Патенты автора Стаценко Владимир Николаевич (RU)
Изобретение относится к полупроводниковой технике. Способ предназначен для изготовления гетероэпитаксиальных слоев соединений нитридов металлов III группы (III-N), таких как AlN, GaN, AlGaN и других, на монокристаллических подложках кремния. Соединения III-N используют для создания полупроводниковых приборов силовой и СВЧ электроники. Способ заключается в первоначальном формировании сплошного монокристаллического слоя карбида кремния кубического политипа (3C-SiC) толщиной не более его критической толщины на поверхности кремниевой подложки. На поверхности 3С-SiC наращивают первый слой нитрида алюминия при температуре не более 1000°С и второй слой нитрида алюминия при температуре не более 1250°С. После этого формируют сверхрешетку состава AlN/AlxGa1-xN (0,5≥Х≥0,3) с толщиной чередующихся слоев 10-15 нм при общей толщине не менее 200 нм. Создают многослойную буферную композицию состава AlxGa1-xN, где X уменьшается от 0,3 до 0 по мере роста структуры. В заключение наращивают монокристаллический слой нитрида галлия (GaN) гексагональной ориентации. Изобретения обеспечивает повышение структурного качества и уменьшение механических напряжений гетероэпитаксиальных слоев III-N соединений на монокристаллическом кремнии. 1 пр., 3 ил.
Изобретение относится к области полупроводниковой электроники и может быть использовано для изготовления дискретных ограничителей напряжения. Способ изготовления вертикального низковольтного ограничителя напряжения включает формирование на высоколегированной подложке первого типа проводимости локальных областей скрытого слоя второго типа проводимости, осаждение низколегированного эпитаксиального слоя второго типа проводимости, формирование областей прибора с помощью щелевой изоляции, формирование на поверхности низколегированного слоя высоколегированных областей первого и второго типов проводимости. Формирование локальных областей скрытого слоя проводят путем осаждения высоколегированного эпитаксиального слоя второго типа проводимости с последующим локальным травлением эпитаксиального слоя до высоколегированной подложки первого типа проводимости, причем толщина высоколегированного эпитаксиального слоя составляет не более 1 мкм. Изобретение обеспечивает получение низковольтных низкоемкостных ограничителей напряжения с малыми токами утечки за счет высокого кристаллического совершенства формируемого высоколегированного слоя и минимизации температурной обработки переходов. Способ отличается простотой по сравнению с традиционными способами получения скрытых слоев диффузией и имплантацией примеси и позволяет снизить стоимость изготовления прибора. 6 ил.
Торсиометр // 2681663
Изобретение относится к измерительной технике, предназначено для измерения крутящего момента при передаче мощности через вал. Торсиометр содержит вал с фланцами, который закреплен в корпусе. Корпус выполнен соосным с валом, с возможностью вращения вала соосно с ним, для чего вал установлен в подшипниках качения, установленных в отверстиях, соосных с осью вращения вала, выполненных в торцевых стенках корпуса, при этом подшипники качения зафиксированы от перемещения вдоль вала. Средство снятия отсчета включает два зеркала, закрепленные на валу у торцовых стенок корпуса, и полупроводниковый лазер, установленный в боковой стенке корпуса, с возможностью формирования луча в плоскости, перпендикулярной оси вращения вала, и возможностью попадания луча на первое зеркало, установленное под углом 45° к оси вращения вала, при этом второе зеркало установлено с возможностью падения на него луча, отраженного от первого зеркала, и возможностью его отражения в плоскости под углом к оси вращения вала, для чего второе зеркало ориентировано под углом 15-45° к оси вращения вала и под углом 45° относительно радиуса вала. Вдоль образующей корпуса выполнена прорезь, вдоль которой закреплена линейная измерительная шкала, на ноль которой ориентирован отраженный от второго зеркала луч лазера при отсутствии вращения вала. Технический результат - возможность измерения крутящего момента при вращении вала с относительно большой скоростью. 1 з.п. ф-лы, 4 ил.
Торсиометр // 2679925
Изобретение относится к измерительной технике, предназначено для измерения крутящего момента при передаче мощности через вал. Торсиометр содержит измерительную шкалу, закрепленную на валу, соосно с ним, по периметру которой выполнены радиальные деления и размещенное на расстоянии от измерительной шкалы средство снятия отсчета. Вал снабжен фланцами, выполненными с возможностью соосного скрепления с измеряемым валом. Торсиометр содержит корпус, соосный с валом, выполненный с возможностью вращения вала соосно с ним. Средство снятия отсчета включает диск с щелью, закрепленный на валу, и полупроводниковый лазер, установленный в торцевой стенке корпуса, удаленной от измерительной шкалы, ориентированный с возможностью формирования через щель диска луча, параллельного оси вращения вала и ориентированного на нулевую отметку измерительной шкалы, на которую направлена цифровая видеокамера, закрепленная на стенке корпуса, оптическая ось которой составляет острый угол с осью вращения вала. Кроме того, вал установлен в подшипниках качения, установленных в отверстиях, соосных с осью вращения вала, выполненных в торцевых стенках корпуса, при этом подшипники зафиксированы от перемещения вдоль вала. Технический результат - возможность измерения крутящего момента при вращении вала с относительно большой скоростью. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.
