Патенты автора Петрухин Георгий Николаевич (RU)
Изобретение относится к области вакуумной фотоэмиссионной электроники и касается приемника изображений объектов, излучающих в ультрафиолетовом диапазоне. Приемник выполнен в архитектуре электронно-оптического преобразователя и включает входную оптическую систему, вакуумно-плотный корпус, входное окно, расположенный на торцевой поверхности входного окна фотокатод на основе поликристаллической алмазной пленки, легированной бором, микроканальную пластину, катодолюминесцентный экран и волоконно-оптическое стекло. Дополнительно в систему включен фотокатод на основе германия со сквозными отверстиями, поверхность которого располагается в фокальной плоскости инфракрасных изображений местности, формируемой общей оптической системой. При этом фотокатод на основе германия расположен либо на поверхности микроканальной пластины или на поверхности дополнительно введенной кремниевой мембраны. Технический результат заключается в обеспечении возможности регистрации излучающих в ультрафиолетовом диапазоне объектов в привязке к местности их расположения. 2 ил.
Приемник-преобразователь изображений // 2745906
Изобретение относится к устройствам оптоэлектроники и может быть использовано в процедурах регистрации физико-технических процессов, сопровождаемых ультрафиолетовым изучением. Приемник-преобразователь оптических изображений включает последовательно расположенные приемник-преобразователь изображений ультрафиолетового диапазона в изображение видимого диапазона и следующий за ним приемник изображений видимого диапазона с функцией усиления и цифрового преобразования. В качестве приемника-преобразователя ультрафиолетовых изображений в видимое используется алмазная мембрана, насыщенная SiV центрами, на входе которой установлен фильтр, вырезающий излучение в спектральной полосе 735…740 нм, а на выходе мембраны установлен фильтр, пропускающий излучение в спектральной полосе 735…740 нм. Изобретение обеспечивает уменьшение массы и габаритов приемника-преобразователя изображений. 1 ил.
Изобретение относится к приемникам-преобразователям оптических изображений с внутренним усилением. Оно может быть использовано для регистрации и усиления оптических изображений объектов в спектральном диапазоне 40…270 нм вакуумного ультрафиолета (ВУФ), с возможностью последующего цифрового преобразования аналогового сигнала изображений. Устройство выполнено в виде эмиссионного приемника изображений архитектуры ЭОП, чувствительного в спектральном диапазоне 40…270 нм. Входное окно выполнено из алмазной пластины, насыщенной SiV центрами с внешней стороны до толщин, больших обратной величины коэффициента поглощения входного излучения на длинах волн в 40…270 нм, а фотокатод из материалов, чувствительных в спектральном диапазоне 730…740 нм, расположен на тыльной стороне входного окна. Технический результат - возможность регистрации, преобразования и усиления оптических изображений пассивных (отражающих) и активных (излучающих) объектов с минимальными размерами ~ 80…90 нм, с пороговой чувствительностью в (1…3)×10-11Вт/(Гц)0,5 и токовой чувствительностью в 30…40 мА/Вт. 1 ил.
Изобретение относится к полупроводниковым преобразователям для автономных источников питания и может быть эффективно использовано для совместной работы с маломощными источниками бета-излучений. Для автономного бета-вольтаического источника питания предложена конструкция полупроводникового преобразователя конденсаторного типа с функцией умножения потока электронов, работа которой основана на вторичной эмиссии электронов, а в качестве базового материала используется алмаз. Техническим результатом является возможность значительно уменьшить токи утечки при одновременном увеличении тока зарядки и величины генерируемого напряжения при той же мощности бета-вольтаического источника излучений, при этом одновременно обеспечивается возможность удовлетворить требования по радиационной стойкости (которым не удовлетворяют приборы на кремнии) в полупроводниковых преобразователях на p-i-n структурах, работающих в вентильном режиме. 1 ил.
ВАКУУМНЫЙ ЭМИССИОННЫЙ ТРИОД // 2731363
Изобретение относится к конструкции вакуумного эмиссионного триода с сильноточным "холодным" катодом. Предусмотрено использование микроканальной пластины, активированной к процессам вторичной эмиссии электронов, в каналы которой асимметрично внедрено вещество маломощного изотопа. Управляющим электродом триода является металлизированная поверхность другой стороны микроканальной пластины, а между ней и анодом может быть расположен ряд других микроканальных пластин с функцией умножения потока электронов. Техническим результатом является повышение тока катода с обеспечением экологической безопасности. 1 ил.
