Патенты автора КАМИЯ Тосио (JP)

Изобретение относится к аморфному оксиду и полевому транзистору с его использованием

Изобретение относится к аморфному оксиду и полевому транзистору с его использованием

Изобретение относится к аморфному оксиду, применяемому в активном слое полевого транзистора