Патенты автора Малевская Александра Вячеславовна (RU)

Способ изготовления фотоэлектрического преобразователя лазерного излучения включает выращивание методом жидкофазной эпитаксии в потоке очищенного водорода на подложке n-InP базового слоя n-InGaAsP, слоя р+-InGaAsP, формирование диффузионного р-n-перехода, утончение подложки InP, формирование фронтального и тыльного омических контактов, травление разделительной мезы. При этом в качестве источников компонентов для расплава используют нелегированные полупроводниковые материалы InP, InAs и GaAs. Способ позволяет получать градиентный р-n-переход с контролируемой глубиной и профилем легирования в едином технологическом процессе с выращиванием эпитаксиальных слоев гетероструктуры, обеспечивающих фоточувствительность фотопреобразователя в диапазоне длин волн 1.06-1.55 мкм. 1 з.п. ф-лы.

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в электронной промышленности для преобразования электрической энергии в световую. Cпособ изготовления инфракрасного светоизлучающего диода включает последовательное формирование многослойной светоизлучающей AlGaAs/GaAs гетероструктуры на подложке GaAs, первого электрода, металлического отражателя и подложки-носителя путем электрохимического наращивания хрома или иридия на поверхности металлического отражателя, удаление ростовой подложки GaAs, формирование световыводящей поверхности и второго электрода на открытой поверхности гетероструктуры. Металлическую подложку-носитель формируют путем монолитного электрохимического наращивания хрома или иридия на поверхности гетероструктуры с металлическим отражателем. Способ обеспечивает изготовление светоизлучающего диода со сниженными омическими потерями. 2 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к электронной технике, в частности к способу изготовления светоизлучающих диодов, и может быть использовано в электронной промышленности для преобразования электрической энергии в световую. Способ изготовления светоизлучающего диода на основе гетероструктуры AlGaAs/GaAs включает формирование слоев гетероструктуры на подложке GaAs, нанесение первого омического контакта, нанесение прозрачного покрытия, нанесение слоя металлического отражателя, формирование подложки-носителя GaAs с тыльным и фронтальным омическими контактами, монтаж подложки-носителя и гетероструктуры AlGaAs/GaAs путем формирования соединения AuIn2, удаление подложки GaAs и формирование второго омического контакта. Изобретение обеспечивает возможность изготовления светоизлучающего диода на основе гетероструктуры AlGaAs/GaAs с увеличенной эффективностью преобразования электроэнергии в излучение за счет снижения степени деградации гетероструктуры. 3 з.п. ф-лы, 6 ил.
Изобретение относится к солнечной энергетике, в частности к способу изготовления фотоэлектрических преобразователей. Способ включает формирование гетероструктуры GaInP/Ga(In)As/Ge на германиевой подложке с фронтальным контактным слоем n-GaAs, омических контактов на поверхности контактного слоя n-GaAs, вскрытие оптических окон и напыление просветляющего покрытия, создание мезы с защитным покрытием, формирование тыльных омических контактов к германиевой подложке в мезе, нанесение защитного покрытия, наклеивание пластины защитным покрытием на диск-носитель, утонение германиевой подложки методом жидкостного химического травления, матирование утоненной германиевой подложки методом жидкостного химического травления, пассивацию утоненной германиевой подложки путем осаждения диэлектрического покрытия, осаждение светоотражающего покрытия из золота или серебра с защитным слоем золота, удаление защитного покрытия с одновременным откреплением пластины от диска-носителя и разделением пластины на чипы. Способ обеспечивает снижение удельной массы фотоэлектрического преобразователя за счет значительного утонения германиевой подложки с сохранением спектральной чувствительности германиевого p-n-перехода в инфракрасном диапазоне спектра и его фототока и эффективности фотоэлектрического преобразователя в целом. 7 з.п. ф-лы.