Изобретение относится к вакуумной фотоэмиссионной электронике и может быть использовано при конструировании приборов и устройств ночного и ультрафиолетового видения. Фотоэлектронный умножитель состоит из фотокатода на основе полупроводниковых, в том числе и наноструктурированных материалов, динодов на основе алмазных пленок, экранирующих (барьерных) электродов и коллектора, и представляет собой планарную интегральную электронную схему, реализующую на изолирующей подложке, например сапфире, функцию 2-спектрального фотоэлектронного умножителя. Фотокатод выполнен в виде двуслойной пленочной структуры полупроводник/алмаз, где в качестве полупроводника могут быть использованы пленки кремния либо германия, в том числе и наноструктурированные, а в качестве алмаза - пленки поликристаллического алмаза слабо легированного акцепторами, например бором. Технический результат - уменьшение габаритов устройства, повышение коэффициента усиления, реализация в одном кристалле функций как раздельного, так и одновременного детектирования излучений в ИК- и УФ-диапазонах соответственно, в спектральном диапазоне 1,25-1,55 мкм - область прозрачности атмосферы, и в спектральном диапазоне 0,15-0,27 мкм - солнечно-слепая область. 1 ил.
Изобретение относится к устройствам вакуумной СВЧ-электроники и может быть использовано в устройствах коммутации тока, в смесителях и в других приборах и устройствах силового сектора СВЧ-электроники. Автоэмиссионный СВЧ-диод содержит вакуумно-плотный корпус из металлокерамики, источник электронов, анод с винтовым окончанием, штенгель и электрические контакты. Вместо входного окна располагают вакуумно-плотно соединенную с корпусом металлическую заглушку, автокатод выполняют на основе гетероструктуры подложка Si-nanoSi-C-MoC либо подложка Si-nanoSi-C-графен и располагают на внутренней стороне заглушки, вытягивающий электроны электрод выполняют из металл-углеродной либо графеновой пленки и располагают между автокатодом и анодом. Технический результат - повышение однородности автоэмиссии для автокатодов большой площади. 1 ил.
Изобретение относится к области электронной техники и предназначено для использования в разработках и исследованиях конструктивно-технологических методов создания автоэмиссионных сред, в том числе и сред, процесс автоэмиссиии из которых активируется электромагнитным излучением оптического либо радиочастотного диапазонов. В частности, указанное устройство необходимо для разработки и исследований технологий и конструкций высоковольтных и сильноточных автокатодов, для изучения протекающих в них деградационных процессов. Это достигается объединением в рамках единой вакуумно-плотной конструкции оптического и автоэмиссионного узлов, совместная работа которых основана на интеграции такого ряда физических процессов, как автоэмиссия электронов, стимулированная электрическим полем фотоэмиссия электронов, и катодолюминесценция. Технический результат - обеспечение возможности для изучения в режиме «on line» статики и динамики процессов автоэмиссии, определения степени однородности эмиссии с поверхности автоэмиссионных сред с разрешением не хуже 50-100 мкм, изучения динамики и статики процессов деградации, корреляционных связей между деградацией электрических характеристик и морфологическими изменениями поверхности автокатодов. 4 ил.
Изобретение относится к области оптического приборостроения и касается электронно-оптического преобразователя. Преобразователь включает в себя корпус с вакуумно-плотными входным и выходным окнами, фотокатод на основе алмазной пленки, ускоряющие электроды, волоконно-оптическую пластину, люминесцентный экран и геттер. На входном окне расположен тонкий слой прозрачного в УФ области спектра соединения сурьмы с цезием. За входным окном расположена прозрачная для ультрафиолетового диапазона пластина с нанесенным на нее со стороны, обращенной к люминесцентному экрану, фотокатодом на основе слаболегированной акцепторами поликристаллической алмазной пленки. Технический результат заключается в обеспечении возможности управления квантовой эффективностью и положением «красной границы» фоточувствительности. 2 ил.
ГЕТЕРОСТРУКТУРА ДЛЯ АВТОЭМИТТЕРА // 2575137
Изобретение относится к структурам для автоэмиттеров. Изобретение обеспечивает значительное увеличение рабочих токов автокатода, повышение стойкости устройств к деградации и увеличение их рабочего ресурса. В гетеропереходной структуре на поверхности n-слоя со стороны n-p гетерограницы сформирован массив из наноструктурированных объектов, p-слой выполнен в виде алмазной пленки, толщина которой не превышает диффузионную длину электронов, а концентрация акцепторов в нем находится в диапазоне 1020-1024 м-3. В случае частного решения p-слой выполнен в виде совокупности мезаструктур. Гетероструктура и ее частное решение могут быть использованы при конструировании схем и устройств силовой СВЧ-электроники. 1 з.п. ф-лы, 2 ил.
