Патенты автора Кашкаров Павел Константинович (RU)
Использование: для измерения массы углеродных нано- и микроструктур (УС) в различных средах. Сущность изобретения заключается в том, что в измеряемые УС на стадии подготовки эксперимента вводят радиоактивную метку-маркер, отличающийся тем, что радиоактивную метку в виде атомов гамма-излучающего изотопа 7Ве получают путем облучения на циклотроне изучаемых УС содержащих изотоп 12С ускоренными альфа-частицами с энергией более 32,9 МэВ или ускоренными дейтонами с энергией более 20,5 МэВ или ускоренными протонами с энергией более 24,5 МэВ, меченые УС вводят в исследуемые объекты, представляющие собой организмы подопытных животных или армируемые УС пластмассы, из которых отбирают образцы с неизвестным массовым содержанием УС, измеряют активность полученных образцов на гама-спектрометре, вычисляют искомую массу УС в образце путем сравнения измеренной активности образцов с активностью стандартного образца, содержащего известную массу УС. Технический результат: обеспечение возможности с повышенной точностью и достоверностью измерить массовое содержания УС в жидкой, твердой, газообразной и органической среде без разрушения структуры образцов. 2 табл., 1 ил.
Изобретение относится к области экологии и материаловедения, а именно нанотехнологии, и может быть использовано для количественного определения углеродных наноструктур (УН), в частности углеродных нанотрубок, в твердых и жидких образцах и различных средах. Для этого в исследуемом образце с неизвестным массовым содержанием УН измеряют массу присутствующих в УН сопутствующих примесей катализаторов методами масс-спектрометрии с индуктивно-связанной плазмой или атомно-эмиссионной спектрометрией с индуктивно-связанной плазмой. Содержание УН в исследуемом образце определяют путем сравнения массы технологической примеси в исследуемом образце с массой этой примеси в эталонном образце, содержащем известную массу УН. Изобретение позволяет повысить достоверность количественного измерения УН в образцах различного состава без изменения физико-химических свойств образцов. 1 з.п. ф-лы, 2 ил., 2 табл.
Изобретение относится к области оптоэлектронной техники и может быть использовано для создания дешевых и эффективных солнечных элементов на основе слоев аморфного гидрогенизированного кремния. Способ получения гетероперехода нанокристаллический кремний/аморфный гидрогенизированный кремний в образце, представляющем собой пленку аморфного гидрогенизированного кремния, нанесенную на кварцевую подложку, включает облучение образца фемтосекундными лазерными импульсами в вакууме при давлении не более 2⋅10-2 мбар, с центральной длиной волны излучения 257-680 нм, частотой повторения импульсов 20-500 кГц, длительностью импульсов 30-500 фс и плотностью энергии лазерных импульсов 4-500 мДж/см2. Для получения солнечного элемента гетеропереход нанокристаллический кремний/аморфный гидрогенизированный кремний, полученный способом, описанным выше, выполнен на кварцевой подложке с прозрачным проводящим подслоем, и сверху термически напыляется металлический электрод (алюминий, золото или магний). Техническим результатом, достигаемым при использовании заявляемой группы изобретений, является обеспечение повышенной стабильности электрических и фотоэлектрических свойств при освещении, увеличенной подвижности носителей заряда, повышенной эффективностью и относительной дешевизной при его изготовлении (в сравнении с солнечными элементами из кристаллического кремния). Данные свойства солнечных элементов позволят в итоге получать повышенные (по сравнению с солнечными элементами на основе a-Si:H) значения фотовольтаических параметров (могут быть достигнуты следующие значения: КПД фотопреобразования - 14%, напряжение холостого хода - 0,68 В, ток короткого замыкания - 36,5 мА/см2). 2 н. и 7 з.п. ф-лы, 3 табл., 4 пр., 9 ил.
