Патенты автора Кузнецов Михаил Владимирович (RU)

Изобретение относится к технологии получения наноструктурированного оксида цинка, допированного медью, который может быть использован в качестве фотокатализатора. Способ получения фотокатализатора на основе наноструктурированного оксида цинка, допированного медью, включает введение смеси кислородсодержащего соединения цинка и кислородсодержащего соединения меди в этиленгликоль, вакуумную фильтрацию, промывание ацетоном, сушку и последующее прокаливание. Смесь кристаллического оксида цинка и кристаллического карбоната меди, взятых в стехиометрическом соотношении, добавляют в этиленгликоль, содержащий концентрированную муравьиную кислоту в количестве 9-14 %об. от общего объема этиленгликоля, и предварительно нагретый до 50оС, при этом этиленгликоль берут в избытке 10-15% от стехиометрического соотношения смеси оксида цинка и карбоната меди. Авторами предлагается простой и надежный способ получения фотокатализатора на основе оксида цинка, допированного медью, с наночастицами в виде нановолокон или наносфер, обеспечивающий увеличение активной поверхности фотокатализатора и, следовательно, его фотокаталитическую активность. 4 ил., 4 пр.

Изобретение относится к технологии получения селенида индия(III), широко используемого в микроэлектронике для получения детекторов ядерного излучения и при создании преобразователей солнечного излучения в качестве основы для такого материала, как диселенид меди(I) и индия CuInSe2. Раствор для гидрохимического осаждения тонкой полупроводниковой пленки селенида индия(III) содержит соль индия(III), селенокарбамид, винную кислоту и сульфит натрия при следующих концентрациях реагентов, моль/л: соль индия(III) 0,01-0,15; селенокарбамид 0,005-0,1; винная кислота 0,01-0,06; сульфит натрия 0,005-0,1. Благодаря наличию таких добавок, как селенокарбамид и сульфит натрия, изменяются кинетика процесса и условия осаждения в сравнении с прототипом. Селенокарбамид является источником селенид-ионов. Сульфит натрия играет роль антиоксиданта, предотвращая окисление селенокарбамида в растворе. Винная кислота одновременно комплексует ионы индия и повышает буферную емкость реакционной смеси, поддерживая рН раствора на определенном уровне. Получаемые слои из данного раствора осаждения имеют хорошую адгезию к подложечному материалу и зеркальную поверхность. Их толщина составляет 300 нм. 1 табл., 2 пр.

Изобретение относится к испытаниям металлических конструкций и может быть использовано в кабельной технике для оценки работоспособности муфт кабельных погружных электродвигателей. Стенд испытаний кабельных муфт содержит термокамеру с крышкой, в которой размещают испытываемую муфту. Термокамера разделена поршнем на верхнюю и нижнюю полости, к верхней полости подведен трубопровод для закачки соленого раствора, а к нижней полости и к внутренней полости испытываемой муфты подключены трубопроводы для подачи масла. Трубопровод для закачки соленого раствора и трубопровод для подачи масла, подключенный к внутренней полости испытываемой муфты, соединены через распределитель и оснащены индивидуальными манометрами и общим дифференциальным манометром. Кабельная муфта вмонтирована в пробку, закрепленную в крышке. Техническим результатом изобретения является возможность проведения испытания кабельных муфт на перепад давлений при высоких температурах и при наличии агрессивной среды. 2 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к технологии получения изделий оптоэлектроники и солнечной энергетики, а именно к раствору для гидрохимического осаждения полупроводниковых пленок сульфида индия(III). Раствор содержит соль индия(III), винную кислоту, тиоацетамид, гидроксиламин солянокислый при следующих концентрациях реагентов, моль/л: соль индия(III) - 0,01-0,2; тиоацетамид - 0,01-0,5; винная кислота - 0,005-0,2; гидроксиламин солянокислый - 0,005-0,15. Изобретение позволяет получить пленки сульфида индия(III), характеризующиеся более высокими величинами толщин при одновременном сохранении высокого качества поверхности пленок. 1 табл., 2 пр.

Изобретение относится к способу изготовления фильтрующих элементов и поворотному приспособлению для его осуществления

 


Наверх