ФОТОКАТОДНЫЙ УЗЕЛ // 2574214
Изобретение относится к фотокатодным узлам вакуумных высокочувствительных, термо- и радиационно-стойких приемников излучений и приемников изображений для спектрального диапазона 0,19-0,45 мкм. Технический результат - расширение спектральной области чувствительности к электромагнитному излучению. Фотокатодный узел состоит из оптического окна для входного излучения и фотокатода, который выполнен в виде сплошной либо сетчатой мембранной конструкций на основе поликристаллической алмазной пленки, слаболегированной акцепторами, или сплошной поликристаллической алмазной пленки, слаболегированной акцепторами с нано- и микроструктурированной поверхностью, и многощелочного фотокатода, содержащего цезий и сурьму, расположенного на тыльной стороне входного оптического окна в виде пленки наноразмерной толщины в 10-30 нм на расстоянии 0,1-1,0 мм от приемной поверхности алмазного фотокатода. 1 ил.
ФОТОЭЛЕКТРОННЫЙ УМНОЖИТЕЛЬ ДЛЯ УФ ДИАПАЗОНА // 2572392
Изобретение относится к области электронной техники. Технический результат - расширение в длинноволновую область диапазона спектральной чувствительности к электромагнитному излучению, повышение токовой чувствительности и квантовой эффективности. Фотоэлектронный умножитель представляет собой гибридную сборку многоэлементного устройства в составе входного оптического окна, алмазного фотокатода, динодов и анода. Пленка многощелочного фотокатода наноразмерной толщины расположена на выходной поверхности оптического окна, поверхность алмазного фотокатода нано(микро)структурирована и слабо легирована акцепторами, поверхность динодов нано(микро)структурирована и покрыта алмазной пленкой, слабо легированной акцепторами.
Изобретение относится к технологии изготовления интегральных схем. Сущность изобретения заключается в том, что маска из диэлектрика или металла изготавливается до роста алмазной пленки на подложке с ровной поверхностью, обеспечивающей субмикронные размеры маски, с последующим формированием на маске алмазной пленки и вскрытием окна со стороны подложки, что обеспечивает доступ со стороны подложки реагентов для травления алмазной пленки через маску. Изобретение обеспечивает формирование субмикронной маски для травления алмазной пленки до роста алмазной пленки. 6 ил.,1 табл.
ГЕТЕРОПЕРЕХОДНАЯ СТРУКТУРА // 2497222
Изобретение может найти применение в качестве приборной структуры для твердотельных автоэмиссионных диодов и эмитирующих электроны активных элементов функциональных узлов как в твердотельной электронике, так и в вакуумной эмиссионной электронике, в том числе в силовой СВЧ электронике. Гетеропереходная структура согласно изобретению состоит из полупроводниковых слоев n- и p-типа проводимости, расположенных последовательно на подложке n-типа, гомогенной прилежащему к ней полупроводниковому слою n-типа и имеющей омический контакт к тыльной стороне, при этом на поверхности n-слоя со стороны n-p гетерограницы расположен массив из наноструктурированных объектов, p-слой выполнен в виде алмазной пленки, толщина которой не превышает диффузионную длину электронов, а концентрация акцепторов в нем находится в диапазоне 1020-1024 м-3. Изобретение обеспечивает возможность значительного увеличения рабочих токов автокатода, либо автоэмиссионных диодов, повышения стойкости устройств к деградации и увеличения их рабочего ресурса. 5 з.п. ф-лы, 1 пр., 6 ил.
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ УГЛЕРОДНЫХ НАНОСТРУКТУР // 2417943
Изобретение относится к способам формирования массивов из углеродных наноструктур (УНС) для автоэмиссионных применений
УСИЛИТЕЛЬ-ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ // 2399984
Изобретение относится к вакуумной эмиссионной электронике и может быть использовано при конструировании изделий и устройств вакуумной электроники, приборов ночного видения, СВЧ и микроволновой электроники
УСИЛИТЕЛЬ-ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ // 2364981
Изобретение относится к вакуумной эмиссионной технике и может быть использовано при конструировании изделий и устройств вакуумной электроники, СВЧ и микроволновой электроники, систем визуализации информации (экраны плоских дисплеев), осветительных систем