Концентраторный фотоэлектрический модуль с планарными элементами включает по меньшей мере один планарный неконцентраторный кремниевый фотоэлектрический преобразователь (3) с двухсторонней чувствительностью, множество концентраторных А3В5 фотоэлектрических преобразователей (5), смонтированных на теплоотводящие основания (6), и расположенных на поверхности неконцентраторного фотоэлектрического преобразователя (3), закрытого защитной светопрозрачной панелью (4), концентрирующую оптическую систему (7), состоящую из множества собирающих линз (8). Концентраторный фотоэлектрический модуль согласно изобретению обладает повышенной надежностью и высокой энергопроизводительностью за счет эффективного преобразования потоков прямого и рассеянного атмосферой (диффузного) солнечного излучений, а также рассеянного при отражении от земной поверхности излучения (альбедо). 4 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к солнечной энергетике и может быть использовано в космических концентраторных солнечных энергоустановках при базировании на космическом летательном аппарате. Концентраторная солнечная батарея включает основание, параболоцилиндрические концентраторы с зеркальной внутренней поверхностью отражения, установленные на основании, цилиндрические направляющие которых параллельны основанию и друг другу, линейные цепочки фотоэлектрических преобразователей, установленные на верхней кромке тыльной стороны каждого последующего концентратора в фокальной линии каждого предыдущего концентратора. Вершина каждого параболоцилиндрического концентратора посредством первого цилиндрического шарнира, параллельного цилиндрической направляющей параболоцилиндрического концентратора, прикреплена к основанию. Противолежащие боковые кромки каждого параболоцилиндрического концентратора посредством второго цилиндрического шарнира соединены с верхними концами двух рычагов, нижние концы которых посредством первого цилиндрического шарнира предыдущего концентратора соединены с основанием. Длина рычагов равна расстоянию между первым и вторым цилиндрическими шарнирами параболоцилиндрического концентратора. Основание выполнено в виде секционного пантографа ножничного типа с количеством секций, равным удвоенному количеству параболоцилиндрических концентраторов. Технический результат заключается в уменьшении массово-габаритных параметров концентраторной солнечной батареи за счет эффективного использования всей площади при обеспечении возможности складывания батареи в нерабочем транспортном состоянии. 7 ил.

Солнечный фотоэлектрический модуль включает, по меньшей мере, два субмодуля (1), каждый субмодуль (1) содержит зеркальный параболический концентратор (5) солнечного излучения и солнечный элемент (6), расположенный в фокусе зеркального параболического концентратора (5). Зеркальный параболический концентратор (5) выполнен сечением параболоида (б) вращения четырьмя взаимно перпендикулярными плоскостями (I, II, III, IV), параллельными оси параболоида вращения, две из которых (I, II) проходят через ось параболоида вращения, а две других (III, IV) через точку (Т) на параболоиде (6) вращения, равноудаленную от двух первых плоскостей (I, II). Высота зеркального параболического концентратора (5) равна его фокусному