Патенты автора Соловьев Игорь Игоревич (RU)
Изобретение относится к криогенной микро- и наноэлектронике, в том числе к элементной базе искусственных нейросетей. Технический результат заключается в повышении быстродействия и энергоэффективности сверхпроводящего нейрона. Заявляемый сверхпроводящий нейрон для многослойного персептрона содержит джозефсоновский контакт, соединенный гальванически с основной индуктивностью, которая соединена гальванически как с шунтирующей индуктивностью, так и с вспомогательной индуктивностью; средство задания входного сигнала в виде магнитного поля, связанное индуктивным образом с основной и вспомогательной индуктивностями; средство детектирования выходного сигнала в виде величины тока, связанное индуктивным образом с шунтирующей индуктивностью. Кроме того, заявляемое устройство обеспечивает преобразование входного магнитного потока на входе Фin (создается средством задания магнитного поля) в ток на выходе Iout (считывается средством детектирования) по закону, описываемому сигмоидальной функцией. 7 з.п. ф-лы, 8 ил.
Изобретение относится к криогенной радиоэлектронике, в том числе к активным широкополосным устройствам, и может быть использовано для приема и усиления электромагнитных сигналов в диапазоне частот от единиц герц до 10 ГГц. Сверхпроводящая квантовая решетка на основе СКИФ-структур содержит две соединенные дифференциально последовательные цепочки СКИФ-структур, состоящих из параллельно соединенных джозефсоновских контактов, средство задания магнитного поля смещения, подключенное индуктивным образом к каждой СКИФ-структуре, сверхпроводящий трансформатор и средства задания постоянного тока питания и измерения напряжения. Технический результат изобретения состоит в повышении уровня выходного сигнала и линейности преобразования магнитного сигнала в отклик напряжения за счет использования многоэлементных джозефсоновских структур, состоящих из двух дифференциально соединенных последовательных цепочек СКИФ-структур, конструкция, рабочие режимы и характеристики которых подобраны определенным образом, описанным в изобретении. 9 з.п. ф-лы, 4 ил.
Использование: для создания элементов быстрой криогенной памяти. Сущность изобретения заключается в том, что джозефсоновский фазовый доменный вентиль включает два расположенных на подложке друг под другом сверхпроводящих электрода с токоподводами и область слабой связи между ними в виде тонкопленочной слоистой структуры, содержащей: промежуточный слой сверхпроводящего материала с токоподводами, толщина которого лежит в диапазоне от 20 до 60 нм, отделенный от нижнего сверхпроводящего электрода слоем изолятора; нанесенный на часть тонкого промежуточного слоя сверхпроводящего материала слой нормального металла, толщина которого лежит в диапазоне от 1 до 20 нм; слой магнитного материала, нанесенный на оставшуюся не закрытой слоем нормального металла поверхность тонкого промежуточного слоя сверхпроводящего материала, толщина которого лежит в диапазоне от 1 до 20 нм. Технический результат: обеспечение возможности переключения между устойчивыми состояниями вентиля без изменения намагниченности в слое магнитного материала, что обеспечивает достаточно малое время на реализацию операции записи. 2 н. и 18 з.п. ф-лы, 3 ил.
ДЖОЗЕФСОНОВСКИЙ МАГНИТНЫЙ ПОВОРОТНЫЙ ВЕНТИЛЬ // 2601775
Использование: для создания джозефсоновского магнитного поворотного вентиля. Сущность изобретения заключается в том, что джозефсоновский магнитный поворотный вентиль включает два сверхпроводящих электрода с токоподводами и область слабой связи между ними в виде тонкопленочной слоистой структуры, содержащей: промежуточный сверхпроводящий слой, отделенный от нижнего сверхпроводящего электрода слоем изолятора; нанесенный на часть промежуточного сверхпроводящего слоя слой нормального металла; слой магнитного материала, нанесенный как на слой нормального металла, так и на оставшуюся не закрытой последним поверхность промежуточного сверхпроводящего слоя с образованием границы между слоем нормального металла и слоем магнитного материала. Технический результат: обеспечение возможности увеличения изменения амплитуды критического тока перехода под действием малого магнитного потока. 2 н. и 22 з.п. ф-лы, 5 ил.
ФЛАКСОННЫЙ БАЛЛИСТИЧЕСКИЙ ДЕТЕКТОР // 2592735
Использование: для измерения слабых магнитных потоков. Сущность изобретения заключается в том, что флаксонный баллистический детектор включает генератор одноквантовых импульсов, приемник одноквантовых импульсов со схемой сравнения, две джозефсоновские передающие линии, соединяющие генератор и приемник, соединенные сверхпроводящей перемычкой, связанной магнитным образом с объектом исследования. Технический результат: обеспечение возможности реализации измерения сверхслабых сигналов. 6 з.п. ф-лы, 6 ил.
СВЕРХПРОВОДЯЩИЙ ШИРОКОПОЛОСНЫЙ СВЧ-УСИЛИТЕЛЬ // 2353051
Изобретение относится к криогенной радиотехнике
