Патенты автора Штерн Максим Юрьевич (RU)
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНОГО ЗАЩИТНОГО ПОКРЫТИЯ НА ПОВЕРХНОСТИ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ // 2779528
Изобретение относится к термоэлектрическому приборостроению и может быть использовано для изготовления защитных покрытий при производстве термоэлементов. Сущность: способ включает механическую обработку, ионное травление поверхности термоэлектрического материала (ТЭМ) и нанесение плазмохимическим методом защитного покрытия в виде тонких пленок диоксида или нитрида кремния. Механическую обработку поверхности ТЭМ проводят до шероховатости, не превышающей толщины формируемой тонкой пленки защитного покрытия. Технический результат: увеличение интервала рабочих температур ТЭМ за счет нанесения на поверхность ТЭМ термостабильного тонкопленочного защитного покрытия, подавляющего сублимацию компонентов ТЭМ, не снижающего разность температур между спаями термоэлемента, имеющего высокую адгезионную прочность с поверхностью ТЭМ. 3 ил.
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ НИКЕЛЕВЫХ ТОЛСТОПЛЕНОЧНЫХ КОНТАКТОВ НА ПОВЕРХНОСТИ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ // 2777305
Изобретение относится к термоэлектрическому приборостроению и может быть использовано для изготовления контактов в производстве термоэлементов. Способ включает механическую обработку, химическую обработку поверхности ТЭМ и химическое осаждение никеля из электролита. Химическую обработку поверхности ТЭМ проводят в хромовой смеси, содержащей 0,59-0,63 моль/л K2Cr2O7 и 4-5 моль/л H2SO4. Химическое осаждение никеля проводят в борогидридном электролите, содержащем NiSO4⋅7H2O 0,089-0,107 моль/л; KNaC4H4O6⋅4H2O 0,25-0,28 моль/л; NaOH 1,5-2 моль/л; C2H5NO2 0,67-0,80 моль/л; NaBH4 0,03-0,04 моль/л с добавлением K2Cr2O7 1,5-1,8⋅10-5 моль/л; при рН=10-13 и температуре 85-90°С. Предложенный способ изготовления никелевых контактов обеспечивает повышение однородности и равномерности пленки никелевого контакта, высокую чистоту осажденного никеля и низкое удельное сопротивление, высокую адгезию и низкое контактное сопротивление в структуре ТЭМ - никелевый контакт. Для реализации химического осаждения никеля, перед химическим осаждением никеля, на поверхности ТЭМ ионно-плазменным напылением формируется подслой никеля при температуре 180-200°С, перед напылением поверхность ТЭМ подвергается вакуум-термическому отжигу и ионной бомбардировке. 1 з.п. ф-лы, 5 ил., 2 табл.
Изобретение относится к термоэлектрическому оборудованию и может быть использовано при производстве термоэлектрических генераторов. Сущность: способ изготовления высокотемпературного термоэлемента с рабочими температурами от 300 до 1000°С, состоящего из двух полупроводниковых ветвей n- и p-типа проводимости, верхние грани которых соединены общей коммутирующей шиной, а к каждой нижней грани ветвей подсоединена своя индивидуальная коммутирующая шина, включает подготовку поверхностей верхней и нижней граней ветвей термоэлемента, создание контактных систем, состоящих из контактных слоев, между гранями ветвей термоэлемента и коммутирующими шинами. Ветви термоэлемента изготавливают из полупроводниковых материалов, представляющих собой твердые растворы SiGe n-типа проводимости, легированного Р, и SiGe p-типа проводимости, легированного В. Поверхности граней ветвей с помощью механической обработки подготавливают до шероховатости, не превышающей толщину первого наносимого слоя контактной системы. В качестве первого слоя используют слой тяжелых металлов Мо или W с низким удельным сопротивлением. Между первым слоем и коммутационным слоем создают дополнительный диффузионно-барьерный слой из аморфной пленки Ta-W-N, обеспечивающей термическую стойкость контактной системы при высоких температурах. Технический результат: обеспечение временной термической стабильности, повышение механической прочности, надежности и эффективности термоэлемента с рабочими температурами из интервала 300-1000°С. 1 табл.
Изобретение относится к термоэлектрическому преобразованию энергии и может быть использовано при производстве термоэлектрических охладителей и генераторов. Сущность: способ получения термоэлектрического элемента включает подготовку верхней и нижней граней ветвей термоэлемента, создание системы контактных слоев между гранями ветвей термоэлемента и коммутирующими шинами. Систему контактных слоев образуют из гомогенного многокомпонентного сплава A-B-C. Компонент A включает по крайней мере один из металлов второй подгруппы первой и восьмой группы периодической системы элементов и сплавов между ними, например Co, Ni, Fe, Pb. Компонент B включает элементы второй подгруппы четвертой, пятой и шестой групп, например Ti, Zr, Ta, Nb. Компонент C включает азот, углерод, кислород, бор. Производят термообработку либо в вакууме, либо в инертной атмосфере. В результате на гранях ветвей формируется многослойная структура. Компоненты B и C взаимодействуют друг с другом и формируют диффузионно-барьерный слой. Компонент A формирует низкоомный контактный слой на границе с полупроводниковой ветвью и катализирует рост наноструктурированного материала на диффузионно-барьерном слое, на котором методом химического осаждения из газовой фазы выращивают наноструктурированный материал. Свободное пространство в нем заполняют металлами с высокой электропроводностью, что обуславливает образование композиционного проводящего материала. Последующую коммутацию ветвей n- и p-типа осуществляют с помощью коммутирующей шины путем неразъемного соединения. Технический результат: повышение адгезии контактной системы, снижение сопротивления омического контакта к полупроводниковому материалу термоэлемента, создание препятствия взаимодействию между слоями контактной системы и взаимодействию контактной системы и полупроводникового материала термоэлектрического элемента при повышенных температурах, повышение механической прочности, надежности и эффективности термоэлектрического элемента. 8 з.п. ф-лы, 5 ил.
ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ МОДУЛЬ // 2364803
Изобретение относится к области электронной техники и касается конструкции термоэлектрического модуля, работающего на основе эффекта Пельтье
ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКОЕ УСТРОЙСТВО // 2358357
Изобретение относится к термоэлектрическим устройствам, работающим на основе эффекта Пельтье