расстоянию. Вершина (8) зеркального параболического концентратора (5) закреплена на общем основании (2) модуля, верхний угол (9) зеркального параболического концентратора (5) закреплен на высоте, равной высоте фокуса зеркального параболического концентратора (5) над общим основанием (2), а верхний угол (11) зеркального параболического концентратора (5) закреплен на высоте, равной половине высоты фокуса зеркального параболического концентратора (5) над общим основанием (2). Солнечный фотоэлектрический модуль обеспечивает снижение оптических потерь при концентрировании солнечного излучения, а также увеличение эффективности использования площади модуля за счет уплотненного расположения субмодулей. 2 з.п. ф-лы, 6 ил.
Изобретение относится к солнечной энергетике, в частности к способу изготовления фотоэлектрических преобразователей, и может быть использовано в электронной промышленности для преобразования световой энергии в электрическую. Предложенный способ изготовления омических контактов фотопреобразователя включает напыление на полупроводниковую пластину основы тыльного омического контакта, основы фронтального омического контакта, термообработку гетероструктуры, формирование фронтального и тыльного омических контактов электрохимическим осаждением слоя серебра, при этом электрохимическое осаждение слоя серебра осуществляют при постоянном токе и перемешивании электролита одновременно на фронтальную и тыльную стороны полупроводниковой пластины, расположенной под анодом и обращенной к нему фронтальной стороной, при этом анод возвратно поступательно перемещают со скоростью 1-5 см/мин на расстояние 5-10 см относительно полупроводниковой пластины, а полупроводниковую пластину и анод вращают вокруг вертикальной оси со скоростью 2-60 об/ч с переменным направлением вращения. Технический результат заключается в снижении омических потерь путем увеличения равномерности толщины омических контактов фотопреобразователя по всей площади полупроводниковой пластины при сниженной стоимости технологического процесса. 2 з.п. ф-лы.
Изобретение относится к солнечной энергетике, в частности, к фотоэлектрическим преобразователям, и может быть использовано в электронной промышленности для преобразования световой энергии в электрическую. Фотоэлектрический преобразователь включает подложку, фоточувствительную А3В5 гетероструктуру с широкозонным окном и контактным слоем GaAs р-типа проводимости, антиотражающее покрытие на поверхности широкозонного окна в местах, свободных от фронтального омического контакта, фронтальный омический контакт на поверхности контактного слоя GaAs, содержащий слои Ag и Au, и тыльный омический контакт. Согласно изобретению фронтальный омический контакт содержит последовательно расположенные первый слой сплава никеля и хрома (NiCr) с содержанием в сплаве хрома (15-50) мас. % толщиной (5-25) нм, слой Ag толщиной (500-5000) нм, второй слой сплава NiCr с содержанием в сплаве хрома (15-50) мас. % толщиной (50-100) нм и слой Аu толщиной (30-100) нм. Фотоэлектрический преобразователь согласно изобретению имеет увеличенную электрическую проводимость контактных шин за счет увеличения адгезии контактных слоев и снижения омических потерь путем уменьшения переходного контактного сопротивления. 3 пр.

