Патенты автора Негин Алексей Викторович (RU)

Изобретение относится к измерительной технике, а именно к датчикам для измерения угла поворота бесконтактным способом, и может быть использовано в системах управления подвижными объектами. Магниторезистивный датчик угла поворота содержит тонкопленочный чувствительный элемент, выполненный в виде двух мостов Уинстона, расположенных под углом 45° друг к другу, плечи которых представляют меандры из заостренных магниторезистивных полосок, соединенных по концам проводящими перемычками, и подгоночные сопротивления. Магниторезистивные полоски во всех плечах моста расположены параллельно друг другу и содержат полюса Барбера, расположенные под углом «плюс» 45° относительно длинной стороны полоски в двух противоположных плечах моста и «минус» 45° в двух других противоположных плечах моста. Технический результат - повышение точности измерения угла поворота, помехозащищенности датчика и упрощение процесса балансировки датчика. 2 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к датчикам для измерения угла поворота, основанным на анизотропном магниторезистивном эффекте в тонких магнитных пленках, и может быть использовано в системах управления подвижными объектами. Технический результат – балансировка углового магниторезистивного датчика. Способ балансировки углового магниторезистивного датчика содержит этапы, на которых осуществляют подключение дискретного ряда одинаковых подгоночных сопротивлений последовательно с плечами моста Уинстона и балансировку моста Уинстона путем увеличения сопротивлений плеч моста Уинстона последовательным лазерным перерезанием перемычек соответствующих подгоночных сопротивлений, сначала на включенный мост Уинстона подают магнитное поле величиной не менее поля насыщения магниторезистивного материала датчика, затем замеряют значения выходного напряжения моста Уинстона при двух взаимно перпендикулярных направлениях магнитного поля, при которых выходное напряжение имеет максимальное и минимальное значения, и добиваются равенства этих значений по абсолютной величине, увеличивая сопротивления плеч моста Уинстона. 3 ил., 1 табл.

Изобретение относится к области автоматики и может быть использовано при изготовлении тахометров, датчиков перемещения, приборов для бесконтактного измерения электрического тока, магнитометров, электронных компасов и т.п. Способ изготовления магниторезистивного датчика включает формирование на изолирующей подложке методами вакуумного напыления и фотолитографии тонкопленочных функциональных элементов датчика и полиимидной изоляции между ними, нанесение конструктивной защиты, на изолирующей подложке формируют мост Уинстона, полиимидную изоляцию и катушку индуктивности «offset», а катушку индуктивности «set/reset», контактные площадки датчика и знаки совмещения формируют на плате-держателе, причем центральный виток катушки выводят на соответствующую контактную площадку платы-держателя, для чего прошивают два переходных отверстия и пропыляют обратную сторону платы-держателя, а затем изолирующую подложку монтируют на плату-держатель в соответствии со знаками совмещения и разваривают функциональные элементы датчика на контактные площадки платы-держателя. Технический результат – упрощение технологии изготовления, повышение надежности конструкции, повышение стабильности выходного напряжения датчика. 3 ил., 1 табл.

Изобретение относится к области автоматики и магнитометрии и может быть использовано при изготовлении датчиков для определения положения движущихся объектов, магнитометров, электронных компасов для систем навигации и т.д. Технический результат: повышение разрешающей способности за счет повышения стабильности выходного сигнала и повышение технологичности изготовления датчика за счет сокращения числа операций процесса его изготовления. Сущность: способ включает изготовление моста Уинстона путем последовательного вакуумного напыления на подложку слоев FeNi(FeNiCo), Та, FeNi(FeNiCo) и последующего фотолитографического травления, изготовление двух пленочных катушек индуктивности «set/reset» и «offset» путем напыления проводящих слоев и последующего фотолитографического травления, нанесение изоляции между мостом Уинстона и катушками индуктивности, нанесение конструктивной защиты. При изготовлении моста Уинстона на слой Та за один цикл откачки вакуумной камеры напыляют слой Cu, а затем слой FeNi(FeNiCo) с образованием структуры FeNi(FeNiCo)-Ta-Cu-FeNi(FeNiCo), из которой путем фотолитографического травления через совмещенный фотошаблон сначала формируют контур моста Уинстона с рисунком проводящего слоя, включающим полоски, перемычки, проводники и контактные площадки, а затем через другой фотошаблон формируют магниторезистивные полоски и полюса Барбера с образованием топологии моста Уинстона с магниторезистивными полосками из FeNi(FeNiCo)-Ta и полюсами Барбера из Cu-FeNi(FeNiCo). 3 ил.

Изобретение относится к области изготовления микросхем и может быть использовано для изготовления многоуровневых тонкопленочных гибридных интегральных схем и анизотропных магниторезистивных преобразователей

Изобретение относится к области магнитометрии и может быть использовано при изготовлении датчиков перемещений, устройств измерения электрического тока и магнитных полей, при изготовлении датчиков угла поворота, устройств с гальванической развязкой, магнитометров, электронных компасов и т.п

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для бесконтактного определения положения вала электродвигателя

Изобретение относится к области автоматики и магнитометрии и может быть использовано в датчиках перемещений, устройствах измерения электрического тока и магнитных полей

 


Наверх