Патенты автора Селезнев Леонид Владимирович (RU)
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ МИКРОСТРУКТУРИРОВАННОГО И ВЫСОКОДОПИРОВАННОГО СЛОЯ НА ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЯ // 2550868
Изобретение может быть использовано при изготовлении фоточувствительных элементов солнечной энергетики и приборов ночного видения. Сухую поверхность кремния облучают множественными фокусированными ультракороткими фемто- или короткими пикосекундными лазерными импульсами (УКИ) для её абляционного микроструктурирования. Затем для допирования поверхностного слоя кремния атомами серы микроструктурированную поверхность обрабатывают множественными УКИ под тонким слоем жидкой фазы сероуглерода, для чего в него погружают мишень кремния. Атомы серы, образовавшиеся в результате разложения сероуглерода, диффундируют в объем конденсированной фазы кремния. Изобретение обеспечивает формирование микроструктурированного высокодопированного - до 5 ат % атомами серы слоя на поверхности кремния. 1 з.п. ф-лы, 4 ил.
Заявленная группа изобретений относится к средствам для формирования субдифракционной квазирегулярной одно- и двумерной нанотекстуры поверхности различных материалов для устройств нанофотоники, плазмоники, трибологии или для создания несмачиваемых покрытий. Данное изобретение позволяет повысить пространственное разрешение способа субдифракционного одно- и двумерного нанотекстурирования поверхностей различных материалов - металлов, полупроводников, диэлектриков - под действием множественных ультракоротких импульсов (УКИ), с повышением периодичности одно- и двумерной поверхностной нанотекстуры до ≈20-100 нм. Предложенный способ основан на облучении поверхности материалов множественными фокусированными УКИ фемто- или короткими пикосекундными, импульсами поляризованного электромагнитного поля, мгновенном - в течение каждого УКИ - возбуждении ими на поверхности поверхностных электромагнитных волн, интерференции в течение каждого УКИ падающих на поверхность УКИ и/или возбужденных ими на поверхности поверхностных плазмон-поляритонов и локальном абляционном удалении материала после каждого УКИ из областей максимумов интерференции на поверхности фотовозбужденного материала с формированием регулярного одно- или двумерного рельефа. При этом параметры УКИ - длительность, центральная длина волны и ширина спектра, спектральный чирп, плотность энергии - выбираются так, чтобы обеспечить для металла или электронно-возбужденного полупроводника/диэлектрика из всей ветви поверхностных плазмон-поляритонов резонансное возбуждение именно поверхностного плазмона, или сам резонанс поверхностного плазмона направленно подстроить под спектр УКИ путем фотоиндуцированного изменения оптических постоянных материала под действием УКИ, и далее динамически поддерживать резонансное возбуждение поверхностного плазмона в течение УКИ. Указанный способ реализуется при помощи соответствующего устройства. 2 н. и 3 з.п. ф-лы, 5 ил.
Изобретение относится к способам создания внутри алмазов изображений, несущих информацию различного назначения, например коды идентификации, метки, идентифицирующие алмазы
Изобретение относится к лазерной физике и может быть использовано для повышения мощности и эффективности генерации электроразрядных СО лазеров, а также для создания мощного компактного электроразрядного СО лазера или усилителя ИК-излучения