Способ изготовления светоизлучающего диода на основе гетероструктуры AlGaAs/GaAs включает формирование фронтального омического контакта на поверхности контактного слоя GaAs, травление световыводящей поверхности AlGaAs/GaAs по маске фронтального омического контакта и текстурирование по маске фронтального омического контакта световыводящей поверхности светоизлучающего диода жидкостным химическим селективным стравливанием контактного слоя GaAs гетероструктуры в травителе, содержащем гидроксид аммония (NH4OH), перекись водорода (H2O2) и деионизованную воду, и последующим травлением слоя AlGaAs гетероструктуры на глубину (0,8-1,1) мкм в травителе, содержащем фторид аммония (NH4F), фтороводород (HF), перекись водорода и деионизованную воду. Изобретение позволяет увеличить интенсивность электролюминесценции изготовленного по нему светоизлучающего диода, имеет высокую технологичность процесса текстурирования и сниженную стоимость. 3 ил., 3 пр.

Конструкция концентраторного фотоэлектрического модуля относится к солнечной энергетике, и может быть использована в электронной промышленности для преобразования световой энергии в электрическую. Концентраторный фотоэлектрический модуль включает фронтальную светопрозрачную панель (1), тыльную алюминиевую панель (2), боковые стенки (3). На внутренней поверхности фронтальной светопрозрачной панели (1) сформирована концентрическая линза Френеля (4). На внутренней поверхности тыльной алюминиевой панели (2) закреплена теплопроводящая электроизолирующая плата (5). На плате (5) смонтирован фотоэлектрический преобразователь (6), установленный в фокусе линзы Френеля (4). На внешней поверхности тыльной алюминиевой панели (2) расположено устройство (7) осушения, заполненное гранулами регенеративного влагопоглощающего материала (8). Устройство (7) осушения размещено между тыльной алюминиевой панелью (2) и нижним основанием (9). Объем устройства (7) осушения составляет (20-30)% объема модуля над его тыльной панелью (2). Внутри устройства (7) параллельно его двум противоположным боковым стенкам (3) установлены алюминиевые герметичные перегородки (10). Торцы герметичных перегородок (10) в шахматном порядке отстоят с зазором от противолежащих боковых стенок (3), образуя зигзагообразный канал (11) для воздуха. В отверстие тыльной алюминиевой панели (2) вставлен пылезащитный фильтр (12), а в отверстие нижнего основания (9) вставлен гидрофобный фильтр (13). Фильтры (12) и (13) установлены примыкающими к противоположным боковым стенкам (3) и соединены упомянутым зигзагообразным каналом (11). Конструкция концентраторного фотоэлектрического модуля, выполненного согласно изобретению, обеспечивает увеличение энерговыработки модулем за счет увеличения скорости осушения воздуха, поступающего в модуль, и предотвращения выпадения конденсата во внутреннем объеме модуля. 3 з.п. ф-лы, 5 ил.
Способ изготовления фотоэлектрического концентраторного модуля включает формирование множества солнечных элементов, формирование вторичных концентраторов солнечного излучения, расположенных соосно над солнечными элементами, формирование панели первичных концентраторов, расположенных соосно над вторичными концентраторами. Для формирования вторичных концентраторов солнечного излучения изготавливают разборную полую форму в виде правильной четырехгранной усеченной пирамиды с внутренней зеркальной поверхностью и с меньшим основанием, совпадающим по размерам с поверхностью солнечного элемента. Устанавливают разборную полую форму меньшим основанием на поверхность солнечного элемента, заполняют полую форму жидкой смесью силиконовых компонентов, на поверхность жидкой смеси силиконовых компонентов устанавливают совпадающую по размерам с большим основанием полой формы стеклянную пластину. Полимеризуют смесь силиконовых компонентов при температуре, равной усредненной рабочей температуре вторичного концентратора в рабочем режиме при освещении модуля солнечным излучением, а после завершения полимеризации разбирают полую форму и отделяют детали полой формы от изготовленного вторичного концентратора. Изобретение обеспечивает упрощение технологии изготовления вторичного концентратора, приводящее к снижению стоимости изготовления фотоэлектрического концентраторного модуля. 4 з.п. ф-лы.

Изобретение относится к солнечной фотоэнергетике, к мониторингу солнечных электростанций. Устройство мониторинга солнечной электростанции включает блок измерения параметров и отбора максимальной мощности солнечной батареи, блок коммутации, блок электронной нагрузки, блок управления, блок измерения параметров солнечного излучения, блок измерения параметров окружающей среды, блок передачи данных, включающий последовательно соединенные каналами связи модем, сервер и компьютер, блок контроля точности слежения за Солнцем и блок анализа данных, при этом блок контроля точности слежения за Солнцем включает цилиндрический корпус, в котором последовательно установлены входная диафрагма, полупрозрачный экран и регистрирующий элемент в виде позиционно-чувствительной матрицы. Изобретение обеспечивает возможность создания устройства мониторинга солнечной электростанции, которое позволяет достигнуть повышения энерговыработки солнечной электростанции путем контроля точности слежения за Солнцем. 2 ил.

Изобретение относится к солнечной энергетике, в частности к способу изготовления фотопреобразователей, и может быть использовано в электронной промышленности для преобразования световой энергии в электрическую энергию. Способ изготовления фотопреобразователя включает формирование меза-структуры из фоточувствительной полупроводниковой гетероструктуры А3В5, нанесение антиотражающего покрытия, формирование диэлектрического покрытия на периферии фоточувствительной области и на боковой поверхности меза-структуры, формирование шин омического контакта на фронтальной поверхности гетероструктуры и контактной площадки на боковой поверхности меза-структуры, покрытой слоем диэлектрика, формирование тыльного омического контакта. Изобретение позволяет увеличить быстродействие фотопреобразователя. 2 з.п. ф-лы, 2 ил.

