Патенты автора Ионин Андрей Алексеевич (RU)
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в обеспечении возможности считывания метки с любого произвольного направления. Метка, выполненная в объеме прозрачного объекта, с возможностью считывания с любого произвольного направления, несущая записанную информацию, закодированную во взаимном расположении элементов метки, отличающаяся тем, что представляет собой объемную метку, выполненную посредством обработки прозрачного объекта рабочим оптическим излучением с подачей рабочих ультракоротких импульсов излучения, при этом элементы метки выполнены вдоль трех не совпадающих между собой отрезков, лежащих в одной плоскости, где угол между произвольно выбранным первым отрезком и вторым отрезком, отсчитанный от первого отрезка по часовой стрелке, лежит в диапазоне от 0 до 180 градусов, угол между первым отрезком и третьим отрезком, отсчитанный от первого отрезка по часовой стрелке, лежит в диапазоне от 180 до 360 градусов, продолжение третьего отрезка за точку пересечения с любым из первого или второго отрезков лежит в угловом секторе между первым и вторым отрезком, при этом каждая из последовательностей элементов метки, выполненных вдоль каждого из отрезков, достаточна для полного декодирования записанной информации. 6 з.п. ф-лы, 9 ил.
Изобретение относится к технологии создания внутри алмазов изображений, несущих информацию различного назначения, например, кода идентификации, метки, идентифицирующие алмазы. Способ записи информации внутри кристалла алмаза 1 включает проектирование информационного элемента в виде метки с помощью устройства 10, подготовку поверхности кристалла, позиционирование кристалла с использованием средств 2, 5, 6, 7, 8, 9 для создания информационного элемента, формирование информационного элемента путем воздействия излучением лазера 11 на кристалл, контроль создания информационного элемента и корректировку информационного элемента, при этом предварительно кристалл алмаза 1 размечают на бриллианты, проводят исследование кристалла на наличие макроскопических дефектов, создают его объемную цифровую модель с учетом внутренней дефектности кристалла, в том числе топологии поверхности, проектирование информационного элемента осуществляют так, чтобы он находился в требуемом месте будущего бриллианта, и осуществляют виртуальную привязку, позиционирование и ориентацию записываемого в объем кристалла информационного элемента относительно элементов огранки будущих бриллиантов, после проектирования производят расчет траектории хода лучей 12, задают параметры - размеры и геометрию фокальной области излучения через выбор точек приложения излучения, разделение луча на части в устройстве 16 и заведение всех частей луча под разными углами, маскирование части профиля луча, на основе расчета производят выбор интегрального флюенса в месте записи ниже порогового флюенса, при котором происходит локальное превращение алмаза в графит или иную неалмазную форму углерода, или образование в кристалле трещин или расколов, проводят подготовку поверхности кристалла, при позиционировании кристалла совмещают его трехмерную модель с его реальным положением, формирование информационного элемента производят системой линз 19 путем создания внутри кристалла 1 интерференционного поля путем пересечения двух или более пучков когерентного излучения лазеров с ультракороткими импульсами длительностью от 30 фс до 10 пс и энергией от 1 нДж до 40 мкДж с длиной волны от 240 до 2200 нм, приводящих к возникновению субмикронных периодических структур в записываемой области, после чего осуществляют контроль создания информационного элемента устройством 21 на основе топологии поверхности кристалла алмаза путем расчета хода лучей и их преломления для точного позиционирования информационного элемента для исключения эффекта кажущегося изменения положения и формы информационного элемента. Техническим результатом является запись информационного элемента в виде метки как целиком, так и поэлементно, повышение глубины, локальности и, соответственно, плотности записи в кристаллах, а также надежность создания оптически проницаемого изображения внутри кристаллов с различным содержанием атомарных и микроскопических дефектов, и его последующее детектирование. 44 з.п. ф-лы, 6 ил.
