Патенты автора Луцев Леонид Владимирович (RU)

Изобретение относится к наноэлектронике, в частности к полевым транзисторам, содержащим ячейку флэш-памяти под затвором. Полевой транзистор с ячейкой памяти, выполненный на основе гетероструктуры, содержит сформированные на подложке исток, сток, контакты, нанесенные на исток и сток, канал, затвор с ячейкой памяти. Ячейка памяти включает примыкающий к затвору первый диэлектрический слой, примыкающий к каналу второй диэлектрический слой и слой немагнитного диэлектрика с распределенными в нем наночастицами магнитного 3d-металла размером 2-5 нм в количестве 20-60 ат.%, расположенный между первым и вторым диэлектрическими слоями. Полевой транзистор имеет высокую скорость переключения и длительное время хранения записанной информации. 5 з.п. ф-лы, 6 ил.

Изобретения относятся к области радиопоглощающих материалов. Способ получения радиопоглощающего покрытия включает послойное нанесение на подложку слоев радиопоглощающего материала, содержащего 20-70 масс.% смеси микрошариков, изготовленных из природного граната по плазменной технологии, и связующего вещества, с закреплением нанесенного покрытия путем термообработки. Изобретение обеспечивает повышение твердости, износостойкости, морозостойкости, изотропности покрытия, а также стабильность его радиопоглощающих свойств и удобство нанесения. 2 н. и 4 з.п. ф-лы, 2 табл., 3 пр., 2 ил.

Изобретение относится к покрытию, поглощающему электромагнитное излучение

 


Наверх