Способ изготовления омических контактов фотоэлектрического преобразователя включает напыление на гетероструктуру A3B5 основы фронтального омического контакта через первую фоторезистивную маску с рисунком фронтального омического контакта и основы тыльного омического контакта, термообработку полученной структуры, формирование фронтального омического контакта через вторую фоторезистивную маску и тыльного омического контакта путем электрохимического осаждения золота в импульсном режиме при частоте импульсного сигнала 30-200 Гц, коэффициенте заполнения 0,2-0,5 сначала при плотности тока 0,002-0,005 мА/мм2 1-2 минуты, а затем при плотности тока 0,02-0,05 мА/мм2 до заданной толщины. Фронтальный омический контакт формируют через вторую фоторезистивную маску с суженным на 0,5-1 мкм рисунком фронтального омического контакта. Изобретение позволяет улучшить фотоэлектрические параметры фотоэлектрического преобразователя за счет уменьшения омических потерь. 4 ил., 3 пр.

Изобретение относится к солнечной энергетике. Способ изготовления фотоэлектрического преобразователя включает последовательное формирование фоточувствительной полупроводниковой гетероструктуры А3В5 с пассивирующим слоем и контактным слоем GaAs, удаление контактного слоя над фотоприемными участками полупроводниковой гетероструктуры химическим травлением через первую фоторезистивную маску, обработку открытых поверхностей пассивирующего слоя ионно-лучевым травлением, осаждение антиотражающего покрытия, удаление первой фоторезистивной маски и лежащих на ней участков диэлектрического антиотражающего покрытия, формирование тыльного омического контакта и формирование фронтального омического контакта по меньшей мере через одну вторую фоторезистивную маску, содержащую подслой из антиотражающего покрытия. Изготовленный фотоэлектрический преобразователь имеет сниженные оптические потери. 3 з.п. ф-лы, 4 пр., 7 ил.

Изобретение может быть использовано для создания СВЧ-фотодетекторов на основе эпитаксиальных структур GaAs/AlxGa1-xAs, чувствительных к излучению на длине волны 810-860 нм. Способ заключается в создании фоточувствительной области и контактной площадки для бондинга вне фоточувствительной области на полупроводниковой подложке, формировании на фоточувствительной области антиотражающего покрытия и шин фронтального омического контакта шириной 4-10 мкм. Шины фронтального омического контакта выполняют путем осаждения трехслойного покрытия, состоящего из нижнего слоя серебра, слоя золота и верхнего слоя серебра. Создают тыльный омический контакт, формируют меза-структуру, проводят чернение верхнего слоя серебра шин фронтального омического контакта путем обработки фотодетектора в растворе на основе сульфида натрия, гидроксида натрия и сернистокислого натрия в течение 15-30 с или в растворе на основе FeCl3 в течение 5-15 с. Изобретение обеспечивает возможность изготовления фотодетектора (подводимого по оптоволокну лазерного излучения), имеющего увеличенную рабочую мощность, увеличенную степень поглощения падающего излучения и пониженную величину коэффициента отражения излучения, и, как следствие, уменьшенную долю излучения, попадающего при отражении от фотодетектора в оптоволокно, при этом поскольку лазерное излучение подводится к фотодетектору по оптоволокну, то это обеспечивает фокусировку излучения на фоточувствительную область фотодетектора и соответственно препятствует попаданию и отражению излучения от контактных площадок. 2 з.п. ф-лы, 6 ил.

Изобретение относится к области разработки и изготовления фоточувствительных полупроводниковых приборов на основе GaAs. Способ изготовления мощного импульсного фотодетектора, работающего в фотовольтаическом режиме (с нулевым напряжением смещения), на основе GaAs включает последовательное выращивание методом жидкофазной эпитаксии на n-GaAs подложке слоя n-AlxGa1-xAs при х=0,10-0,15, слоя i-GaAs, слоя р-GaAs и слоя p-AlxGa1-xAs при х=0,2-0,3 в начале роста и при х=0,09-0,16 в приповерхностной области слоя. Изобретение обеспечивает возможность создания импульсного фотодетектора на основе GaAs, работающего в фотовольтаическом режиме (без смещения), с уменьшенной емкостью, повышенными быстродействием и фоточувствительностью, и тем самым увеличения кпд преобразования импульсов мощного лазерного излучения, модулированного в гигагерцовом диапазоне частот. 4 з.п. ф-лы, 4 ил., 2 пр.

