Патенты автора САНО Масафуми (JP)

Изобретение относится к инвертору, состоящему из тонкопленочных транзисторов с оксидным полупроводниковым слоем

Изобретение относится к аморфному оксиду и полевому транзистору с его использованием

Изобретение относится к аморфному оксиду и полевому транзистору с его использованием

Изобретение относится к полевым транзисторам с использованием аморфного оксида для активного слоя

Изобретение относится к аморфному оксиду, применяемому в активном слое полевого транзистора