Патенты автора Велигура Геннадий Александрович (RU)

Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники и предназначено для присоединения полупроводникового кристалла к корпусу методом контактно-реактивной пайки с образованием эвтектического сплава Au-Si при производстве транзисторов и интегральных микросхем. Предложен способ монтажа кремниевых кристаллов полупроводниковых приборов на покрытую золотом поверхность корпуса с нанесенным на обратную сторону кристалла слоем. В качестве слоя наносят псевдосплавное покрытие толщиной (20-200) нм, содержащее аморфный кремний и 10-50 вес.% золота. Изобретение направлено на повышение теплофизических свойств многокристальных СВЧ транзисторов большой мощности. 3 ил., 2 табл.

Изобретение относится к области электротехники, в частности к способам получения магнитных сред для записи информации с высокой плотностью. Способ получения наноструктурированных слоев магнитных материалов на кремнии для спинтроники включает магнетронное распыление составной мишени, состоящей из кремния 85-99% и ферромагнитного металла 1-15%, при этом магнетронное распыление проводят в среде аргона, давление в рабочей камере во время распыления составляет (6÷7)×10-3 Па, давление аргона в магнетроне - (6÷7)×10-1 Па, скорость нанесения слоя гетерогенной смеси магнитного материал (22÷25) нм/с, плазмохимическое травление во фторсодержащей плазме при давлении азота в рабочей камере 4÷4,5 Па, скорости травления слоя (10÷12) нм/с, и термическую обработку в вакууме 0,5×10-3 Па, температуре 300-400оС, длительностью 10-15 мин. Повышение однородности распределения компонентов в мелкозернистом слое ноноструктурированной магнитной пленке является техническим результатом изобретения. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.

Предложен способ записи и воспроизведения информации. В способе воздействуют на поверхность записываемого слоя образца циркулярно-поляризованным светом, вводимым в волновод ближнепольным сканирующим оптическим микроскопом. В качестве образца используют наноструктурированную пленку силицидов переходных металлов на кремнии. Образец исследуют методом магнитно-силовой микроскопии на пригодность с минимальным разрешением, обеспечивающим отображение наноструктуры образца, причем размер наноструктур не должен превышать 50 нм. Образец должен обладать магнитным откликом и находиться в однодоменном состоянии намагниченности. Поверхность образца прецизионно сближают с оптическим зондом с оптической эффективностью не хуже 10-6 и подвергают воздействию циркулярно-поляризованным излучением с энергией светового воздействия не менее 3 мДж/см2, мощностью непрерывного излучения ~1 мВт. Считывание информации осуществляют с помощью сканирующего зонда микроскопа в режиме магнитно-силовой микроскопии в полуконтактном режиме путем идентификации магнитных свойств наноструктурированной пленки. Техническим результатом является повышение плотности записи информации. 1 з.п. ф-лы, 4 ил.
Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники и предназначено для присоединения полупроводникового кристалла к корпусу методом контактно-реактивной пайки с образованием эвтектического сплава Au-Si при производстве транзисторов и интегральных микросхем
Мы будем признательны, если вы окажете нашему проекту финансовую поддержку!

 


Наверх