Изобретение относится к оптоэлектронике и может быть использовано для создания мощного СВЧ фотодетектора на основе эпитаксиальных структур GaAs/AlxGa1-xAs, чувствительных к излучению на длине волны 810-860 нм. Способ заключается в создании многослойной структуры из системы чередующихся слоев AlxGa1-xAs и GaAs на подложке GaAs n-типа, создании широкозонного окна AlxGa1-xAs на поверхности многослойной структуры, формировании контактного слоя GaAs р-типа на поверхности широкозонного окна, создании фронтального и тыльного омических контактов, формировании просветляющего покрытия, проведении пассивации боковой поверхности меза-структуры. Шину фронтального омического контакта выполняют в виде усеченной пирамиды с широким тыльным основанием и зеркальной боковой поверхностью. Изобретение обеспечивает снижение омических потерь и потерь на затенение фоточувствительной области фотодетектора путем создания контактных шин в виде усеченных пирамид с широким основанием и с зеркальными боковыми стенками, увеличение рабочей мощности фотодетектора, снижение токов утечки по боковой поверхности фотодетектора. 2 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к солнечной энергетике и может быть использовано в электронной промышленности для преобразования световой энергии в электрическую. Способ изготовления многопереходного солнечного элемента согласно изобретению включает последовательное формирование субэлемента из Ge с p-n переходом, первого туннельного диода, субэлемента Ga(In)As с p-n переходом, второго туннельного диода, субэлемента из GaInP с p-n переходом и контактного слоя из GaAs, нанесение тыльного омического контакта р-типа на тыльную сторону субэлемента из Ge и нанесение через первую маску первого омического контакта n-типа на контактный слой GaAs, удаление химическим травлением через вторую маску участков контактного слоя из GaAs, где отсутствует первый омический контакт, и нанесение на эти участки просветляющего покрытия, создание ступенчатой разделительной мезы путем травления через третью маску контактного слоя из GaAs и субэлемента из GaInP на глубину 0,2-0,4 мкм, осаждения через третью маску первого пассивирующего покрытия, вскрытия через четвертую маску первых окон в первом пассивирующем покрытии, осаждения второго омического контакта p-типа на вскрытые первые окна, травления через пятую маску, закрывающую второй омический контакт, субэлемента из GaInP и субэлемента из Ga(In)As до субэлемента из Ge, осаждения через пятую маску второго пассивирующего покрытия, вскрытия через шестую маску вторых окон во втором пассивирующем покрытии, осаждения третьего омического контакта n-типа на вскрытые вторые окна, травления через седьмую маску, закрывающую третий омический контакт, субэлемента из Ge на глубину 2-10 мкм и осаждения через седьмую маску третьего пассивирующего покрытия. Изобретение позволяет изготавливать многопереходный солнечный элемент с повышенной эффективностью преобразования солнечного излучения в электрическую энергию. 3 з.п. ф-лы, 2 ил., 4 пр.

Способ изготовления гетероструктурного солнечного элемента включает выращивание полупроводниковой гетероструктуры на германиевой подложке, создание омических контактов со стороны тыльной поверхности германиевой подложки и со стороны фронтальной поверхности гетероструктуры, нанесение просветляющего покрытия на фронтальную поверхность гетероструктуры, создание разделительной мезы через маску фоторезиста путем травления первой канавки в полупроводниковой гетероструктуре до германиевой подложки. После создания первой канавки осуществляют пассивацию поверхности первой канавки диэлектриком, после чего проводят травление через маску из фоторезиста второй канавки в германиевой подложке глубиной не менее 2 мкм и шириной на 5-10 мкм уже ширины первой канавки и покрывают вторую канавку диэлектриком. Способ согласно изобретению позволяет увеличить выход годных гетероструктурных солнечных элементов и повысить надежность их эксплуатации особенно в условиях космического пространства. 1 з.п. ф-лы, 2 ил., 5 пр.

