Патенты автора Феоктистов Николай Александрович (RU)
Способ изготовления функционального элемента полупроводникового прибора осуществляется в вакуумной печи в два этапа, на первом из которых осуществляют нагрев основы до температуры 950-1400°С и синтез пленки карбида кремния на ее поверхности в газовой среде, представляющей собой оксид или диоксид углерода или смесь оксида или диоксида углерода с инертным газом и/или азотом (и/или силаном) при давлении 20-600 Па. На втором этапе в вакуумной печи в среде тетрафторида углерода при температуре 1300-1400°С и давлении 2500-6000 Па из полученной пленки карбида кремния формируют нанопленку углерода с кристаллической решеткой алмазного типа путем согласованного замещения атомов вплоть до полного замещения атомов кремния на атомы углерода в полученной на первом этапе пленке карбида кремния. Наилучший результат достигается, когда в качестве основы применяют кремний ориентации (111). Достигаемый технический результат - получение впервые на подложке (основе) из кремния углеродного нанокристаллического материала с кристаллической структурой алмазного типа высокого качества за счет сохранения алмазоподобного типа кристаллической решетки при конверсии Si→SiC→С. 1 з.п. ф-лы, 5 ил.
Изобретение относится к литейному производству и может быть использовано при центробежном литье крупных биметаллических валков. Рабочий слой валка отливают в кокиль (1) с горизонтальной осью вращения. Кокиль с предварительно отлитым в нем рабочим слоем (2) прокатного валка устанавливают вертикально в кессон на форму (9) с формовочной смесью, формирующую нижнюю шейку (10) прокатного валка. На упомянутый кокиль устанавливают форму (5) с формовочной смесью, формирующую верхнюю шейку (6) прокатного валка, а на эту форму устанавливают прибыльную надставку (7). Все формы скрепляют зажимами (13). В формовочную смесь нижней формы, соосно формируемой шейке, устанавливают металлический холодильник (12) в виде кольца на расстоянии 47-53 мм от нижнего края (11) кокиля. Толщина стенки холодильника 1,8-2,0 мм, диаметр – 360-400 мм, высота – 195-205 мм. В полученную форму заливают жидкий металл для формирования бочки и шеек прокатного валка. Обеспечивается исключение трещин в месте сопряжения шейки и бочки валка за счет выравнивания скоростей затвердевания металлов нижней шейки валка, находящейся в формовочной смеси, и металла сердцевины валка, находящегося в металлической форме – кокиле. 2 табл., 4 пр., 1 ил.
Изобретение относится к классу полупроводниковых приборов и может быть использовано в микро-, нано- и оптоэлектронике. Функциональный элемент полупроводникового прибора имеет основу, выполненную из кремния со сформированным на нем переходным слоем, содержащим карбид кремния, на котором имеется покрывающий слой в виде нанопленки углерода с кристаллической решеткой алмазного типа. Способ изготовления заявляемого функционального элемента полупроводникового прибора осуществляется в вакуумной печи в два этапа, на первом из которых осуществляют нагрев основы до температуры 950-1400°С и синтез пленки карбида кремния на ее поверхности в газовой среде, представляющей собой оксид или диоксид углерода или смесь оксида или диоксида углерода с инертным газом и/или азотом при давлении 20-600 Па. На втором этапе в вакуумной печи в среде тетрафторида углерода при температуре 1300-1400°С и давлении 2500-6000 Па из полученной пленки карбида кремния формируют нанопленку углерода с кристаллической решеткой алмазного типа путем согласованного замещения атомов. Наилучший результат достигается, когда в качестве основы применяют кремний ориентации (111). Достигаемый технический результат - получение на подложке (основе) из кремния углеродного нанокристаллического материала с кристаллической структурой алмазного типа высокого качества за счет сохранения алмазоподобного типа кристаллической решетки при конверсии Si→SiC→С. 2 н. и 4 з.п. ф-лы, 9 ил.
Группа изобретений относится к области термозащитных и антиокислительных покрытий и может быть использована для повышения химической инертности и температуры эксплуатации изделий, используемых в авиакосмической промышленности, топливо-энергетическом комплексе, в химической промышленности и др. Изделие характеризуется наличием основы из графита, в которой приповерхностный модифицированный слой состоит из графита основы и карбида кремния. При этом приповерхностный слой получен путем замещения части графита основы карбидом кремния, с образованием разветвленной дендритообразной кристаллической структуры карбида кремния внутри графита. Модификацию поверхности изделия осуществляют в вакуумной печи посредством обеспечения протекания термохимической гетерогенной реакции графита основы с расплавом кремния, контактирующим с поверхностью основы, и монооксидом углерода, который подают в вакуумную печь. Упомянутая реакция сопровождается замещением части графита основы карбидом кремния с образованием разветвленной дендритообразной кристаллической структуры карбида кремния внутри графита. Сформированный согласно заявляемому способу приповерхностный слой удерживается в основе за счет разветвленного дендритообразного внедрения карбида кремния внутрь графита основы, обеспечивая повышение прочностных характеристик, химической и термической стойкости изделий. 2 н. и 6 з.п. ф-лы, 9 ил.