Изобретение относится к области микро- и наноэлектроники, а именно к технологии изготовления синаптического мемристора на основе нанокомпозита металл-нестехиометрический оксид, который обладает адаптивными (нейроморфными) свойствами. Техническим результатом является создание мемристивных структур Cr/Cu/Cr/(Co40Fe40B20)x(LiNbO3-y)100-x/Cr/Cu/Cr с использованием нестехиометрических оксидов, способных моделировать свойства биологических синапсов и одновременно обладающих повышенной устойчивостью к циклическим резистивным переключениям. Для его достижения предложен способ формирования синаптического мемристора на основе нанокомпозита металл-нестехиометрический оксид, заключающийся в последовательном осаждении слоев на подложку, при этом, методом ионно-лучевого распыления последовательно осаждают на ситалловые подложки слой Cr/Cu/Cr, являющийся нижним электродом, слой нанокомпозита металл-нестехиометрический оксид и слой Cr/Cu/Cr, являющийся верхним электродом. В нанокомпозите металл-нестехиометрический оксид в качестве оксида используют сегнетоэлектрик LiNbO3, а в качестве металла - аморфный сплав Co40Fe40B20. Осаждение нанокомпозита металл-нестехиометрический оксид проводят с недостатком кислорода толщиной 2,5-3,5 мкм и с содержанием металла на 2-4 ат.% ниже порога перколяции хр ≈ 15 ат.% на подложки, имеющие комнатную температуру. 4 з.п. ф-лы, 6 ил.
Изобретение относится к области оптоэлектронной техники и может быть использовано для создания солнечных элементов, а также иных тонкопленочных электронных устройств на основе легированных бором пленок аморфного гидрогенизированного кремния. Техническим результатом является повышение эффективности легирования бором в аморфном гидрогенизированном кремнии и изменение типа проводимости аморфного гидрогенизированного кремния за счет увеличения электрически активных атомов бора в аморфном гидрогенизированном кремнии. Способ изменения типа проводимости и повышения эффективности легирования бором аморфного гидрогенизированного кремния включает получение методом плазмохимического разложения смеси моносилана (SiH4) и диборана (В2Н6) тонких пленок аморфного гидрогенизированного кремния, слабо легированных бором (объемное отношение [B2H6]/[SiH4]=(10-6-10-5), и обработку пленок фемтосекундными лазерными импульсами с центральной длиной волны излучения 1000-1100 нм, частотой повторения лазерных импульсов 50-500 кГц, длительностью импульсов 100-500 фс и плотностью энергии лазерных импульсов 150-200 мДж/см2. 1 з.п. ф-лы, 3 ил., 1 табл.
Изобретение относится к области оптоэлектронной техники и может быть использовано для создания переизлучающих текстурированных покрытий для использования в тонкопленочных солнечных элементах. Способ получения переизлучающих текстурированных тонких пленок на основе аморфного гидрогенизированного кремния с нанокристаллами кремния включает получение тонких пленок аморфного гидрогенизированного кремния, которые обрабатывают в атмосфере воздуха фемтосекундными лазерными импульсами с центральной длиной волны излучения 500-1100 нм, частотой повторения импульсов 50-500 кГц, длительностью импульсов 100-500 фс и плотностью энергии лазерных импульсов 260-500 мДж/см2. Изобретение обеспечивает возможность формирования переизлучающих текстурированных тонких пленок, эффективно поглощающих ультрафиолетовую часть солнечного спектра с последующим ее преобразованием в видимый свет. 5 з.п. ф-лы, 5 ил.
Изобретение относится к области оптоэлектронной техники и может быть использовано для формирования активного слоя тонкопленочных солнечных элементов на основе гидрогенизированного кремния со стабильными параметрами относительно световых воздействий, в частности солнечного излучения. Сущность изобретения состоит в способе создания пленок аморфного гидрогенизированного кремния с небольшой долей кремниевых нанокристаллов (объемное отношение кристаллической фазы к аморфной менее 15%), равномерно распределенных по пленке и имеющих размер не более 10 нм. Способ создания заключается в осаждении пленок аморфного кремния методом плазмохимического осаждения из газовой смеси тетрафторида кремния и водорода при повышенном давлении в реакционной камере в условиях, обеспечивающих формирование кремниевых нанокристаллов в плазме тлеющего разряда. Наличие небольшой доли равномерно распределенных нанокристаллических включений в аморфной матрице заметно улучшает стабильность электрических, оптических и фотоэлектрических свойств получаемого материала. Технический результат заключается в повышении КПД и продлении срока службы тонкопленочных солнечных преобразователей, в случае использования в них в качестве активного слоя получаемого указанным способом материала. 2 ил., 1 табл.
Изобретение относится к экспериментальной медицине и предназначено для стимуляции регенерации нервных тканей
Изобретение относится к области квантовой электроники