибким фотоэлектрическим панелям, которые могут быть использованы в качестве элементов энергетических установок сверхлегких беспилотных летательных аппаратов. Фотоэлектрическая гибкая панель представляет собой последовательно расположенные нижнюю несущую пленку, нижний армирующий слой, нижнюю скрепляющую пленку, электрически соединенные между собой кремниевые солнечные элементы, верхнюю скрепляющую пленку и верхнюю несущую пленку, причем нижние и верхние несущие и скрепляющие пленки выполнены из прозрачного для солнечного света материала, а в качестве нижнего армирующего слоя использован слой бальсы толщиной от 0,5 до 2,0 мм. Изобретение обеспечивает гладкую рабочую плоскость фотоэлектрической гибкой панели.

Изобретение относится к области светотехники, в частности к устройствам освещения и сигнализации. Техническим результатом является повышение надежности устройства и расширение его функциональности, что достигается тем, что в автономном многофункциональном светотехническом устройстве, содержащем гибкую слоистую структуру, на которой размещены цепочки полупроводниковых солнечных элементов, источник света в виде линейки светодиодов, аккумуляторная батарея и блок управления, состоящий из датчика освещенности, контроллера заряда аккумуляторной батареи и узла регулирования подачи энергии на линейки светодиодов, в качестве гибкой слоистой структуры используют гибкий фотоэлектрический модуль, солнечные элементы которого и линейки светодиодов расположены на лицевой и обратной стороне модуля, а блок управления и аккумуляторная батарея закреплены на одной из сторон модуля, причем блок управления дополнительно содержит узел звуковой сигнализации, датчики температуры и давления и двунаправленный радиомодем, при этом линейки светодиодов, аккумуляторная батарея и блок управления расположены под защитной оптически прозрачной ламинирующей пленкой, толщина которой составляет 0,2÷1,0 мм, 1 ил.
Изобретение относится к области полупроводниковой опто- и микроэлектроники и может быть использовано в электронной промышленности для создания электронных приборов и фотопреобразователей на основе полупроводниковых гетероструктур. В способе предэпитаксиальной обработки поверхности подложки из германия операцию удаления с поверхности подложки слоя естественного окисла германия и операцию очистки поверхности подложки от неорганических загрязнений осуществляют в одну стадию на установке гидромеханической отмывки с использованием раствора NH4OH:H2O2:H2O=1:1:40 в течение 2÷5 минут при температуре 19-23оС. Операцию пассивации поверхности подложки не проводят. Изобретение позволяет сократить число стадий обработки подложки при одновременном улучшении качества ее поверхности.

Изобретение относится к области солнечной энергетики, в частности к гибким фотоэлектрическим модулям, которые могут быть использованы в качестве элементов промышленного и строительного дизайна, подвергающихся упругой деформации в продольном и/или поперечном направлении (кручение или изгиб, в качестве элементов электропитания дирижаблей, аэростатов, беспилотных летательных аппаратов и т.п. Задачей изобретения является обеспечение обратимой (упругой) деформации плоскости фотоэлектрического модуля одновременно в двух и более направлениях при одновременном снижении веса и толщины модуля. Фотоэлектрический гибкий модуль представляет собой последовательно расположенные нижнюю несущую пленку, нижний армирующий слой, нижнюю скрепляющую пленку, электрически соединенные между собой солнечные элементы, верхнюю скрепляющую пленку, верхний армирующий слой и верхнюю несущую пленку, причем нижние и верхние несущие и скрепляющие пленки выполнены из прозрачного для солнечного света материала, при этом в качестве армирующих слоев используют непрозрачные для солнечного света перфорированные пленки из антиадгезивного материала, перфорация в которых выполнена в виде регулярно расположенных квадратных отверстий размером от 0,8×0,8 мм до 10,0×10,0 мм, расположенных на расстоянии 0,5÷0,8 мм друг от друга. Задачей изобретения является обеспечение обратимой (упругой) деформации плоскости фотоэлектрического модуля одновременно в двух и более направлениях при одновременном снижении веса и толщины модуля.2 ил.

Изобретение относится к области измерительной техники, а именно к неразрушающим методам контроля структурного совершенства эпитаксиальных слоев кремния, выращенных на диэлектрических подложках, и может быть использовано в технологии микроэлектроники для контроля качества эпитаксиальных слоев кремния в структурах «кремний на сапфире» (КНС). Изобретение обеспечивает высокую производительность измерений и достоверную оценку концентрации дефектов в объеме эпитаксиального слоя кремния на границе «кремний-сапфир». В способе контроля дефектности эпитаксиальных слоев кремния на диэлектрических подложках, включающем подготовку поверхности образца, воздействие излучением с длиной волны λ=380÷630 нм на образец, вращающийся вокруг вертикальной оси и перемещающийся в горизонтальном направлении относительно падающего излучения, регистрацию амплитуд регистрируемого сигнала, расчет относительной дефектности эпитаксиального слоя Nдеф и сравнение рассчитанного значения Nдеф с известным значением Nдеф (эт) эталона сравнения, воздействие на образец осуществляют импульсами длительностью τ1=50÷100 мкс и скважностью τ2=250÷500 мкс, в качестве регистрируемого сигнала используют амплитуду Uвых наведенной в эпитаксиальном слое кремния фотоЭДС, а относительную дефектность эпитаксиального слоя рассчитывают из соотношения: , где Uвых(min) - минимальное из зарегистрированных значений Uвых. 1 ил.