Изделие с покрытием из карбида кремния и способ изготовления изделия с покрытием из карбида кремния // 2684128
Группа изобретений относится к области термозащитных, оптических и антиокислительных покрытий и может быть использована для повышения химической инертности, температуры эксплуатации изделий и создания специальных оптических покрытий, используемых в авиакосмической промышленности, топливо-энергетическом комплексе, в химической промышленности, электронной промышленности и др. Изделие содержит основу из материала, температура плавления которого превышает 950°С, и двухслойное покрытие из карбида кремния на его поверхности. Двухслойное покрытие из карбида кремния состоит из нижнего слоя из карбида кремния с нанопористой губчатой структурой и расположенного на нем покрывающего слоя карбида кремния с моно- или поликристаллической структурой. Способ изготовления изделия, содержащего основу из материала, температура плавления которого превышает 950°С, с двухслойным покрытием из карбида кремния на ее поверхности, состоящим из нижнего слоя из карбида кремния с нанопористой губчатой структурой и расположенного на нем покрывающего слоя из карбида кремния с моно- или поликристаллической структурой. Предварительно на поверхность упомянутой основы изделия наносят слой-прекурсор из кремния, затем помещают изделие в вакуумную печь, после чего в вакуумную печь подают монооксид углерода и обеспечивают формирование упомянутого покрытия протеканием термохимической гетерогенной реакции нанесенного кремния с монооксидом углерода. Обеспечивается улучшение свойств покрытия из карбида кремния за счет характеристик его слоев, а именно нижнего слоя, обладающего демпфирующими свойствами, и верхнего слоя с повышенной степенью кристалличности и сплошности, при этом при формировании нескольких двухслойных покрытий повышается общая толщина покрытия. 2 н. и 4 з.п. ф-лы, 5 ил.
Изобретение относится к литейному производству. Противопригарная краска для литейных форм и стержней содержит, мас.%: метакаолин 18-22, в качестве наполнителя - цирконовый порошок 28-31, а в качестве связующего – бентонит 2,5-4,5 и декстрин 1,3-1,7 и воду. Обеспечивается высокая седиментационная устойчивость краски, улучшается кроющая способность и обеспечивается отсутствие пригара на отливках. 2 табл.
Изобретение относится к области черной металлургии, в частности к термической обработке прокатных валков, и может быть использовано на предприятиях, изготавливающих двухслойные прокатные валки. Способ термической обработки чугунных двухслойных прокатных валков включает проведение отпуска путем нагрева до температуры ниже Ас1, выдержки и охлаждения, при этом предварительно в чугуне рабочего слоя валка определяют минимальную температуру, при которой протекает бейнитное превращение, и температуру начала выделения графита, после чего вычисляют температуру отпуска по следующей зависимости: Тотп=Твг-(10…20), °С, при выполнении следующего условия: Тотп<Тбп мин; где Тотп - температура отпуска, °C; Твг - температура начала выделения графита, °C; Тбп мин - минимальная температура, при которой протекает бейнитное превращение, °C; при этом цикл отпуска повторяют 3-4 раза. Изобретение направлено на повышение эксплуатационной стойкости прокатных валков за счет создания условий, обеспечивающих формирование оптимальной микроструктуры чугуна рабочего слоя прокатного валка. 1 пр., 2 табл.
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов. Способ изготовления изделий, содержащих кремниевую подложку с пленкой карбида кремния на ее поверхности, осуществляется в газопроницаемой камере, размещенной в реакторе, в который подают смесь газов, включающую оксид углерода и кремнийсодержащий газ, при этом давление в реакторе 20-600 Па, температура 950-1400°C. Подложки располагают в газопроницаемой камере параллельно друг другу на ребро на расстоянии 1-10 мм, а пленка из карбида кремния формируется путем химической реакции поверхностных слоев кремния подложки с оксидом углерода. При этом газопроницаемая камера служит барьером для прохождения молекул кремнийсодержащего газа, но пропускает продукты его термического разложения. Изобретение позволяет повысить качество получаемых пленок при повышении производительности процесса. 2 н. и 3 з.п.ф-лы, 7 ил.
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР // 2446511
Изобретение относится к твердотельной электронике, а именно к полупроводниковым приборам, используемым для выпрямления, усиления генерирования или переключения электромагнитных колебаний, способным работать при повышенных температурах и уровнях мощности, а также для приема и генерирования света в видимом и ультрафиолетовом диапазоне длин волн
Изобретение относится к технологии нанесения пленок на подложки, конкретно - к предварительной обработке подложек (нанесению центров зародышеобразования) для последующего роста поликристаллических алмазных пленок, применяемых в ядерной технике, в мощных непрерывных технологических CO2-лазерах, в электрохимии
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов и может быть использовано при создании полупроводниковых приборов
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов и может быть использовано при создании полупроводниковых приборов
