Патенты автора Меженный Михаил Валерьевич (RU)
Изобретение относится к области технологии получения монокристаллических пленок кубического нитрида бора c-BN на подложках из полупроводникового кремния и может быть использован, в частности, для создания нового поколения оптоэлектронных приборов, излучающих и принимающих в диапазоне длин волн от УФ до ИК, для радиоэлектронной, атомной и космической промышленности. Способ позволяет получать однофазные пленки c-BN непосредственно на подложке кремния с малыми временными и энергетическими затратами, а также способ прост в управлении процессом осаждения. Для этого в способе осаждения монокристаллической пленки кубического нитрида бора на полупроводниковую кремниевую подложку, включающем процесс химического газофазного осаждения пленки, в качестве источников исходных реагентов используют высокочистый кристаллический бор и аммиак, а в качестве газоносителя используют смесь азота с аргоном в соотношении 10:1. При этом одновременно с процессом химического газофазного осаждения пленки кубического нитрида бора в зоне осаждения формируют ионную плазму азота и аргона с удельной энергией плазмы не менее 1 Вт/см3 и подают на подложку отрицательный потенциал, что обеспечивает возможность получения монокристаллической пленки c-BN непосредственно на подложке из кремния с высокой производительностью процесса и низкой себестоимостью продукции. Перед осаждением пленки кубического нитрида бора кремниевую подложку размещают рабочей поверхностью к потоку смеси исходных реагентов и газоносителя с наклоном относительно направления потока под углом, который выбирают в диапазоне 7÷11°, и в процессе осаждения подложку вращают относительно нормали в центре ее поверхности. Это позволит обеспечить достаточную скорость осаждения и равномерную толщину пленки по всей поверхности подложки. 2 табл.
Изобретение относится к области получения полупроводниковых материалов, а именно к получению монокристаллов антимонида галлия, которые используются в качестве подложечного материала в изопериодных гетероструктурах на основе тройных и четверных твердых растворов в системах Al-Ga-As-Sb и In-Ga-As-Sb, позволяющих создавать широкую гамму оптоэлектронных приборов (источников и приемников излучения на спектральный диапазон 1,3-2,5 мкм). Способ включает синтез и выращивание монокристалла методом Чохральского в атмосфере водорода на затравку, ориентированную в кристаллографическом направлении [100], при этом синтез и получение монокристалла проводят в едином технологическом процессе со скоростью протока особо чистого водорода в интервале 80-100 л/час и времени выдержки расплава на стадии синтеза при температуре 930-940°С в течение 35-40 мин. Изобретение позволяет получать совершенные крупногабаритные монокристаллы антимонида галлия диаметром 60-65 мм. 1 табл.
Изобретение относится к технологии производства бездислокационных пластин полупроводникового кремния, вырезаемых из монокристаллов, выращенных методом Чохральского, и применяемых для изготовления интегральных схем и дискретных электронных приборов. Изобретение обеспечивает формирование эффективного внутреннего геттера в бездислокационных пластинах кремния большого диаметра (150-300 мм) за счет применения энергосберегающего режима многоступенчатых термообработок. Способ формирования эффективного внутреннего геттера в монокристаллических бездислокационных пластинах кремния осуществляют путем трехступенчатой термообработки в инертной атмосфере аргона при температуре 1200±25°С и длительности 30±10 с, при температуре 800±10°С в течение 4,0±0,25 ч (вторая стадия) и 1000±25°С в течение 16±0,25 ч (третья стадия). 3 ил.
Изобретение относится к области получения полупроводниковых материалов, а именно к получению монокристаллов антимонида индия, которые широко используются в различных фотоприемных устройствах, работающих в ИК-области спектра
Изобретение относится к технологии производства бездислокационных пластин полупроводникового кремния, вырезаемых из монокристаллов, выращиваемых методом Чохральского, и применяемых для изготовления интегральных схем и дискретных электронных приборов
