Патенты автора Башарин Алексей Андреевич (RU)
Изобретение относится к метаматериалам для получения сильной локализации электромагнитных полей в небольшой, по сравнению с длиной волны, областью. Изобретение может использоваться для прототипирования оптических устройств различного рода и диапазонов частот, в качестве элементов сенсоров, в качестве элементов нано-антенн. Метаматериал, представляющий собой равностороннюю ячейку частотно-селективной поверхности, состоящую из диэлектрической пластины с четырьмя одинаковыми цилиндрическими отверстиями, равноудаленными друг от друга, отличающийся тем, что, для диапазона длин волн рабочего излучения от 60 см до 1 мкм, отношение длины стороны ячейки частотно-селективной поверхности к длине волны рабочего излучения находится в диапазоне от 1,4 до 1,45, отношение расстояния между центрами цилиндрических отверстий к длине волны рабочего излучения находится в диапазоне от 0,38 до 0,42, отношение радиуса цилиндрических отверстий к длине волны рабочего излучения находится в диапазоне от 0,15 до 0,19. 5 ил.
ДИЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ АНТЕННА // 2345454
Изобретение относится к области электрорадиотехники, в частности к диэлектрической антенне, содержащей круглый волновод с ребристым фланцем, расположенным на открытом конце волновода, диэлектрический стержень, установленный соосно внутри волновода и выступающий за пределы волновода, и диэлектрическую втулку, расположенную на выступающей части диэлектрического стержня, согласно изобретению выступающая часть диэлектрического стержня дополнительно снабжена диэлектрической вставкой такого же сечения, как и стержень, причем она установлена на расстоянии L1=(0.6÷0.7) от открытого конца волновода, длина ее составляет L 2=(1.1÷1.3) , а относительная диэлектрическая проницаемость материала вставки должна быть 2=(0.8÷0.9) 1, где - средняя длина волны рабочего диапазона; L 1 - расстояние от открытого конца волновода до диэлектрической вставки; L2 - длина диэлектрической вставки; 1, 2 - относительные диэлектрические проницаемости диэлектрического стержня и диэлектрической вставки соответственно
