Патенты автора КАМИЯ Тосио (JP)
Изобретение относится к аморфному оксиду и полевому транзистору с его использованием
Изобретение относится к аморфному оксиду и полевому транзистору с его использованием
Изобретение относится к аморфному оксиду, применяемому в активном слое полевого транзистора