Патенты автора Шварц Карл-Генрих Маркусович (RU)
Изобретение относится к области полупроводниковой электроники и может быть использовано для изготовления дискретных ограничителей напряжения. Способ изготовления вертикального низковольтного ограничителя напряжения включает формирование на высоколегированной подложке первого типа проводимости локальных областей скрытого слоя второго типа проводимости, осаждение низколегированного эпитаксиального слоя второго типа проводимости, формирование областей прибора с помощью щелевой изоляции, формирование на поверхности низколегированного слоя высоколегированных областей первого и второго типов проводимости. Формирование локальных областей скрытого слоя проводят путем осаждения высоколегированного эпитаксиального слоя второго типа проводимости с последующим локальным травлением эпитаксиального слоя до высоколегированной подложки первого типа проводимости, причем толщина высоколегированного эпитаксиального слоя составляет не более 1 мкм. Изобретение обеспечивает получение низковольтных низкоемкостных ограничителей напряжения с малыми токами утечки за счет высокого кристаллического совершенства формируемого высоколегированного слоя и минимизации температурной обработки переходов. Способ отличается простотой по сравнению с традиционными способами получения скрытых слоев диффузией и имплантацией примеси и позволяет снизить стоимость изготовления прибора. 6 ил.
Изобретение может быть использовано для измерения электрофизических параметров полупроводниковых монокристаллических пластин, автоэпитаксиальных и гетероэпитаксиальных структур, а также структур типа полупроводника на изоляторе. Устройство содержит два электролитических зонда, у которых каждый корпус представлен в виде полой прозрачной трубки из диэлектрического материала, с одного конца которой закреплен монолитный наконечник из диэлектрического капиллярного или пористого материала в форме конуса с удлиненным цилиндрическим основанием, а с другого конца закреплена пробка из резины. Электроды устройства выполнены в виде колец из инертного металла и расположены на внешней поверхности конусных наконечников. Материал конусных наконечников пропитывают электролитом, зонды устанавливают на измеряемую пластину конусными наконечниками по нормали к лицевой поверхности, прикладывают к электродам постоянное напряжение разной полярности, постепенно увеличивают величину постоянного напряжения и одновременно подают на измерительные электроды электролитических зондов короткие периодические синусоидальные импульсы напряжения с амплитудой, большей, чем величина постоянного напряжения. Регистрируют вольт-амперную характеристику полупроводника с помощью устройств вывода радиоизмерительного прибора. Изобретение обеспечивает возможность увеличения точности производимых измерений и расширения области применения. 2 н. и 2 з.п. ф-лы, 3 ил., 1 пр.
Изобретение относится к области производства полупроводниковых структур кремния и германия и может быть использовано при изготовлении структур для интегральных микросхем, в том числе требующих диэлектрической изоляции отдельных компонентов, дискретных приборов и солнечных элементов
Изобретение относится к области солнечной энергетики и может быть использовано при изготовлении солнечных элементов