Изобретение относится к области солнечной энергетики, в частности к гибким фотоэлектрическим модулям, которые могут быть использованы в качестве источников электричества в системах энергообеспечения различных объектов - автомобилей, катеров, яхт, пунктов метеонаблюдения, телекоммуникационных систем, информационных стендов. Гибкий фотоэлектрический модуль включает последовательно расположенные нижнюю несущую пленку, нижнюю армирующую сетку, нижнюю скрепляющую пленку, электрически соединенные между собой солнечные элементы из монокристаллического кремния, верхнюю скрепляющую пленку, верхнюю армирующую сетку и верхнюю несущую пленку. Несущие и скрепляющие пленки выполнены из прозрачного для солнечного света материала, а армирующие сетки выполнены из полимерных нитей, прозрачных для солнечного света и пропитанных веществом или содержащих такое вещество с низким коэффициентом поглощения и рассеивания света. В качестве армирующих сеток используют терморелаксированные сетки из термоусадочного полимера. Изобретение обеспечивает возможность фиксации сложнопрофилированной поверхности гибкого фотоэлектрического модуля. 1 ил.

Изобретение относится к области солнечной энергетики, в частности к гибким фотоэлектрическим модулям, которые, помимо основной функции - генерации фототоэлектричества, могут использоваться в качестве элементов промышленного и строительного дизайна, подвергающихся упругой деформации в продольном и/или поперечном направлении - кручению или изгибу. Гибкий фотоэлектрический модуль представляет собой последовательно расположенные нижнюю несущую пленку, нижний армирующий слой, нижнюю скрепляющую пленку, электрически соединенные между собой солнечные элементы, верхнюю скрепляющую пленку, верхний армирующий слой и верхнюю несущую пленку. Нижние и верхние несущие и скрепляющие пленки выполнены из прозрачного для солнечного света материала, а в качестве армирующих слоев используют слои сфероидных элементов из прозрачного для солнечного света материала и покрытых слоем антиадгезивного материала. Габаритные размеры сфероидных элементов находятся в диапазоне 500-1000 мкм. Изобретение обеспечивает обратимую (упругую) деформацию плоскости фотоэлектрического модуля одновременно в двух и более направлениях. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к области солнечной энергетики, в частности к гибким фотоэлектрическим модулям, которые, помимо основной функции, могут быть дополнительно использованы в качестве элементов промышленного и строительного дизайна, подвергающихся упругой деформации в продольном и/или поперечном направлении

Изобретение относится к области измерительной техники, а именно к области неразрушающего контроля параметров полупроводниковых материалов, и может быть использовано для выявления и анализа структурных дефектов в кремниевых слитках перед разрезанием слитков на пластины

Изобретение относится к области измерительной техники, а именно к области неразрушающих методов контроля параметров полупроводниковых материалов с использованием зондирующего электромагнитного излучения, и может быть использовано для определения времени жизни неосновных носителей заряда в кремниевых слитках

Изобретение относится к области измерительной техники, а именно к области неразрушающих методов контроля параметров полупроводниковых материалов с использованием зондирующего электромагнитного излучения и может быть использовано для определения времени жизни неосновных носителей заряда в кремниевых слитках

Изобретение относится к области обработки поли- и монокристаллических слитков полупроводниковых материалов с целью разделения их на пластины и может быть использовано при изготовлении пластин, используемых в производстве солнечных батарей, полупроводниковых приборов и интегральных микросхем

Изобретение относится к области обработки поли- и монокристаллических слитков полупроводниковых материалов с целью разделения их на пластины и может быть использовано при изготовлении пластин, используемых в производстве полупроводниковых фотоэлектрических преобразователей, полупроводниковых приборов и интегральных микросхем

Изобретение относится к области измерительной техники

Изобретение относится к области измерительной техники

Изобретение относится к области солнечной энергетики и, в частности, к фотоэлектрическим модулям

Изобретение относится к области солнечной энергетики, более конкретно - к области создания солнечных фотоэлектрических модулей с концентраторами солнечного излучения, и может быть применено в наземных солнечных энергоустановках, предназначенных для систем автономного энергоснабжения в различных климатических зонах
Изобретение относится к области технологии получения монокристаллического кремния методом выращивания из расплава

 


© Патентный поиск, поиск патентов на изобретения - FindPatent.RU 2012-2024
Политика конфиденциальности
Наверх