Патенты автора Кудряшов Дмитрий Александрович (RU)
Изобретение относится к изготовлению солнечных элементов и может быть использовано в фотоэнергетике, преимущественно в солнечных элементах или фотоэлектрических преобразователях (ФЭП) при преобразовании солнечного излучения. Способ изготовления периодической вертикально-ориентированной столбчатой структуры ФЭП включает формирование на поверхности кристаллического кремния рельефа из периодической вертикально-ориентированной столбчатой структуры с волокнами диаметром 0,1-2,5 мкм и высотой 0,5-10 мкм, находящимися на расстоянии друг от друга не меньшем, чем две суммарные толщины всех последующих осажденных на волокна слоев. Формирование вертикально-ориентированной столбчатой структуры производится методом сухого плазмохимического травления с использованием полистирольных сфер в качестве маски с последующей химической обработкой поверхности для удаления поврежденного слоя кремния толщиной 5-50 нм. Далее на волокна последовательно осаждаются полупроводниковые слои твердых растворов на основе соединений А3В5 или a-SiC:H для формирования нижнего перехода на основе кристаллического кремния и формирования одного или нескольких верхних p-n или p-i-n переходов фотоэлектрического преобразователя. В результате при освещении такой конструкции со стороны волокон свет проходит значительно большее расстояние и поглощается в полупроводниковых слоях верхнего перехода или переходов в значительно большей степени, чем в случае с плоской (планарной) конструкцией. Конструкция может быть изготовлена с использованием, как кремниевых пластин, так и слоев кристаллического кремния толщиной 2-20 мкм, сформированных на несущей подложке, в том числе гибкой. Изобретение обеспечивает возможность увеличения тока короткого замыкания верхнего каскада ФЭП, и как следствие, повышение КПД всего ФЭП. 2 н. и 1 з.п. ф-лы, 4 ил.
Использование: для синтеза полых квазиодномерных наноструктур. Сущность изобретения заключается в том, что способ роста GaN нанотрубок, активированного легирующей примесью Si на подложке Si с тонким буферным слоем AlN, включает осаждение материалов методом молекулярно-пучковой эпитаксии, перед осаждением ростового материала происходит удаление оксидного слоя в условиях сверхвысокого вакуума, далее следует эпитаксиальное осаждение буферного слоя на ростовую подложку, эпитаксиальное осаждение материалов синтезируемой нанотрубки на ростовую подложку, эпитаксиальное осаждение на ростовую подложку атомов элемента, который, взаимодействуя с поверхностными атомами растущего кристалла, влияет на кинетику и/или динамику ростового процесса. Технический результат: обеспечение возможности улучшения качества кристаллической решетки и качества огранки. 2 з.п. ф-лы, 2 ил.
Изобретение относится к области полупроводниковой опто- и микроэлектроники и может быть использовано при создании приборов на основе полупроводниковых гетероструктур, в том числе многопереходных фотоэлектрических преобразователей. Задачей, решаемой настоящим изобретением, является снижение диффузии атомов III и V группы в кремний при формировании полупроводниковых слоев фосфида галлия (GaP) и азотсодержащих твердых растворов на его основе (GaPN) за счет снижения температуры процесса осаждения. Техническим результатом является формирование на поверхности кремния с помощью предлагаемого метода слоев фосфида галлия и его твердых растворов (GaPN) с шероховатостью, не превосходящей 1 нм, и уменьшение концентрации дефектов в кремниевой подложке в приповерхностной области вблизи границы раздела GaP/Si. 4 з.п. ф-лы, 4 ил.
Изобретение относится к солнечной энергетике, в частности к конструкции и составу слоев фотоэлектрических преобразователей с несколькими переходами. Задачей заявляемого изобретения является создание фотоэлектрического преобразователя с несколькими р-n-переходами, отличающегося повышенным КПД за счет введения в состав фотопреобразователя близких по параметру решетки с кремнием слоев на основе многокомпонентных полупроводниковых соединений А2В4С52. В качестве подложки для фотоэлектрического преобразователя выбран кристаллический кремний, обладающий высокими прочностными и теплопроводными характеристиками. Техническим результатом, позволяющим выполнить поставленную задачу, является использование в составе фотоэлектрического преобразователя полупроводниковых слоев соединений А2В4С52, близких по параметру решетки к кремнию, например слои ZnGeP2 и ZnSiP2, в результате чего не происходит формирование кристаллических дефектов, таких как дислокации несоответствия, что приводит к увеличению квантовой эффективности преобразования оптического излучения фотопреобразователя, при этом результат достигается за счет увеличения времени жизни неосновных носителей заряда по причине уменьшения плотности кристаллических дефектов за счет использования полупроводниковых слоев соединений А2В4С52, близких по параметру решетки к кремнию, например слои ZnGeP2 и ZnSiP2. 7 з.п. ф-лы, 4 ил.
Изобретение относится к области полупроводниковой опто- и микроэлектроники
Изобретение относится к области обработки полупроводниковых материалов, а именно к химико-механическим способам полирования полупроводников
Изобретение относится к солнечной энергетике, в частности к способу создания фотоэлектрических преобразователей методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений (МОСГФЭ), и может быть использовано в электронной промышленности для преобразования световой энергии в электрическую
