Патенты автора Смирнова Зинаида Игоревна (RU)
Изобретение относится к области полупроводникового материаловедения, а именно – к технологии получения тонких фоточувствительных пленок селенида свинца, широко используемых в изделиях оптоэлектроники в ИК-диапазоне 1-5 мкм, лазерной и сенсорной технике. Пленки селенида свинца осаждают на подложку из диэлектрических материалов из водных растворов, содержащих соль свинца (II), этилендиамин, ацетат аммония, селеномочевину, при осаждении в раствор дополнительно вводят в качестве антиоксиданта для селеномочевины аскорбиновую кислоту в количестве 0,001-0,01 моль/л, после чего проводят термообработку осажденных пленок на воздухе при 503-583 K. Технический результат изобретения: повышение фоточувствительности пленок селенида свинца к ИК-излучению, а также снижение температуры сенсибилизирующей термообработки на 90-140 K. 1 табл.
Пленки твердых растворов замещения PbSnSe - востребованный материал полупроводниковой оптоэлектроники и лазерной техники среднего и дальнего инфракрасного диапазона. Однако достигнутое на сегодня содержание олова в составе гидрохимически синтезируемых пленок PbSnSe не обеспечивает в полной мере их фоточувствительности к дальнему ИК-диапазону. В способе получения пленок твердых растворов замещения PbSnSe методом ионообменного замещения обработку предварительно полученных пленок PbSe проводят в водном растворе соли олова(II), содержащем растворимую уксуснокислую соль или уксуснокислую кислоту в количестве до 6,0 моль/л при температуре процесса 353-371 K с последующей обработкой на воздухе при температуре от 523 до 723 K. Технический результат изобретения состоит в сдвиге спектрального диапазона фоточувствительности пленок твердых растворов PbSnSe, получаемых из водного раствора методом ионного обмена, в дальний инфракрасный диапазон. 1 табл.
Изобретение относится к области получения полупроводниковых материалов, а именно фоточувствительных пленок селенида свинца, используемых для изготовления фотодетекторов ИК-излучения в диапазоне длин волн 1-5 мкм