СПОСОБ БОРЬБЫ С БАКТЕРИАЛЬНЫМИ БИОПЛЁНКАМИ // 2737417
Изобретение относится к способу борьбы с бактериальными биопленками и может использоваться в медицине и ветеринарии. Способ борьбы с бактериальными биопленками заключается в том, что обеспечивают подложку из пластика, прозрачного для излучения используемого впоследствии лазера; наносят на одну сторону упомянутой подложки металлический слой из серебра или меди субмикронной толщины; накладывают упомянутую подложку нанесенным металлическим слоем на упомянутую бактериальную биопленку; сканируют упомянутый металлический слой через упомянутую подложку импульсами излучения упомянутого лазера с энергией импульса 0,2 мДж, обеспечивая в результате аппликационный перенос вещества упомянутого металлического слоя в виде наночастиц на упомянутую бактериальную биопленку. Изобретение обеспечивает упрощение применения и предотвращения прямого воздействия лазерного излучения на ткани организма при высокой эффективности. 2 з.п. ф-лы, 1 табл., 2 ил.
Изобретение относится к способам создания внутри алмазов изображений, несущих информацию различного назначения, например кода идентификации, метки, идентифицирующие алмазы. Техническим результатом является повышение точности создания оптически проницаемого изображения внутри алмаза и его детектирования. Указанный технический результат достигается в способе создания оптически проницаемого изображения внутри алмаза, в котором под поверхностью алмаза создают изображение, состоящее из заданной совокупности оптически проницаемых элементов микронного или субмикронного размера, представляющих собой нарушения в периодичности кристаллической структуры алмаза, при этом создают изображение, являющееся меткой, состоящей из заданной совокупности оптически проницаемых элементов микронного или субмикронного размера, представляющих собой нарушения в периодичности кристаллической структуры алмаза с участием химических элементов примесей, образованных на вакансиях и междоузлиях в объеме микронного или субмикронного размера. Образование нарушений в периодичности кристаллической структуры алмаза осуществляют посредством обработки алмаза оптическим излучением, сфокусированным в фокальной области, расположенной в области предполагаемого размещения нарушений в периодичности кристаллической структуры алмаза, с подачей ультракоротких импульсов излучения, обеспечивающих образование заданной совокупности оптически проницаемых элементов микронного или субмикронного размера, выполненных на вакансиях и междоузлиях, в указанной фокальной области, и обеспечивающих интегральный флюенс в указанной фокальной области ниже порогового флюенса, при котором происходит локальное превращение алмаза в графит или иную неалмазную форму углерода или образование в кристалле трещин, расколов. 5 н. и 12 з.п. ф-лы, 4 ил.
Изобретение относится к меткам, используемым для маркировки драгоценных камней, в том числе алмазов или бриллиантов, и несущим информацию различного назначения, например коды идентификации, в частности к меткам, невидимым невооруженным глазом, с помощью увеличительных стекол и микроскопов различных типов, в частности к меткам, расположенным внутри объема алмазов или бриллиантов без влияния на их характеристики, приводящего к нанесению ущерба качеству алмазов или бриллиантов. Техническая проблема заявленного решения заключается в расширении области применения метки на алмазы с разным содержанием естественных примесей, в том числе азота с достижением технического результата, заключающегося в решении указанной проблемы с одновременным упрощением процесса нанесения метки и уменьшением возможного влияния на свойства камня в процессе нанесения метки. Указанный технический результат достигается применением оптически проницаемой метки, расположенной внутри объема алмаза или бриллианта, содержащей заранее заданную закодированную информацию и состоящей из заданной совокупности оптически проницаемых элементов микронного или субмикронного размера, представляющих собой области повышенной концентрации атомарных дефектов кристаллической решетки алмаза или бриллианта, атомарные дефекты кристаллической решетки алмаза или бриллианта представляют собой вакансии и междоузлия, при этом указанная информация закодирована в по меньшей мере двух областях повышенной концентрации указанных атомарных дефектов. Информация закодирована во взаимном пространственном расположении указанных областей, в вариациях концентраций атомарных дефектов в указанных областях, в вариациях размеров или геометрических форм указанных областей, созданных посредством воздействия на алмаз оптическим излучением, сфокусированным в фокальной области, расположенной в области предполагаемого размещения указанных областей метки. 4 з.п. ф-лы, 3 ил.
