Патенты автора Резник Владимир Яковлевич (RU)
Изобретение относится к технологии производства бездислокационных пластин полупроводникового кремния, вырезаемых из монокристаллов, выращенных методом Чохральского, и применяемых для изготовления интегральных схем и дискретных электронных приборов. Изобретение обеспечивает формирование эффективного внутреннего геттера в бездислокационных пластинах кремния большого диаметра (150-300 мм) за счет применения энергосберегающего режима многоступенчатых термообработок. Способ формирования эффективного внутреннего геттера в монокристаллических бездислокационных пластинах кремния осуществляют путем трехступенчатой термообработки в инертной атмосфере аргона при температуре 1200±25°С и длительности 30±10 с, при температуре 800±10°С в течение 4,0±0,25 ч (вторая стадия) и 1000±25°С в течение 16±0,25 ч (третья стадия). 3 ил.
Изобретение относится к области получения полупроводниковых материалов, а именно к получению монокристаллов антимонида индия, которые широко используются в различных фотоприемных устройствах, работающих в ИК-области спектра
Изобретение относится к технологии производства бездислокационных пластин полупроводникового кремния, вырезаемых из монокристаллов, выращиваемых методом Чохральского, и применяемых для изготовления интегральных схем и дискретных электронных приборов