Опреснитель // 2677153
Изобретение относится к установкам для опреснения морской воды и может быть использовано на морских судах для получения пресной воды. Опреснитель содержит теплоизолированную камеру 1, оснащенную патрубком 2 для подвода опресняемой воды, патрубком для отвода опресненной воды, нагревательным элементом 5, конденсатором. Теплоизолированная камера 1 выполнена герметичной с образованием замкнутого воздушного контура, а в ее полости размещен электровентилятор 6 с возможностью подачи воздуха на первый пленочный аппарат 7, перед входом которого размещен выход патрубка 2 подвода опресняемой воды, слив которого расположен над приемником рассола 10. Далее по линии замкнутого воздушного контура размещен первый жалюзийный сепаратор 11, выход которого сообщен с входом второго пленочного аппарата 12, слив которого расположен над приемником пресной воды 4. Вход второго пленочного аппарата 12 выполнен с возможностью подвода охлажденной пресной воды. Выше входа второго пленочного аппарата 12 смонтирован второй жалюзийный сепаратор 14. Между вторым жалюзийным сепаратором 14 и электровентилятором 6 установлен нагревательный элемент 5 воздухоподогревателя. Выход приемника пресной воды через первый насос и холодильник сообщен с линией пресной воды, один отвод которой сообщен с входом второго пленочного аппарата, а второй - с потребителями пресной воды. Изобретение позволяет повысить производительность опреснителя и упростить его конструкцию. 1 з.п. ф-лы, 2 ил.
Изобретение относится к полупроводниковой технике, а именно к области изготовления гетероэпитаксиальных слоев монокристаллического кремния различного типа проводимости и высокоомных слоев в производстве СВЧ-приборов, фото- и тензочувствительных элементов, различных интегральных схем с повышенной стойкостью к внешним дестабилизирующим факторам. Способ изготовления гетероэпитаксиального слоя кремния на диэлектрике включает формирование ростовых кремниевых островков на поверхности диэлектрической подложки (сапфир, шпинель, алмаз, кварц) с последующим наращиванием начального слоя кремния путем термического разложения моносилана, его термообработку в течение времени, достаточного для устранения структурных дефектов, образовавшихся в результате релаксации напряжений кристаллической решетки кремния, и продолжение наращивания слоя кремния до требуемых значений толщины, при этом наращивание начального слоя кремния осуществляют при температуре 930-945°C до момента слияния ростовых кремниевых островков и образования сплошного слоя, температуру термообработки устанавливают в пределах 945-975°C, а температуру роста слоя требуемой толщины задают не менее 960°C. Технический результат изобретения - повышение структурного качества и однородности распределения удельного сопротивления по толщине гетероэпитаксиального слоя кремния на диэлектрике. 4 ил.
Изобретение относится к области формирования эпитаксиальных слоев кремния на изоляторе. Способ предназначен для изготовления эпитаксиальных слоев монокристаллического кремния n- и p-типа проводимости на диэлектрических подложках из материала с параметрами кристаллической решетки, близкими к параметрам кремния с помощью химической газофазной эпитаксии. В качестве материала подложки могут использоваться, в частности, лейкосапфир (корунд), шпинель, алмаз, кварц. Способ заключается в расположении подложки в реакторе, нагреве рабочей поверхности подложки до 900-1000°C, подаче потока реакционного газа, содержащего инертный газ-носитель и моносилан, наращивании кремния до образования начального сплошного слоя на рабочей поверхности подложки, добавлении к потоку реакционного газа потока галогенсодержащего реагента и формировании эпитаксиального слоя кремния требуемой толщины. Начальный сплошной слой кремния наращивают со скоростью от 3000 /мин до 6000 /мин. После формирования данного слоя на рабочей поверхности подложки расход потока реакционного газа уменьшают, снижая скорость роста на 500-2000 /мин. К потоку реакционного газа добавляют поток насыщенного пара галогенида кремния или газообразного галогенсилана, значение расхода которого задают таким образом, чтобы скорость роста кремниевого слоя вернулась к значениям 3000-6000 /мин. Технический результат изобретения - получение слоя кремния высокого качества и снижение себестоимости процесса изготовления. 3 ил., 1 пр.
Изобретение относится к средствам измерения обводненности жидких нефтепродуктов и может быть использовано для определения доли воды в нефтепродуктах при их переработке и/или сжигании и/или приготовлении водно-топливных эмульсий (ВТЭ)
Изобретение относится к области производства полупроводниковых структур кремния и германия и может быть использовано при изготовлении структур для интегральных микросхем, в том числе требующих диэлектрической изоляции отдельных компонентов, дискретных приборов и солнечных элементов
Изобретение относится к области солнечной энергетики и может быть использовано при изготовлении солнечных элементов