Настоящее изобретение относится к способу формирования сильнолегированного серой микроструктурированного кристаллического слоя на поверхности кремния, который может быть использован в солнечной энергетике, оптоэлектронике, приборах ночного и тепловидения. Способ заключается в размещении поверхности кремния под химически активной жидкой средой серосодержащего соединения и облучении поверхности кремния импульсами сфокусированного лазерного излучения наносекундной длительности инфракрасного диапазона, при этом задают плотность энергии лазерного излучения достаточной для проникновения этим излучением через жидкую среду к поверхности кремния с разложением молекул серосодержащего соединения до выделения атомов серы и для нагрева поверхности кремния до температуры, при которой происходит диффузия в нее атомов серы вместе с ее абляционным микроструктурированием и отжигом. Технический результат изобретения состоит в многократном расширении области и величины высокой поглощательной способности (в том числе высокого коэффициента поглощения) поверхностного слоя кремния в процессе сверхлегирования атомами серы под действием лазерного облучения с сохранением его кристаллического характера. 6 з.п. ф-лы, 5 ил.
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ МИКРОСТРУКТУРИРОВАННОГО И ВЫСОКОДОПИРОВАННОГО СЛОЯ НА ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЯ // 2550868
Изобретение может быть использовано при изготовлении фоточувствительных элементов солнечной энергетики и приборов ночного видения. Сухую поверхность кремния облучают множественными фокусированными ультракороткими фемто- или короткими пикосекундными лазерными импульсами (УКИ) для её абляционного микроструктурирования. Затем для допирования поверхностного слоя кремния атомами серы микроструктурированную поверхность обрабатывают множественными УКИ под тонким слоем жидкой фазы сероуглерода, для чего в него погружают мишень кремния. Атомы серы, образовавшиеся в результате разложения сероуглерода, диффундируют в объем конденсированной фазы кремния. Изобретение обеспечивает формирование микроструктурированного высокодопированного - до 5 ат % атомами серы слоя на поверхности кремния. 1 з.п. ф-лы, 4 ил.
Заявленная группа изобретений относится к средствам для формирования субдифракционной квазирегулярной одно- и двумерной нанотекстуры поверхности различных материалов для устройств нанофотоники, плазмоники, трибологии или для создания несмачиваемых покрытий. Данное изобретение позволяет повысить пространственное разрешение способа субдифракционного одно- и двумерного нанотекстурирования поверхностей различных материалов - металлов, полупроводников, диэлектриков - под действием множественных ультракоротких импульсов (УКИ), с повышением периодичности одно- и двумерной поверхностной нанотекстуры до ≈20-100 нм. Предложенный способ основан на облучении поверхности материалов множественными фокусированными УКИ фемто- или короткими пикосекундными, импульсами поляризованного электромагнитного поля, мгновенном - в течение каждого УКИ - возбуждении ими на поверхности поверхностных электромагнитных волн, интерференции в течение каждого УКИ падающих на поверхность УКИ и/или возбужденных ими на поверхности поверхностных плазмон-поляритонов и локальном абляционном удалении материала после каждого УКИ из областей максимумов интерференции на поверхности фотовозбужденного материала с формированием регулярного одно- или двумерного рельефа. При этом параметры УКИ - длительность, центральная длина волны и ширина спектра, спектральный чирп, плотность энергии - выбираются так, чтобы обеспечить для металла или электронно-возбужденного полупроводника/диэлектрика из всей ветви поверхностных плазмон-поляритонов резонансное возбуждение именно поверхностного плазмона, или сам резонанс поверхностного плазмона направленно подстроить под спектр УКИ путем фотоиндуцированного изменения оптических постоянных материала под действием УКИ, и далее динамически поддерживать резонансное возбуждение поверхностного плазмона в течение УКИ. Указанный способ реализуется при помощи соответствующего устройства. 2 н. и 3 з.п. ф-лы, 5 ил.
Изобретение относится к способам создания внутри алмазов изображений, несущих информацию различного назначения, например коды идентификации, метки, идентифицирующие алмазы
Изобретение относится к лазерной физике и может быть использовано для повышения мощности и эффективности генерации электроразрядных СО лазеров, а также для создания мощного компактного электроразрядного СО лазера или усилителя ИК-излучения
