Патенты автора Новиков Юрий Николаевич (RU)

Флэш элемент памяти электрически перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства предназначен для хранения информации при отключенном питании. На полупроводниковой подложке с истоком и стоком между последними выполнены туннельный слой, дополнительный туннельный слой, запоминающий слой, блокирующий слой и затвор. При этом дополнительный туннельный и блокирующий слои выполнены из материала с высоким значением диэлектрической проницаемости, от 5 до 2000, превосходящим диэлектрическую проницаемость материала туннельного слоя, выполненного из SiO2. Запоминающий слой выполнен в виде графена. В результате обеспечивается увеличение времени хранение заряда, увеличение окна памяти до 7 В, возможность инжекции положительного и отрицательного заряда, снижение времени записи/стирания информации, увеличение времени хранения информации до 12 лет. 5 з.п. ф-лы, 4 ил.
Изобретение относится к области химической технологии, а именно к области получения соединений электролитическим способом, конкретно к способам получения интеркаляционных соединений, содержащих чередующиеся монослои дихалькогенида металла и органического вещества

Изобретение относится к области химической технологии, а именно к области получения соединений электролитическим способом, конкретно к способам получения интеркаляционных соединений MoS 2, содержащих чередующиеся монослои дисульфида молибдена и органического вещества

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к электрически перепрограммируемым постоянным запоминающим устройствам (ЭППЗУ), сохраняющим информацию при отключенном питании (флэш-память), и может быть использовано в устройствах памяти вычислительных машин, микропроцессорах, флэш-памяти, в портативных электронных устройствах, таких как цифровые видеокамеры и фотоаппараты, плееры, электронные карточки (смарт-карты)

 


Наверх