Способ изготовления каскадных солнечных элементов включает последовательное нанесение на фронтальную поверхность фоточувствительной полупроводниковой структуры GaInP/GaInAs/Ge пассивирующего слоя и контактного слоя GaAs, локальное удаление контактного слоя травлением через маску фоторезиста. Далее создают многослойное просветляющее покрытие на открытой части пассивирующего слоя. Напыляют основу омических контактов на поверхности полосок контактного слоя через маску фоторезиста и на тыльной поверхности фоточувствительной полупроводниковой структуры. После вжигания напыленной основы омических контактов утолщают ее импульсным электрохимическим осаждением слоя золота или серебра толщиной 5-10 мкм на полоски основы омических контактов через маску задубленного фоторезиста с вертикальными боковыми стенками и на основу омического контакта на тыльной поверхности фоточувствительной полупроводниковой структуры. Создают разделительную мезу плазмохимическим травлением фоточувствительной полупроводниковой структуры со стороны фронтальной поверхности на глубину 10-15 мкм через маску задубленного фоторезиста. Наносят защитный слой из термостойкого и химически стойкого диэлектрика на боковую поверхность разделительной мезы. Изобретение обеспечивает изготовление солнечных элементов с минимизированной степенью затенения светочувствительной области, с утолщенными омическими контактами, обладающими высокими электропроводящими свойствами, высокой износостойкостью. 7 з.п. ф-лы, 4 ил., 8 пр.

Способ изготовления чипов каскадных фотоэлементов относится к солнечной энергетике. Способ включает выращивание фоточувствительной многослойной полупроводниковой структуры на германиевой подложке, последовательное выращивание на поверхности фоточувствительной многослойной структуры пассивирующего слоя и контактного слоя, создание сплошных омических контактов на тыльной и фронтальной поверхностях фоточувствительной многослойной полупроводниковой структуры. Формирование контактной сетки на фотоэлементах осуществляют локальным травлением химическим и ионно-лучевым методами омического контакта и контактного слоя для открытия части нижележащего пассивирующего слоя и создают многослойное просветляющее покрытие на открытой части пассивирующего слоя. Далее проводят разделение многослойной структуры на чипы и пассивируют боковую поверхность чипов диэлектриком. Способ позволяет уменьшить затенение фоточувствительной поверхности фотоэлементов и одновременно упростить технологию. 1 з.п. ф-лы, 7 пр., 5 ил.

Изобретение относится к созданию высокоэффективных солнечных элементов на основе полупроводниковых многослойных наногетероструктур для прямого преобразования энергии солнечного излучения в электрическую энергию с использованием солнечных батарей

Изобретение относится к солнечной энергетике, в частности к конструкции солнечного фотоэлектрического субмодуля, и может быть использовано в электронной промышленности для преобразования световой энергии в электрическую

Изобретение относится к солнечной энергетике, в частности к способу получения чипов солнечных фотоэлементов, и может быть использовано в электронной промышленности для преобразования световой энергии в электрическую

Изобретение относится к области конструкции и технологии изготовления оптоэлектронных приборов, а именно к конструкции фотоэлектрических преобразователей

Изобретение относится к солнечной энергетике, в частности к способу получения чипов солнечных фотоэлементов, и может быть использовано в электронной промышленности для преобразования световой энергии в электрическую

Изобретение относится к солнечной энергетике, в частности к способу создания солнечных элементов, и может быть использовано в электронной промышленности для преобразования световой энергии в электрическую

Изобретение относится к солнечной энергетике, в частности к способу создания фотоэлектрических преобразователей, и может быть использовано в электронной промышленности для преобразования световой энергии в электрическую

Изобретение относится к солнечной энергетике

Изобретение относится к солнечной энергетике, в частности к способу изготовления фотоэлектрических преобразователей, и может быть использовано в электронной промышленности для преобразования световой энергии в электрическую

 


© Патентный поиск, поиск патентов на изобретения - FindPatent.RU 2012-2024
Политика конфиденциальности
Наверх