Патенты автора Левцова Татьяна Александровна (RU)

Изобретение может быть использовано в оптических системах связи, в системах измерения в качестве оптоэлектронного датчика, в том числе при регистрации одиночных фотонов в системах квантовой криптографии, в интегральной оптоэлектронике и системах тестирования интегральных схем, а также в других областях, предполагающих регистрацию оптического сигнала. Согласно изобретению предложена полупроводниковая гетероструктура для лавинного фотодиода, содержащая расположенные на подложке эпитаксиальные слои, включая верхний слой в составе по меньшей мере двух слоев-частей - с первой частью, предназначенной для формирования области лавинного умножения, и второй частью, предназначенной для формирования локальной области легирования цинком, выполненной из InP, при этом первая часть выполнена из InP и отделена от второй части промежуточной частью в виде эпитаксиального стоп-слоя, выполненного из кристаллического кремния (Si) с возможностью обеспечения электрической неактивности данного стоп-слоя в материале InP. Также предложены способ изготовления полупроводниковой гетероструктуры для лавинного фотодиода, лавинный фотодиод на основе упомянутой гетероструктуры и способ его изготовления. Изобретение обеспечивает контролируемую глубину фронта залегания диффузионной границы легирующей примеси при формировании р+-области в полупроводниковой гетероструктуре в процессе изготовления лавинного фотодиода, характеризующейся уменьшением величины разброса толщины области лавинного умножения (менее 10%), при уменьшении концентрации электрически активных дефектов и примесей в области лавинного умножения за счет снижения концентрации легирующей примеси (менее 2×1015 см-3) в данной области. 4 н. 25 з.п. ф-лы, 9 ил., 12 табл.

Способ относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов методом молекулярно-лучевой эпитаксии. В способе подготовки поверхности InSb подложки для выращивания гетероструктуры молекулярно-лучевой эпитаксией проводят предварительную обработку поверхности подложки InSb с модификацией состава остаточного оксидного слоя. Модификацию состава остаточного оксидного слоя на поверхности подложки осуществляют с получением гидратированного аморфного оксидного слоя из оксидных соединений индия и сурьмы, характеризующегося нестехиометрическим составом - обогащенного гидратированными оксидными соединениями индия. При этом сначала проводят анодное окисление подложки с остаточным оксидным слоем в водосодержащей щелочной среде, а затем удаляют в водосодержащей кислотной среде полученный в ходе окисления оксидный слой. В финале проводят удаление подвергшегося модификации остаточного оксидного слоя в вакуумной камере установки молекулярно-лучевой эпитаксии с использованием термообработки подложки. В результате обеспечивается снижение температуры, при которой происходит полное удаление оксидного слоя в ростовой камере молекулярно-лучевой эпитаксии, до величины менее 400°С. 6 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов - для изготовления фокальных диодных фотоприемных матриц на подложках InSb. В способе подготовки поверхности InSb подложки для выращивания гетероструктуры молекулярно-лучевой эпитаксией сначала проводят предварительную обработку поверхности подложки InSb с модификацией состава окисного слоя для обеспечения в дальнейшем полного удаления окислов. Модификацию состава окисного слоя осуществляют, подвергая подложку воздействию жидкой среды с рН менее двух. За счет этого растворяют в большей степени окислы индия и обогащают поверхность легколетучими окислами сурьмы. После модификации окисного слоя остаточный окисный слой удаляют в вакуумной камере установки молекулярно-лучевой эпитаксии с использованием термообработки и подачи к поверхности подложки потока сурьмы. В результате обеспечивается соблюдение вакуумной гигиены при выращивании слоев структур, предотвращается возможность загрязнения поверхности подложек InSb, достигается снижение шероховатости, возникающей при подготовке поверхности подложек, обеспечивается требуемая гладкость. 5 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для изготовления многоэлементных ИК-фотоприемников

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для изготовления приемников ИК-излучения

 


Наверх