Патенты автора ХОСОНО Хидео (JP)

Изобретение относится к области термоэлектрического преобразования энергии. Сущность: термоэлектрический материал содержит полупроводниковую подложку, полупроводниковую оксидную пленку, образованную на полупроводниковой подложке, и термоэлектрический слой, выполненный на полупроводниковой оксидной пленке.

Изобретение относится к катализатору синтеза аммиака. Данный катализатор представляет собой нанесенный металлический катализатор, который нанесен на соединение майенитового типа, содержащее электроны проводимости в концентрации 1015 см-3 или более и служащее носителем для катализатора синтеза аммиака.

Изобретение относится к аморфному оксиду и полевому транзистору с его использованием. .

Изобретение относится к аморфному оксиду и полевому транзистору с его использованием. .

Изобретение относится к аморфному оксиду, применяемому в активном слое полевого транзистора. .

 


Наверх